MOSFET അവലോകനം

പവർ മോസ്‌ഫെറ്റിനെ ജംഗ്ഷൻ തരം, ഇൻസുലേറ്റഡ് ഗേറ്റ് തരം എന്നിങ്ങനെ തിരിച്ചിരിക്കുന്നു, പക്ഷേ സാധാരണയായി പ്രധാനമായും ഇൻസുലേറ്റ് ചെയ്ത ഗേറ്റ് തരം MOSFET (മെറ്റൽ ഓക്‌സൈഡ് സെമികണ്ടക്ടർ FET) യെ പവർ മോസ്‌ഫെറ്റ് (പവർ മോസ്‌ഫെറ്റ്) എന്ന് വിളിക്കുന്നു. ജംഗ്ഷൻ തരം പവർ ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്ററിനെ സാധാരണയായി ഇലക്ട്രോസ്റ്റാറ്റിക് ഇൻഡക്ഷൻ ട്രാൻസിസ്റ്റർ (സ്റ്റാറ്റിക് ഇൻഡക്ഷൻ ട്രാൻസിസ്റ്റർ - എസ്ഐടി) എന്ന് വിളിക്കുന്നു. ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് നിയന്ത്രിക്കുന്നതിനുള്ള ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജാണ് ഇതിൻ്റെ സവിശേഷത, ഡ്രൈവ് സർക്യൂട്ട് ലളിതമാണ്, കുറച്ച് ഡ്രൈവ് പവർ ആവശ്യമാണ്, ഫാസ്റ്റ് സ്വിച്ചിംഗ് വേഗത, ഉയർന്ന പ്രവർത്തന ആവൃത്തി, താപ സ്ഥിരത എന്നിവയേക്കാൾ മികച്ചതാണ്ജി.ടി.ആർ, എന്നാൽ അതിൻ്റെ നിലവിലെ ശേഷി ചെറുതാണ്, കുറഞ്ഞ വോൾട്ടേജ് ആണ്, സാധാരണയായി 10kW പവർ ഇലക്‌ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളിൽ കൂടാത്ത പവർ മാത്രമേ ബാധകമാകൂ.

 

1. പവർ മോസ്ഫെറ്റ് ഘടനയും പ്രവർത്തന തത്വവും

പവർ മോസ്ഫെറ്റ് തരങ്ങൾ: ചാലക ചാനൽ അനുസരിച്ച് പി-ചാനൽ, എൻ-ചാനൽ എന്നിങ്ങനെ വിഭജിക്കാം. ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് വ്യാപ്തി അനുസരിച്ച് വിഭജിക്കാം; ശോഷണ തരം; ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് പൂജ്യമാകുമ്പോൾ, ഒരു ചാലക ചാനലിൻ്റെ നിലനിൽപ്പിന് ഇടയിലുള്ള ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് പോൾ, മെച്ചപ്പെടുത്തിയപ്പോൾ; N (P) ചാനൽ ഉപകരണത്തിന്, ഒരു ചാലക ചാനലിൻ്റെ നിലനിൽപ്പിന് മുമ്പ് ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് പൂജ്യത്തേക്കാൾ (കുറവ്) കൂടുതലാണ്, MOSFET പ്രധാനമായും N-ചാനൽ മെച്ചപ്പെടുത്തിയിരിക്കുന്നു.

 

1.1 പവർമോസ്ഫെറ്റ്ഘടന　　

പവർ MOSFET ആന്തരിക ഘടനയും വൈദ്യുത ചിഹ്നങ്ങളും; ചാലകത്തിൽ ഉൾപ്പെട്ടിരിക്കുന്ന ഒരു പോളാരിറ്റി കാരിയറുകൾ (പോളികൾ) മാത്രമാണ് അതിൻ്റെ ചാലകം, ഒരു യൂണിപോളാർ ട്രാൻസിസ്റ്റർ ആണ്. ചാലക സംവിധാനം ലോ-പവർ MOSFET-ന് സമാനമാണ്, എന്നാൽ ഘടനയ്ക്ക് വലിയ വ്യത്യാസമുണ്ട്, കുറഞ്ഞ-പവർ MOSFET ഒരു തിരശ്ചീന ചാലക ഉപകരണമാണ്, VMOSFET (ലംബമായ MOSFET) എന്നും അറിയപ്പെടുന്ന ലംബ ചാലക ഘടനയുടെ മിക്ക ശക്തിയും MOSFET ആണ്. , ഇത് MOSFET ഉപകരണ വോൾട്ടേജും കറൻ്റ് താങ്ങാനുള്ള ശേഷിയും വളരെയധികം മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നു.

 

ലംബ ചാലക ഘടനയിലെ വ്യത്യാസങ്ങൾ അനുസരിച്ച്, VVMOSFET ൻ്റെ ലംബ ചാലകത കൈവരിക്കുന്നതിന് V- ആകൃതിയിലുള്ള ഗ്രോവിൻ്റെ ഉപയോഗമായി വിഭജിച്ചിരിക്കുന്നു കൂടാതെ VDMOSFET ൻ്റെ ലംബമായ ചാലകമായ ഇരട്ട-ഡിഫ്യൂസ്ഡ് MOSFET ഘടനയുണ്ട്.മോസ്ഫെറ്റ്), VDMOS ഉപകരണങ്ങളുടെ ഉദാഹരണമായി ഈ പേപ്പർ പ്രധാനമായും ചർച്ചചെയ്യുന്നു.

 

ഒരു ഷഡ്ഭുജ യൂണിറ്റ് ഉപയോഗിച്ച് ഇൻ്റർനാഷണൽ റക്റ്റിഫയർ (ഇൻ്റർനാഷണൽ റെക്റ്റിഫയർ) HEXFET പോലെയുള്ള ഒന്നിലധികം സംയോജിത ഘടനയ്ക്കുള്ള പവർ MOSFET-കൾ; സീമെൻസ് (സീമെൻസ്) SIPMOSFET ഒരു ചതുര യൂണിറ്റ് ഉപയോഗിക്കുന്നു; മോട്ടറോള (മോട്ടറോള) TMOS, "പിൻ" ആകൃതിയിലുള്ള ക്രമീകരണം ഉപയോഗിച്ച് ചതുരാകൃതിയിലുള്ള യൂണിറ്റ് ഉപയോഗിക്കുന്നു.

 

1.2 പവർ മോസ്ഫെറ്റ് പ്രവർത്തന തത്വം

കട്ട്-ഓഫ്: ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് പോളുകൾക്കും പോസിറ്റീവ് പവർ സപ്ലൈക്കും ഇടയിൽ, വോൾട്ടേജിന് ഇടയിലുള്ള ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് പോളുകൾ പൂജ്യമാണ്. പി ബേസ് റീജിയണും എൻ ഡ്രിഫ്റ്റ് റീജിയണും പിഎൻ ജംഗ്ഷൻ ജെ 1 റിവേഴ്സ് ബയസിന് ഇടയിൽ രൂപപ്പെട്ടു, ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് പോളുകൾക്കിടയിൽ കറൻ്റ് ഫ്ലോ ഇല്ല.

ചാലകത: ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ടെർമിനലുകൾക്കിടയിൽ ഒരു പോസിറ്റീവ് വോൾട്ടേജ് UGS പ്രയോഗിക്കുമ്പോൾ, ഗേറ്റ് ഇൻസുലേറ്റ് ചെയ്തിരിക്കുന്നു, അതിനാൽ ഗേറ്റ് കറൻ്റ് ഒഴുകുന്നില്ല. എന്നിരുന്നാലും, ഗേറ്റിൻ്റെ പോസിറ്റീവ് വോൾട്ടേജ് അതിന് താഴെയുള്ള പി-മേഖലയിലെ ദ്വാരങ്ങളെ അകറ്റുകയും യുജിഎസ് കൂടുതലാകുമ്പോൾ പി-മേഖലയിലെ ഒലിഗൺ-ഇലക്ട്രോണുകളെ ഗേറ്റിന് താഴെയുള്ള പി-മേഖലയുടെ ഉപരിതലത്തിലേക്ക് ആകർഷിക്കുകയും ചെയ്യും. UT (ടേൺ-ഓൺ വോൾട്ടേജ് അല്ലെങ്കിൽ ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ്), ഗേറ്റിന് കീഴിലുള്ള പി-മേഖലയുടെ ഉപരിതലത്തിലെ ഇലക്ട്രോണുകളുടെ സാന്ദ്രത ദ്വാരങ്ങളുടെ സാന്ദ്രതയേക്കാൾ കൂടുതലായിരിക്കും, അങ്ങനെ പി-ടൈപ്പ് അർദ്ധചാലകം ഒരു N- തരത്തിലേക്ക് വിപരീതമായി മാറുന്നു. ഒരു വിപരീത പാളി, വിപരീത പാളി ഒരു N-ചാനൽ രൂപീകരിക്കുകയും PN ജംഗ്ഷൻ J1 അപ്രത്യക്ഷമാവുകയും ചോർച്ചയും ഉറവിട ചാലകവുമാക്കുകയും ചെയ്യുന്നു.

 

1.3 പവർ മോസ്ഫെറ്റുകളുടെ അടിസ്ഥാന സവിശേഷതകൾ

1.3.1 സ്റ്റാറ്റിക് സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ.

ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് ഐഡിയും ഗേറ്റ് സോഴ്‌സ് തമ്മിലുള്ള വോൾട്ടേജ് യുജിഎസും തമ്മിലുള്ള ബന്ധത്തെ മോസ്‌ഫെറ്റിൻ്റെ ട്രാൻസ്ഫർ സ്വഭാവം എന്ന് വിളിക്കുന്നു, ഐഡി വലുതാണ്, ഐഡിയും യുജിഎസും തമ്മിലുള്ള ബന്ധം ഏകദേശം രേഖീയമാണ്, വക്രത്തിൻ്റെ ചരിവ് ട്രാൻസ്‌കണ്ടക്റ്റൻസ് ജിഎഫ്എസ് ആയി നിർവചിച്ചിരിക്കുന്നു. .

 

MOSFET ൻ്റെ ഡ്രെയിൻ വോൾട്ട്-ആമ്പിയർ സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ (ഔട്ട്പുട്ട് സവിശേഷതകൾ): കട്ട്ഓഫ് മേഖല (GTR ൻ്റെ കട്ട്ഓഫ് മേഖലയുമായി ബന്ധപ്പെട്ടത്); സാച്ചുറേഷൻ മേഖല (ജിടിആറിൻ്റെ ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ മേഖലയുമായി ബന്ധപ്പെട്ടത്); നോൺ-സാച്ചുറേഷൻ മേഖല (ജിടിആറിൻ്റെ സാച്ചുറേഷൻ മേഖലയുമായി ബന്ധപ്പെട്ടത്). പവർ MOSFET സ്വിച്ചിംഗ് അവസ്ഥയിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്നു, അതായത്, അത് കട്ട്ഓഫ് മേഖലയ്ക്കും നോൺ-സാച്ചുറേഷൻ മേഖലയ്ക്കും ഇടയിൽ അങ്ങോട്ടും ഇങ്ങോട്ടും മാറുന്നു. പവർ മോസ്ഫെറ്റിന് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ടെർമിനലുകൾക്കിടയിൽ ഒരു പരാന്നഭോജി ഡയോഡ് ഉണ്ട്, ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ടെർമിനലുകൾക്കിടയിൽ ഒരു റിവേഴ്സ് വോൾട്ടേജ് പ്രയോഗിക്കുമ്പോൾ ഉപകരണം നടത്തുന്നു. പവർ മോസ്ഫെറ്റിൻ്റെ ഓൺ-സ്റ്റേറ്റ് പ്രതിരോധത്തിന് പോസിറ്റീവ് ടെമ്പറേച്ചർ കോഫിഫിഷ്യൻ്റ് ഉണ്ട്, ഇത് ഉപകരണങ്ങൾ സമാന്തരമായി ബന്ധിപ്പിക്കുമ്പോൾ കറൻ്റ് തുല്യമാക്കുന്നതിന് അനുകൂലമാണ്.

 

1.3.2 ഡൈനാമിക് സ്വഭാവം;

അതിൻ്റെ ടെസ്റ്റ് സർക്യൂട്ടും സ്വിച്ചിംഗ് പ്രോസസ് തരംഗരൂപങ്ങളും.

ടേൺ-ഓൺ പ്രക്രിയ; ടേൺ-ഓൺ കാലതാമസം സമയം td(ഓൺ) - മുന്നിലുള്ള നിമിഷത്തിനും uGS = UT, iD എന്നിവ ദൃശ്യമാകാൻ തുടങ്ങുന്ന നിമിഷത്തിനും ഇടയിലുള്ള കാലയളവ്; വർദ്ധനവ് സമയം t- uT-യിൽ നിന്ന് uGS ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് UGSP- ലേക്ക് ഉയരുമ്പോൾ MOSFET നോൺ-സാച്ചുറേറ്റഡ് മേഖലയിൽ പ്രവേശിക്കുന്ന കാലഘട്ടം; ഐഡിയുടെ സ്ഥിരമായ മൂല്യം നിർണ്ണയിക്കുന്നത് ഡ്രെയിൻ സപ്ലൈ വോൾട്ടേജ്, യുഇ, ഡ്രെയിൻ എന്നിവയാണ്. യുജിഎസ് യുജിഎസ്പിയിൽ എത്തിയതിനു ശേഷം, സ്ഥിരമായ അവസ്ഥയിലെത്തുന്നത് വരെ അത് അപ്പ് പ്രവർത്തനത്തിന് കീഴിൽ ഉയർന്നുകൊണ്ടേയിരിക്കും, എന്നാൽ ഐഡിക്ക് മാറ്റമില്ല. ടേൺ-ഓൺ സമയം ടൺ-ടേൺ-ഓൺ കാലതാമസ സമയത്തിൻ്റെയും ഉദയ സമയത്തിൻ്റെയും ആകെത്തുക.

 

ഓഫ് കാലതാമസം സമയം td(ഓഫ്) - iD പൂജ്യത്തിലേക്ക് വീഴുന്ന സമയം മുതൽ പൂജ്യമായി കുറയാൻ തുടങ്ങുന്ന സമയ കാലയളവ്, Cin Rs, RG എന്നിവയിലൂടെ ഡിസ്ചാർജ് ചെയ്യപ്പെടുന്നു, കൂടാതെ uGS ഒരു എക്‌സ്‌പോണൻഷ്യൽ കർവ് അനുസരിച്ച് UGSP ലേക്ക് വീഴുന്നു.

 

ഫാലിംഗ് ടൈം tf- UGS-ൽ നിന്നും iD-യിൽ നിന്നും uGS താഴുന്നത് മുതൽ uGS <UT-ൽ ചാനൽ അപ്രത്യക്ഷമാകുകയും ഐഡി പൂജ്യത്തിലേക്ക് വീഴുകയും ചെയ്യുന്നത് വരെ കുറയുന്നു. ടേൺ-ഓഫ് ടൈം ടോഫ്- ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസ സമയത്തിൻ്റെയും വീഴ്ച സമയത്തിൻ്റെയും ആകെത്തുക.

 

1.3.3 MOSFET സ്വിച്ചിംഗ് വേഗത.

MOSFET സ്വിച്ചിംഗ് വേഗതയും Cin ചാർജിംഗും ഡിസ്ചാർജിംഗും ഒരു വലിയ ബന്ധമുണ്ട്, ഉപയോക്താവിന് Cin കുറയ്ക്കാൻ കഴിയില്ല, എന്നാൽ ഡ്രൈവിംഗ് സർക്യൂട്ട് ആന്തരിക പ്രതിരോധം കുറയ്ക്കാൻ കഴിയും, സമയ സ്ഥിരത കുറയ്ക്കാൻ, സ്വിച്ചിംഗ് വേഗത വേഗത്തിലാക്കാൻ, MOSFET പോളിട്രോണിക് ചാലകതയെ മാത്രം ആശ്രയിക്കുന്നു, ഒളിഗോട്രോണിക് സ്റ്റോറേജ് ഇഫക്റ്റ് ഇല്ല, അതിനാൽ ഷട്ട്ഡൗൺ പ്രക്രിയ വളരെ വേഗത്തിലാണ്, 10-100ns സ്വിച്ചിംഗ് സമയം, പ്രവർത്തന ആവൃത്തി 100kHz അല്ലെങ്കിൽ അതിൽ കൂടുതലാകാം, പ്രധാന പവർ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളിൽ ഏറ്റവും ഉയർന്നതാണ്.

 

ഫീൽഡ് നിയന്ത്രിത ഉപകരണങ്ങൾക്ക് വിശ്രമവേളയിൽ ഇൻപുട്ട് കറൻ്റ് ആവശ്യമില്ല. എന്നിരുന്നാലും, സ്വിച്ചിംഗ് പ്രക്രിയയിൽ, ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റർ ചാർജ് ചെയ്യുകയും ഡിസ്ചാർജ് ചെയ്യുകയും ചെയ്യേണ്ടതുണ്ട്, ഇതിന് ഇപ്പോഴും ഒരു നിശ്ചിത അളവിലുള്ള ഡ്രൈവിംഗ് പവർ ആവശ്യമാണ്. സ്വിച്ചിംഗ് ആവൃത്തി കൂടുന്തോറും ഡ്രൈവ് പവർ ആവശ്യമാണ്.

 

1.4 ഡൈനാമിക് പ്രകടനം മെച്ചപ്പെടുത്തൽ

ഉപകരണത്തിൻ്റെ വോൾട്ടേജ്, കറൻ്റ്, ഫ്രീക്വൻസി എന്നിവ പരിഗണിക്കുന്നതിന് ഉപകരണ ആപ്ലിക്കേഷനുപുറമെ, മാത്രമല്ല ഉപകരണത്തെ എങ്ങനെ സംരക്ഷിക്കണം എന്നതിൻ്റെ പ്രയോഗത്തിൽ വൈദഗ്ദ്ധ്യം നേടുകയും വേണം, കേടുപാടുകൾ വരുത്തുന്ന ക്ഷണികമായ മാറ്റങ്ങളിൽ ഉപകരണം ഉണ്ടാക്കരുത്. തീർച്ചയായും, തൈറിസ്റ്റർ രണ്ട് ബൈപോളാർ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ സംയോജനമാണ്, വലിയ വിസ്തീർണ്ണം കാരണം ഒരു വലിയ കപ്പാസിറ്റൻസ് കൂടിച്ചേർന്നതാണ്, അതിനാൽ അതിൻ്റെ dv/dt ശേഷി കൂടുതൽ ദുർബലമാണ്. di/dt ന് ഇതിന് ഒരു വിപുലീകൃത ചാലക മേഖല പ്രശ്നമുണ്ട്, അതിനാൽ ഇത് വളരെ ഗുരുതരമായ പരിമിതികളും ചുമത്തുന്നു.

പവർ മോസ്ഫെറ്റിൻ്റെ കാര്യം തികച്ചും വ്യത്യസ്തമാണ്. അതിൻ്റെ dv/dt, di/dt ശേഷി പലപ്പോഴും നാനോസെക്കൻഡിലെ (മൈക്രോസെക്കൻഡിന് പകരം) ശേഷിയുടെ അടിസ്ഥാനത്തിൽ കണക്കാക്കുന്നു. ഇതൊക്കെയാണെങ്കിലും, ഇതിന് ചലനാത്മക പ്രകടന പരിമിതികളുണ്ട്. ഒരു പവർ മോസ്ഫെറ്റിൻ്റെ അടിസ്ഥാന ഘടനയുടെ അടിസ്ഥാനത്തിൽ ഇവ മനസ്സിലാക്കാം.

 

ഒരു പവർ MOSFET ൻ്റെ ഘടനയും അതിന് തുല്യമായ സർക്യൂട്ടും. ഉപകരണത്തിൻ്റെ മിക്കവാറും എല്ലാ ഭാഗങ്ങളിലും കപ്പാസിറ്റൻസിനു പുറമേ, MOSFET- ന് സമാന്തരമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്ന ഒരു ഡയോഡ് ഉണ്ടെന്ന് കണക്കിലെടുക്കണം. ഒരു പ്രത്യേക കാഴ്ചപ്പാടിൽ, ഒരു പരാന്നഭോജി ട്രാൻസിസ്റ്ററും ഉണ്ട്. (ഒരു IGBT-യിലും ഒരു പരാന്നഭോജിയായ തൈറിസ്റ്റർ ഉള്ളതുപോലെ). MOSFET-കളുടെ ചലനാത്മക സ്വഭാവത്തെക്കുറിച്ചുള്ള പഠനത്തിലെ പ്രധാന ഘടകങ്ങളാണ് ഇവ.

 

ഒന്നാമതായി, MOSFET ഘടനയിൽ ഘടിപ്പിച്ചിട്ടുള്ള അന്തർലീനമായ ഡയോഡിന് ചില അവലാഞ്ച് ശേഷിയുണ്ട്. ഇത് സാധാരണയായി ഒറ്റ ഹിമപാത ശേഷിയിലും ആവർത്തിച്ചുള്ള ഹിമപാത ശേഷിയിലും പ്രകടിപ്പിക്കുന്നു. റിവേഴ്സ് di/dt വലുതായിരിക്കുമ്പോൾ, ഡയോഡ് വളരെ വേഗത്തിലുള്ള പൾസ് സ്പൈക്കിന് വിധേയമാകുന്നു, അത് ഹിമപാത മേഖലയിലേക്ക് പ്രവേശിക്കാനും ഉപകരണത്തിന് അതിൻ്റെ ഹിമപാത ശേഷി കവിഞ്ഞാൽ കേടുപാടുകൾ വരുത്താനും സാധ്യതയുണ്ട്. ഏതൊരു PN ജംഗ്ഷൻ ഡയോഡിലെയും പോലെ, അതിൻ്റെ ചലനാത്മക സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ സൂക്ഷ്മമായി പരിശോധിക്കുന്നത് വളരെ സങ്കീർണ്ണമാണ്. ഒരു പിഎൻ ജംഗ്ഷൻ മുന്നോട്ട് ദിശയിൽ നടത്തുകയും വിപരീത ദിശയിൽ തടയുകയും ചെയ്യുന്ന ലളിതമായ ആശയത്തിൽ നിന്ന് വളരെ വ്യത്യസ്തമാണ്. കറൻ്റ് അതിവേഗം കുറയുമ്പോൾ, റിവേഴ്സ് റിക്കവറി ടൈം എന്നറിയപ്പെടുന്ന ഒരു സമയത്തേക്ക് ഡയോഡിന് അതിൻ്റെ റിവേഴ്സ് ബ്ലോക്കിംഗ് ശേഷി നഷ്ടപ്പെടും. PN ജംഗ്ഷൻ വേഗത്തിൽ നടത്തേണ്ട സമയവും വളരെ കുറഞ്ഞ പ്രതിരോധം കാണിക്കാത്തതുമായ ഒരു കാലഘട്ടമുണ്ട്. ഒരു പവർ MOSFET-ൽ ഡയോഡിലേക്ക് ഫോർവേഡ് ഇൻജക്ഷൻ ഉണ്ടായാൽ, കുത്തിവച്ച ന്യൂനപക്ഷ വാഹകരും MOSFET-നെ ഒരു മൾട്ടിട്രോണിക് ഉപകരണമെന്ന നിലയിൽ സങ്കീർണ്ണത വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നു.

 

ക്ഷണികമായ അവസ്ഥകൾ ലൈൻ അവസ്ഥകളുമായി അടുത്ത ബന്ധപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു, ഈ വശം ആപ്ലിക്കേഷനിൽ മതിയായ ശ്രദ്ധ നൽകണം. അനുബന്ധ പ്രശ്‌നങ്ങൾ മനസ്സിലാക്കുന്നതിനും വിശകലനം ചെയ്യുന്നതിനും സൗകര്യമൊരുക്കുന്നതിന് ഉപകരണത്തെക്കുറിച്ച് ആഴത്തിലുള്ള അറിവ് ഉണ്ടായിരിക്കേണ്ടത് പ്രധാനമാണ്.