WSD2090DN56 N-ചാനൽ 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD2090DN56 N-channel 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET ഫീച്ചർ ചെയ്ത ചിത്രം

ഹൃസ്വ വിവരണം:

മോഡൽ നമ്പർ:WSD2090DN56

BVDSS:20V

RDSON:2.8mΩ

ഐഡി:80എ

ചാനൽ:എൻ-ചാനൽ

പാക്കേജ്:DFN5*6-8

ഉൽപ്പന്ന സംഗ്രഹം:WSD2090DN56 MOSFET ന്റെ വോൾട്ടേജ് 20V ആണ്, കറന്റ് 80A ആണ്, പ്രതിരോധം 2.8mΩ ആണ്, ചാനൽ N-ചാനൽ ആണ്, പാക്കേജ് DFN5*6-8 ആണ്.

അപേക്ഷകൾ:ഇലക്ട്രോണിക് സിഗരറ്റുകൾ, ഡ്രോണുകൾ, ഇലക്ട്രിക്കൽ ഉപകരണങ്ങൾ, ഫാസിയ തോക്കുകൾ, പിഡി, ചെറിയ വീട്ടുപകരണങ്ങൾ തുടങ്ങിയവ.

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക PDF

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

അപേക്ഷ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

പൊതുവായ വിവരണം

WSD2090DN56 ഏറ്റവും ഉയർന്ന സെൽ സാന്ദ്രതയുള്ള N-Ch MOSFET ആണ്, ഇത് മിക്ക സിൻക്രണസ് ബക്ക് കൺവെർട്ടർ ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്കും മികച്ച RDSON ഉം ഗേറ്റ് ചാർജും നൽകുന്നു.WSD2090DN56, RoHS, ഗ്രീൻ പ്രൊഡക്റ്റ് ആവശ്യകതകൾ 100% EAS ഉറപ്പുനൽകുന്നു, പൂർണ്ണമായ പ്രവർത്തന വിശ്വാസ്യതയും അംഗീകരിച്ചു.

ഫീച്ചറുകൾ

അഡ്വാൻസ്ഡ് ഹൈ സെൽ ഡെൻസിറ്റി ട്രെഞ്ച് ടെക്നോളജി, സൂപ്പർ ലോ ഗേറ്റ് ചാർജ്, മികച്ച CdV / dt ഇഫക്റ്റ് കുറയ്‌ക്കൽ, 100% EAS ഗ്യാരണ്ടി, ഗ്രീൻ ഉപകരണം ലഭ്യമാണ്

അപേക്ഷകൾ

സ്വിച്ച്, പവർ സിസ്റ്റം, ലോഡ് സ്വിച്ച്, ഇലക്ട്രോണിക് സിഗരറ്റുകൾ, ഡ്രോണുകൾ, ഇലക്ട്രിക്കൽ ഉപകരണങ്ങൾ, ഫാസിയ തോക്കുകൾ, പിഡി, ചെറിയ വീട്ടുപകരണങ്ങൾ തുടങ്ങിയവ.

അനുബന്ധ മെറ്റീരിയൽ നമ്പർ

AOS AON6572

പ്രധാനപ്പെട്ട പാരാമീറ്ററുകൾ

സമ്പൂർണ്ണ പരമാവധി റേറ്റിംഗുകൾ (TC=25℃അല്ലാതെ സൂചിപ്പിച്ചിട്ടില്ലെങ്കിൽ)

ചിഹ്നം	പരാമീറ്റർ	പരമാവധി.	യൂണിറ്റുകൾ
വി.ഡി.എസ്.എസ്	ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ്	20	V
വി.ജി.എസ്.എസ്	ഗേറ്റ്-ഉറവിട വോൾട്ടേജ്	±12	V
ID@TC=25℃	തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറന്റ്, VGS @ 10V1	80	A
ID@TC=100℃	തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറന്റ്, VGS @ 10V1	59	A
IDM	പൾസ്ഡ് ഡ്രെയിൻ കറന്റ് നോട്ട്1	360	A
EAS	ഒറ്റ പൾസ്ഡ് അവലാഞ്ച് എനർജി നോട്ട്2	110	mJ
PD	പവർ ഡിസ്പേഷൻ	81	W
RθJA	തെർമൽ റെസിസ്റ്റൻസ്, ജംഗ്ഷൻ ടു കേസ്	65	℃/W
RθJC	തെർമൽ റെസിസ്റ്റൻസ് ജംഗ്ഷൻ-കേസ് 1	4	℃/W
ടിജെ, ടിഎസ്ടിജി	പ്രവർത്തന, സംഭരണ താപനില പരിധി	-55 മുതൽ +175 വരെ	℃

ഇലക്ട്രിക്കൽ സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ (TJ=25 ℃, മറ്റുവിധത്തിൽ സൂചിപ്പിച്ചിട്ടില്ലെങ്കിൽ)

ചിഹ്നം	പരാമീറ്റർ	വ്യവസ്ഥകൾ	മിനി	ടൈപ്പ് ചെയ്യുക	പരമാവധി	യൂണിറ്റുകൾ
ബി.വി.ഡി.എസ്.എസ്	ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ്	VGS=0V, ID=250μA	20	24	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS താപനില ഗുണകം	റഫറൻസ് 25℃ , ID=1mA	---	0.018	---	വി/℃
VGS(th)	ഗേറ്റ് ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ്	VDS= VGS, ID=250μA	0.50	0.65	1.0	V
RDS(ഓൺ)	സ്റ്റാറ്റിക് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്	VGS=4.5V, ID=30A	---	2.8	4.0	mΩ
RDS(ഓൺ)	സ്റ്റാറ്റിക് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്	VGS=2.5V, ID=20A	---	4.0	6.0	mΩ
ഐ.ഡി.എസ്.എസ്	സീറോ ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് ഡ്രെയിൻ കറന്റ്	VDS=20V,VGS=0V	---	---	1	μA
ഐ.ജി.എസ്.എസ്	ഗേറ്റ്-ബോഡി ലീക്കേജ് കറന്റ്	VGS=±10V, VDS=0V	---	---	±100	nA
സിസ്	ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ്	VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ	---	3200	---	pF
കോസ്	ഔട്ട്പുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ്		---	460	---
Crss	റിവേഴ്സ് ട്രാൻസ്ഫർ കപ്പാസിറ്റൻസ്		---	446	---
Qg	മൊത്തം ഗേറ്റ് ചാർജ്	VGS=4.5V,VDS=10V,ID=30A	---	11.05	---	nC
ക്യുജിഎസ്	ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ചാർജ്		---	1.73	---
Qgd	ഗേറ്റ്-ഡ്രെയിൻ ചാർജ്		---	3.1	---
tD(ഓൺ)	കാലതാമസ സമയം ഓണാക്കുക	VGS=4.5V, VDS=10V, ID=30ARGEN=1.8Ω	---	9.7	---	ns
tr	ഉദയ സമയം ഓണാക്കുക		---	37	---
tD(ഓഫ്)	ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസം സമയം		---	63	---
tf	ടേൺ ഓഫ് ഫാൾ സമയം		---	52	---
വി.എസ്.ഡി	ഡയോഡ് ഫോർവേഡ് വോൾട്ടേജ്	IS=7.6A,VGS=0V	---	---	1.2	V