WSD30150DN56 N-ചാനൽ 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

WSD30150DN56 N-channel 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET ഫീച്ചർ ചെയ്ത ചിത്രം

ഹ്രസ്വ വിവരണം:

ഭാഗം നമ്പർ:WSD30150DN56

BVDSS:30V

ഐഡി:150 എ

RDSON:1.8mΩ

ചാനൽ:എൻ-ചാനൽ

പാക്കേജ്:DFN5X6-8

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക PDF

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

അപേക്ഷ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

WINSOK MOSFET ഉൽപ്പന്ന അവലോകനം

WSD30150DN56 MOSFET ൻ്റെ വോൾട്ടേജ് 30V ആണ്, കറൻ്റ് 150A ആണ്, പ്രതിരോധം 1.8mΩ ആണ്, ചാനൽ N-ചാനൽ ആണ്, പാക്കേജ് DFN5X6-8 ആണ്.

WINSOK MOSFET ആപ്ലിക്കേഷൻ ഏരിയകൾ

E-സിഗരറ്റ് MOSFET, വയർലെസ് ചാർജിംഗ് MOSFET, ഡ്രോണുകൾ MOSFET, മെഡിക്കൽ കെയർ MOSFET, കാർ ചാർജറുകൾ MOSFET, കൺട്രോളറുകൾ MOSFET, ഡിജിറ്റൽ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ MOSFET, ചെറിയ വീട്ടുപകരണങ്ങൾ MOSFET, ഉപഭോക്തൃ ഇലക്ട്രോണിക്സ് MOSFET.

WINSOK MOSFET മറ്റ് ബ്രാൻഡ് മെറ്റീരിയൽ നമ്പറുകളുമായി യോജിക്കുന്നു

AOS MOSFET AON6512,AONS3234.

ഒൻസെമി,ഫെയർചൈൽഡ് മോസ്ഫെറ്റ് FDMC81DCCM.

NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.

തോഷിബ മോസ്ഫെറ്റ് TPH1R43NL.

പഞ്ജിത് മോസ്ഫെറ്റ് PJQ5428.

നിക്കോ-സെം മോസ്ഫെറ്റ് PKC26BB,PKE24BB.

പോട്ടൻസ് സെമികണ്ടക്ടർ MOSFET PDC392X.

MOSFET പാരാമീറ്ററുകൾ

ചിഹ്നം	പരാമീറ്റർ	റേറ്റിംഗ്	യൂണിറ്റുകൾ
വി.ഡി.എസ്	ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ്	30	V
വി.ജി.എസ്	ഗേറ്റ്-സൗrce വോൾട്ടേജ്	±20	V
I_D@T_C=25℃	തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്, വി_GS@ 10V^1,7	150	A
I_D@T_C=100℃	തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്, വി_GS@ 10V^1,7	83	A
IDM	പൾസ്ഡ് ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്²	200	A
EAS	സിംഗിൾ പൾസ് അവലാഞ്ച് എനർജി³	125	mJ
ഐ.എ.എസ്	അവലാഞ്ച് കറൻ്റ്	50	A
P_D@T_C=25℃	മൊത്തം പവർ ഡിസിപ്പേഷൻ⁴	62.5	W
ടി.എസ്.ടി.ജി	സംഭരണ താപനില പരിധി	-55 മുതൽ 150 വരെ	℃
T_J	ഓപ്പറേറ്റിംഗ് ജംഗ്ഷൻ താപനില പരിധി	-55 മുതൽ 150 വരെ	℃

ചിഹ്നം	പരാമീറ്റർ	വ്യവസ്ഥകൾ	മിനി.	ടൈപ്പ് ചെയ്യുക.	പരമാവധി.	യൂണിറ്റ്
BV_{ഡി.എസ്.എസ്}	ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ്	V_GS=0V, ഐ_D=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BV_{ഡി.എസ്.എസ്}താപനില ഗുണകം	റഫറൻസ് 25℃, ഐ_D=1mA	---	0.02	---	V/℃
RDS(ഓൺ)	സ്റ്റാറ്റിക് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്²	V_GS=10V, ഐ_D=20A	---	1.8	2.4	mΩ
RDS(ഓൺ)	സ്റ്റാറ്റിക് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്²	V_GS=4.5V, ഐ_D=15എ		2.4	3.2	mΩ
VGS(th)	ഗേറ്റ് ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ്	V_GS=V_DS, ഐ_D=250uA	1.4	1.7	2.5	V
△V_GS(th)	V_GS(th)താപനില ഗുണകം	V_GS=V_DS, ഐ_D=250uA	---	-6.1	---	mV/℃
ഐ.ഡി.എസ്.എസ്	ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ലീക്കേജ് കറൻ്റ്	V_DS=24V, വി_GS=0V, ടി_J=25℃	---	---	1	uA
ഐ.ഡി.എസ്.എസ്	ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ലീക്കേജ് കറൻ്റ്	V_DS=24V, വി_GS=0V, ടി_J=55℃	---	---	5	uA
ഐ.ജി.എസ്.എസ്	ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ലീക്കേജ് കറൻ്റ്	V_GS=±20V, വി_DS=0V	---	---	±100	nA
gfs	ഫോർവേഡ് ട്രാൻസ്കണ്ടക്റ്റൻസ്	V_DS=5V, ഐ_D=10A	---	27	---	S
R_g	ഗേറ്റ് പ്രതിരോധം	V_DS=0V, വി_GS=0V, f=1MHz	---	0.8	1.5	Ω
Q_g	മൊത്തം ഗേറ്റ് ചാർജ് (4.5V)	V_DS=15V, വി_GS=4.5V, ഐ_D=30എ	---	26	---	nC
Q_gs	ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ചാർജ്		---	9.5	---
Q_gd	ഗേറ്റ്-ഡ്രെയിൻ ചാർജ്		---	11.4	---
Td(ഓൺ)	കാലതാമസ സമയം ഓണാക്കുക	V_DD=15V, വി_GEN=10V, ആർ_G=6Ω, ഐ_D=1A, RL=15Ω.	---	20	---	ns
T_r	എഴുന്നേൽക്കുന്ന സമയം		---	12	---
ടിഡി(ഓഫ്)	ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസം സമയം		---	69	---
T_f	വീഴ്ച സമയം		---	29	---
C_iss	ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ്	V_DS=15V, വി_GS=0V, f=1MHz	2560	3200	3850	pF
കോസ്	ഔട്ട്പുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ്		560	680	800
C_rss	റിവേഴ്സ് ട്രാൻസ്ഫർ കപ്പാസിറ്റൻസ്		260	320	420