WSD60N12GDN56 N-ചാനൽ 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

ഹ്രസ്വ വിവരണം:

ഭാഗം നമ്പർ:WSD60N12GDN56

BVDSS:120V

ഐഡി:70 എ

RDSON:10mΩ

ചാനൽ:എൻ-ചാനൽ

പാക്കേജ്:DFN5X6-8

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക PDF

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

അപേക്ഷ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

WINSOK MOSFET ഉൽപ്പന്ന അവലോകനം

WSD60N12GDN56 MOSFET ൻ്റെ വോൾട്ടേജ് 120V ആണ്, കറൻ്റ് 70A ആണ്, പ്രതിരോധം 10mΩ ആണ്, ചാനൽ N-ചാനൽ ആണ്, പാക്കേജ് DFN5X6-8 ആണ്.

WINSOK MOSFET ആപ്ലിക്കേഷൻ ഏരിയകൾ

മെഡിക്കൽ ഉപകരണങ്ങൾ MOSFET, ഡ്രോണുകൾ MOSFET, PD പവർ സപ്ലൈസ് MOSFET, LED പവർ സപ്ലൈസ് MOSFET, വ്യാവസായിക ഉപകരണങ്ങൾ MOSFET.

MOSFET ആപ്ലിക്കേഷൻ ഫീൽഡുകൾWINSOK MOSFET മറ്റ് ബ്രാൻഡ് മെറ്റീരിയൽ നമ്പറുകളുമായി യോജിക്കുന്നു

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.പോട്ടൻസ് സെമികണ്ടക്ടർ MOSFET PDC974X.

MOSFET പാരാമീറ്ററുകൾ

ചിഹ്നം	പരാമീറ്റർ	റേറ്റിംഗ്	യൂണിറ്റുകൾ
വി.ഡി.എസ്	ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ്	120	V
വി.ജി.എസ്	ഗേറ്റ്-ഉറവിട വോൾട്ടേജ്	±20	V
I_D@T_C=25℃	തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്	70	A
ഐ.ഡി.പി	പൾസ്ഡ് ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്	150	A
EAS	അവലാഞ്ച് എനർജി, സിംഗിൾ പൾസ്	53.8	mJ
P_D@T_C=25℃	മൊത്തം പവർ ഡിസിപ്പേഷൻ	140	ഡബ്ല്യു
ടി.എസ്.ടി.ജി	സംഭരണ താപനില പരിധി	-55 മുതൽ 150 വരെ	℃
T_J	ഓപ്പറേറ്റിംഗ് ജംഗ്ഷൻ താപനില പരിധി	-55 മുതൽ 150 വരെ	℃

ചിഹ്നം	പരാമീറ്റർ	വ്യവസ്ഥകൾ	മിനി.	ടൈപ്പ് ചെയ്യുക.	പരമാവധി.	യൂണിറ്റ്
BV_{ഡി.എസ്.എസ്}	ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ്	V_GS=0V, ഐ_D=250uA	120	---	---	V
	സ്റ്റാറ്റിക് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്	VGS=10V,ID=10A.	---	10	15	mΩ
RDS(ഓൺ)	സ്റ്റാറ്റിക് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്	VGS=4.5V,ID=10A.	---	18	25	mΩ
VGS(th)	ഗേറ്റ് ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ്	V_GS=V_DS, ഐ_D=250uA	1.2	---	2.5	V
ഐ.ഡി.എസ്.എസ്	ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ലീക്കേജ് കറൻ്റ്	V_DS=80V, വി_GS=0V, ടി_J=25℃	---	---	1	uA
ഐ.ജി.എസ്.എസ്	ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ലീക്കേജ് കറൻ്റ്	V_GS=±20V, വി_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	മൊത്തം ഗേറ്റ് ചാർജ് (10V)	V_DS=50V, വി_GS=10V, ഐ_D=25എ	---	33	---	nC
Q_gs	ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ചാർജ്		---	5.6	---
Q_gd	ഗേറ്റ്-ഡ്രെയിൻ ചാർജ്		---	7.2	---
Td(ഓൺ)	കാലതാമസ സമയം ഓണാക്കുക	V_DD=50V, വി_GS=10V, R_G=2Ω, ഐ_D=25എ	---	22	---	ns
T_r	എഴുന്നേൽക്കുന്ന സമയം		---	10	---
ടിഡി(ഓഫ്)	ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസം സമയം		---	85	---
T_f	വീഴ്ച സമയം		---	112	---
C_iss	ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ്	V_DS=50V, വി_GS=0V, f=1MHz	---	2640	---	pF
കോസ്	ഔട്ട്പുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ്		---	330	---
C_rss	റിവേഴ്സ് ട്രാൻസ്ഫർ കപ്പാസിറ്റൻസ്		---	11	---
I_S	തുടർച്ചയായ ഉറവിട കറൻ്റ്	V_G=V_D=0V , ഫോഴ്സ് കറൻ്റ്	---	---	50	A
ISP	പൾസ്ഡ് സോഴ്സ് കറൻ്റ്	V_G=V_D=0V , ഫോഴ്സ് കറൻ്റ്	---	---	150	A
വി.എസ്.ഡി	ഡയോഡ് ഫോർവേഡ് വോൾട്ടേജ്	V_GS=0V, ഐ_S=12എ, ടി_J=25℃	---	---	1.3	V
t_rr	റിവേഴ്സ് റിക്കവറി സമയം	IF=25A,dI/dt=100A/µs,T_J=25℃	---	62	---	nS
Q_rr	റിവേഴ്സ് റിക്കവറി ചാർജ്	IF=25A,dI/dt=100A/µs,T_J=25℃	---	135	---	nC