WSD40200DN56G N-ചാനൽ 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET ഉൽപ്പന്ന അവലോകനം
WSD40120DN56G MOSFET-ന്റെ വോൾട്ടേജ് 40V ആണ്, കറന്റ് 120A ആണ്, പ്രതിരോധം 1.4mΩ ആണ്, ചാനൽ N-ചാനൽ ആണ്, പാക്കേജ് DFN5X6-8 ആണ്.
WINSOK MOSFET ആപ്ലിക്കേഷൻ ഏരിയകൾ
ഇ-സിഗരറ്റുകൾ MOSFET, വയർലെസ് ചാർജിംഗ് MOSFET, ഡ്രോണുകൾ MOSFET, മെഡിക്കൽ കെയർ MOSFET, കാർ ചാർജറുകൾ MOSFET, കൺട്രോളറുകൾ MOSFET, ഡിജിറ്റൽ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ MOSFET, ചെറിയ വീട്ടുപകരണങ്ങൾ MOSFET, ഉപഭോക്തൃ ഇലക്ട്രോണിക്സ് MOSFET.
WINSOK MOSFET മറ്റ് ബ്രാൻഡ് മെറ്റീരിയൽ നമ്പറുകളുമായി യോജിക്കുന്നു
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.പോട്ടൻസ് സെമികണ്ടക്ടർ MOSFET PDC496X.
MOSFET പാരാമീറ്ററുകൾ
| ചിഹ്നം | പരാമീറ്റർ | റേറ്റിംഗ് | യൂണിറ്റുകൾ |
| വി.ഡി.എസ് | ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ് | 40 | V |
| വി.ജി.എസ് | ഗേറ്റ്-സൗrce വോൾട്ടേജ് | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറന്റ്, വിGS@ 10V1 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറന്റ്, വിGS@ 10V1 | 82 | A |
| IDM | പൾസ്ഡ് ഡ്രെയിൻ കറന്റ്2 | 400 | A |
| EAS | സിംഗിൾ പൾസ് അവലാഞ്ച് എനർജി3 | 400 | mJ |
| ഐ.എ.എസ് | അവലാഞ്ച് കറന്റ് | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | മൊത്തം പവർ ഡിസിപ്പേഷൻ4 | 125 | W |
| ടി.എസ്.ടി.ജി | സംഭരണ താപനില പരിധി | -55 മുതൽ 150 വരെ | ℃ |
| TJ | ഓപ്പറേറ്റിംഗ് ജംഗ്ഷൻ താപനില പരിധി | -55 മുതൽ 150 വരെ | ℃ |
| ചിഹ്നം | പരാമീറ്റർ | വ്യവസ്ഥകൾ | മിനി. | ടൈപ്പ് ചെയ്യുക. | പരമാവധി. | യൂണിറ്റ് |
| BVഡി.എസ്.എസ് | ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ് | VGS=0V, ഐD=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVഡി.എസ്.എസ്താപനില ഗുണകം | റഫറൻസ് 25℃, ഐD=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(ഓൺ) | സ്റ്റാറ്റിക് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്2 | VGS=10V, ഐD=20A | --- | 1.4 | 1.8 | mΩ |
| RDS(ഓൺ) | സ്റ്റാറ്റിക് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്2 | VGS=4.5V , ID=20A | --- | 2.0 | 2.6 | mΩ |
| VGS(th) | ഗേറ്റ് ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ് | VGS=VDS, ഐD=250uA | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)താപനില ഗുണകം | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| ഐ.ഡി.എസ്.എസ് | ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ലീക്കേജ് കറന്റ് | VDS=32V, വിGS=0V, ടിJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, വിGS=0V, ടിJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| ഐ.ജി.എസ്.എസ് | ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ലീക്കേജ് കറന്റ് | VGS=±20V, വിDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | ഫോർവേഡ് ട്രാൻസ്കണ്ടക്റ്റൻസ് | VDS=5V, ഐD=20A | --- | 53 | --- | S |
| Rg | ഗേറ്റ് പ്രതിരോധം | VDS=0V, വിGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | മൊത്തം ഗേറ്റ് ചാർജ് (10V) | VDS=15V, വിGS=10V, ഐD=20A | --- | 45 | --- | nC |
| Qgs | ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ചാർജ് | --- | 12 | --- | ||
| Qgd | ഗേറ്റ്-ഡ്രെയിൻ ചാർജ് | --- | 18.5 | --- | ||
| Td(ഓൺ) | കാലതാമസ സമയം ഓണാക്കുക | VDD=15V, വിGEN=10V, ആർG=3.3Ω, ഐD=20A ,RL=15Ω. | --- | 18.5 | --- | ns |
| Tr | ഉദയ സമയം | --- | 9 | --- | ||
| ടിഡി(ഓഫ്) | ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസം സമയം | --- | 58.5 | --- | ||
| Tf | വീഴ്ച സമയം | --- | 32 | --- | ||
| Ciss | ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് | VDS=20V, വിGS=0V, f=1MHz | --- | 3972 | --- | pF |
| കോസ് | ഔട്ട്പുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് | --- | 1119 | --- | ||
| Crss | റിവേഴ്സ് ട്രാൻസ്ഫർ കപ്പാസിറ്റൻസ് | --- | 82 | --- |
