WSD100N15DN56G N-ചാനൽ 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

ഹ്രസ്വ വിവരണം:

ഭാഗം നമ്പർ:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

ഐഡി:100 എ

RDSON:6mΩ

ചാനൽ:എൻ-ചാനൽ

പാക്കേജ്:DFN5X6-8

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക PDF

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

അപേക്ഷ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

WINSOK MOSFET ഉൽപ്പന്ന അവലോകനം

WSD100N15DN56G MOSFET-ൻ്റെ വോൾട്ടേജ് 150V ആണ്, കറൻ്റ് 100A ആണ്, പ്രതിരോധം 6mΩ ആണ്, ചാനൽ N-ചാനൽ ആണ്, പാക്കേജ് DFN5X6-8 ആണ്.

WINSOK MOSFET ആപ്ലിക്കേഷൻ ഏരിയകൾ

മെഡിക്കൽ പവർ സപ്ലൈകൾ MOSFET, PDs MOSFET, ഡ്രോണുകൾ MOSFET, ഇലക്ട്രോണിക് സിഗരറ്റുകൾ MOSFET, പ്രധാന വീട്ടുപകരണങ്ങൾ MOSFET, പവർ ടൂളുകൾ MOSFET.

MOSFET പാരാമീറ്ററുകൾ

ചിഹ്നം	പരാമീറ്റർ	റേറ്റിംഗ്	യൂണിറ്റുകൾ
വി.ഡി.എസ്	ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ്	150	V
വി.ജി.എസ്	ഗേറ്റ്-ഉറവിട വോൾട്ടേജ്	±20	V
ID	തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്, വി_GS@ 10V(ടി_C=25℃)	100	A
IDM	പൾസ്ഡ് ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്	360	A
EAS	സിംഗിൾ പൾസ് അവലാഞ്ച് എനർജി	400	mJ
P_D	മൊത്തം പവർ ഡിസ്പേഷൻ..._C=25℃)	160	W
RθJA	താപ പ്രതിരോധം, ജംഗ്ഷൻ-ആംബിയൻ്റ്	62	℃/W
RθJC	താപ പ്രതിരോധം, ജംഗ്ഷൻ-കേസ്	0.78	℃/W
ടി.എസ്.ടി.ജി	സംഭരണ താപനില പരിധി	-55 മുതൽ 175 വരെ	℃
T_J	ഓപ്പറേറ്റിംഗ് ജംഗ്ഷൻ താപനില പരിധി	-55 മുതൽ 175 വരെ	℃

ചിഹ്നം	പരാമീറ്റർ	വ്യവസ്ഥകൾ	മിനി.	ടൈപ്പ് ചെയ്യുക.	പരമാവധി.	യൂണിറ്റ്
BV_{ഡി.എസ്.എസ്}	ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ്	V_GS=0V, ഐ_D=250uA	150	---	---	V
RDS(ഓൺ)	സ്റ്റാറ്റിക് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്²	V_GS=10V, ഐ_D=20A	---	9	12	mΩ
VGS(th)	ഗേറ്റ് ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ്	V_GS=V_DS, ഐ_D=250uA	2.0	3.0	4.0	V
ഐ.ഡി.എസ്.എസ്	ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ലീക്കേജ് കറൻ്റ്	V_DS=100V, വി_GS=0V, ടി_J=25℃	---	---	1	uA
ഐ.ജി.എസ്.എസ്	ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ലീക്കേജ് കറൻ്റ്	V_GS=±20V, വി_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	മൊത്തം ഗേറ്റ് ചാർജ്	V_DS=50V, വി_GS=10V, ഐ_D=20A	---	66	---	nC
Q_gs	ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ചാർജ്		---	26	---
Q_gd	ഗേറ്റ്-ഡ്രെയിൻ ചാർജ്		---	18	---
Td(ഓൺ)	കാലതാമസ സമയം ഓണാക്കുക	V_DD=50V,V_GS=10V R_G=2Ω, I_D=20A	---	37	---	ns
T_r	എഴുന്നേൽക്കുന്ന സമയം		---	98	---
ടിഡി(ഓഫ്)	ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസം സമയം		---	55	---
T_f	വീഴ്ച സമയം		---	20	---
C_iss	ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ്	V_DS=30V, വി_GS=0V, f=1MHz	---	5450	---	pF
കോസ്	ഔട്ട്പുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ്		---	1730	---
C_rss	റിവേഴ്സ് ട്രാൻസ്ഫർ കപ്പാസിറ്റൻസ്		---	195	---