WSD80120DN56 N-ചാനൽ 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET ഉൽപ്പന്ന അവലോകനം
WSD80120DN56 MOSFET ന്റെ വോൾട്ടേജ് 85V ആണ്, കറന്റ് 120A ആണ്, പ്രതിരോധം 3.7mΩ ആണ്, ചാനൽ N-ചാനൽ ആണ്, പാക്കേജ് DFN5X6-8 ആണ്.
WINSOK MOSFET ആപ്ലിക്കേഷൻ ഏരിയകൾ
മെഡിക്കൽ വോൾട്ടേജ് MOSFET, ഫോട്ടോഗ്രാഫിക് ഉപകരണങ്ങൾ MOSFET, ഡ്രോണുകൾ MOSFET, വ്യവസായ നിയന്ത്രണം MOSFET, 5G MOSFET, ഓട്ടോമോട്ടീവ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് MOSFET.
WINSOK MOSFET മറ്റ് ബ്രാൻഡ് മെറ്റീരിയൽ നമ്പറുകളുമായി യോജിക്കുന്നു
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
MOSFET പാരാമീറ്ററുകൾ
| ചിഹ്നം | പരാമീറ്റർ | റേറ്റിംഗ് | യൂണിറ്റുകൾ |
| വി.ഡി.എസ് | ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ് | 85 | V |
| വി.ജി.എസ് | ഗേറ്റ്-സൗrce വോൾട്ടേജ് | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറന്റ്, വിGS@ 10V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറന്റ്, വിGS@ 10V | 96 | A |
| IDM | പൾസ്ഡ് ഡ്രെയിൻ കറന്റ്..TC=25°C | 384 | A |
| EAS | അവലാഞ്ച് എനർജി, സിംഗിൾ പൾസ്,L=0.5mH | 320 | mJ |
| ഐ.എ.എസ് | അവലാഞ്ച് കറന്റ്, സിംഗിൾ പൾസ്,L=0.5mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | മൊത്തം പവർ ഡിസിപ്പേഷൻ | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | മൊത്തം പവർ ഡിസിപ്പേഷൻ | 53 | W |
| ടി.എസ്.ടി.ജി | സംഭരണ താപനില പരിധി | -55 മുതൽ 175 വരെ | ℃ |
| TJ | ഓപ്പറേറ്റിംഗ് ജംഗ്ഷൻ താപനില പരിധി | 175 | ℃ |
| ചിഹ്നം | പരാമീറ്റർ | വ്യവസ്ഥകൾ | മിനി. | ടൈപ്പ് ചെയ്യുക. | പരമാവധി. | യൂണിറ്റ് |
| BVഡി.എസ്.എസ് | ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ് | VGS=0V, ഐD=250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVഡി.എസ്.എസ്താപനില ഗുണകം | റഫറൻസ് 25℃, ഐD=1mA | --- | 0.096 | --- | V/℃ |
| RDS(ഓൺ) | സ്റ്റാറ്റിക് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് | VGS=10V,ID=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(th) | ഗേറ്റ് ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ് | VGS=VDS, ഐD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)താപനില ഗുണകം | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
| ഐ.ഡി.എസ്.എസ് | ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ലീക്കേജ് കറന്റ് | VDS=85V, വിGS=0V, ടിJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V, വിGS=0V, ടിJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| ഐ.ജി.എസ്.എസ് | ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ലീക്കേജ് കറന്റ് | VGS=±25V, വിDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | ഗേറ്റ് പ്രതിരോധം | VDS=0V, വിGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | മൊത്തം ഗേറ്റ് ചാർജ് (10V) | VDS=50V, വിGS=10V, ഐD=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ചാർജ് | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | ഗേറ്റ്-ഡ്രെയിൻ ചാർജ് | --- | 11 | --- | ||
| Td(ഓൺ) | കാലതാമസ സമയം ഓണാക്കുക | VDD=50V, വിGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | ഉദയ സമയം | --- | 18 | --- | ||
| ടിഡി(ഓഫ്) | ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസം സമയം | --- | 36 | --- | ||
| Tf | വീഴ്ച സമയം | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് | VDS=40V, വിGS=0V, f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| കോസ് | ഔട്ട്പുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് | --- | 395 | --- | ||
| Crss | റിവേഴ്സ് ട്രാൻസ്ഫർ കപ്പാസിറ്റൻസ് | --- | 180 | --- |
