• ഫേസ്ബുക്ക്
  • ലിങ്ക്ഡ്ഇൻ
  • ട്വിറ്റർ
  • youtube
  • instagram
Email:business@olukey.com
English
WSP4888 ഡ്യുവൽ N-ചാനൽ 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ

WSP4888 ഡ്യുവൽ N-ചാനൽ 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

WSP4888 Dual N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET ഫീച്ചർ ചെയ്ത ചിത്രം
  • WSP4888 ഡ്യുവൽ N-ചാനൽ 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

ഹ്രസ്വ വിവരണം:


  • മോഡൽ നമ്പർ:WSP4888
  • BVDSS:30V
  • RDSON:13.5mΩ
  • ഐഡി:9.8എ
  • ചാനൽ:ഡ്യുവൽ എൻ-ചാനൽ
  • പാക്കേജ്:SOP-8
  • ഉൽപ്പന്ന സംഗ്രഹം:WSP4888 MOSFET ൻ്റെ വോൾട്ടേജ് 30V ആണ്, കറൻ്റ് 9.8A ആണ്, പ്രതിരോധം 13.5mΩ ആണ്, ചാനൽ ഡ്യുവൽ N-ചാനൽ ആണ്, പാക്കേജ് SOP-8 ആണ്.
  • അപേക്ഷകൾ:ഇ-സിഗരറ്റുകൾ, വയർലെസ് ചാർജറുകൾ, എഞ്ചിനുകൾ, ഡ്രോണുകൾ, ആരോഗ്യ സംരക്ഷണം, കാർ ചാർജറുകൾ, നിയന്ത്രണങ്ങൾ, ഡിജിറ്റൽ ഉപകരണങ്ങൾ, ചെറിയ വീട്ടുപകരണങ്ങൾ, ഉപഭോക്താക്കൾക്കുള്ള ഇലക്ട്രോണിക്സ്.
    • PDF

    ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

    അപേക്ഷ

    ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

    പൊതുവായ വിവരണം

    സിൻക്രണസ് ബക്ക് കൺവെർട്ടറുകളിൽ ഉപയോഗിക്കുന്നതിന് അനുയോജ്യമായ, സാന്ദ്രമായ സെൽ ഘടനയുള്ള ഉയർന്ന പ്രവർത്തനക്ഷമതയുള്ള ട്രാൻസിസ്റ്ററാണ് WSP4888. ഇതിന് മികച്ച RDSON, ഗേറ്റ് ചാർജുകൾ എന്നിവയുണ്ട്, ഇത് ഈ ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്കുള്ള മികച്ച ചോയിസാക്കി മാറ്റുന്നു. കൂടാതെ, WSP4888 RoHS, ഗ്രീൻ പ്രൊഡക്‌റ്റ് ആവശ്യകതകൾ നിറവേറ്റുന്നു കൂടാതെ വിശ്വസനീയമായ പ്രവർത്തനത്തിന് 100% EAS ഗ്യാരണ്ടിയും നൽകുന്നു.

    ഫീച്ചറുകൾ

    അഡ്വാൻസ്ഡ് ട്രെഞ്ച് ടെക്നോളജിയിൽ ഉയർന്ന സെൽ ഡെൻസിറ്റിയും സൂപ്പർ ലോ ഗേറ്റ് ചാർജും ഉണ്ട്, ഇത് CdV/dt പ്രഭാവം ഗണ്യമായി കുറയ്ക്കുന്നു. ഞങ്ങളുടെ ഉപകരണങ്ങൾ 100% EAS ഗ്യാരണ്ടിയും പരിസ്ഥിതി സൗഹൃദ ഓപ്ഷനുകളുമായാണ് വരുന്നത്.

    ഞങ്ങളുടെ MOSFET-കൾ ഉയർന്ന വ്യവസായ നിലവാരം പുലർത്തുന്നുണ്ടെന്ന് ഉറപ്പാക്കാൻ കർശനമായ ഗുണനിലവാര നിയന്ത്രണ നടപടികൾക്ക് വിധേയമാകുന്നു. ഓരോ യൂണിറ്റും പ്രകടനം, ഈട്, വിശ്വാസ്യത എന്നിവയ്ക്കായി സമഗ്രമായി പരിശോധിക്കപ്പെടുന്നു, ഇത് ഒരു നീണ്ട ഉൽപ്പന്ന ആയുസ്സ് ഉറപ്പാക്കുന്നു. അതിൻ്റെ പരുക്കൻ രൂപകല്പന, തീവ്രമായ തൊഴിൽ സാഹചര്യങ്ങളെ നേരിടാൻ അതിനെ പ്രാപ്തമാക്കുന്നു, തടസ്സമില്ലാത്ത ഉപകരണങ്ങളുടെ പ്രവർത്തനക്ഷമത ഉറപ്പാക്കുന്നു.

    മത്സരാധിഷ്ഠിത വിലനിർണ്ണയം: മികച്ച ഗുണനിലവാരം ഉണ്ടായിരുന്നിട്ടും, ഞങ്ങളുടെ MOSFET-കൾക്ക് ഉയർന്ന മത്സരാധിഷ്ഠിത വിലയുണ്ട്, പ്രകടനത്തിൽ വിട്ടുവീഴ്ച ചെയ്യാതെ കാര്യമായ ചിലവ് ലാഭിക്കുന്നു. എല്ലാ ഉപഭോക്താക്കൾക്കും ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള ഉൽപ്പന്നങ്ങളിലേക്ക് പ്രവേശനം ഉണ്ടായിരിക്കണമെന്ന് ഞങ്ങൾ വിശ്വസിക്കുന്നു, ഞങ്ങളുടെ വിലനിർണ്ണയ തന്ത്രം ഈ പ്രതിബദ്ധതയെ പ്രതിഫലിപ്പിക്കുന്നു.

    വിശാലമായ അനുയോജ്യത: ഞങ്ങളുടെ MOSFET-കൾ വൈവിധ്യമാർന്ന ഇലക്ട്രോണിക് സിസ്റ്റങ്ങളുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്നു, ഇത് നിർമ്മാതാക്കൾക്കും അന്തിമ ഉപയോക്താക്കൾക്കും ഒരു വൈവിധ്യമാർന്ന തിരഞ്ഞെടുപ്പായി മാറുന്നു. ഇത് നിലവിലുള്ള സിസ്റ്റങ്ങളിലേക്ക് പരിധികളില്ലാതെ സംയോജിപ്പിക്കുന്നു, വലിയ ഡിസൈൻ പരിഷ്കാരങ്ങൾ ആവശ്യമില്ലാതെ മൊത്തത്തിലുള്ള പ്രകടനം വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നു.

    അപേക്ഷകൾ

    MB/NB/UMPC/VGA സിസ്റ്റങ്ങൾ, നെറ്റ്‌വർക്കിംഗ് DC-DC പവർ സിസ്റ്റങ്ങൾ, ലോഡ് സ്വിച്ചുകൾ, ഇ-സിഗരറ്റുകൾ, വയർലെസ് ചാർജറുകൾ, മോട്ടോറുകൾ, ഡ്രോണുകൾ, മെഡിക്കൽ ഉപകരണങ്ങൾ, കാർ ചാർജറുകൾ, കൺട്രോളറുകൾ എന്നിവയിൽ ഉപയോഗിക്കുന്നതിനുള്ള ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി പോയിൻ്റ്-ഓഫ്-ലോഡ് സിൻക്രണസ് ബക്ക് കൺവെർട്ടർ , ഡിജിറ്റൽ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ, ചെറുകിട വീട്ടുപകരണങ്ങൾ, ഉപഭോക്തൃ ഇലക്ട്രോണിക്സ്.

    അനുബന്ധ മെറ്റീരിയൽ നമ്പർ

    AOS AO4832 AO4838 AO4914,ON NTMS4916N,VishAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H

    പ്രധാനപ്പെട്ട പാരാമീറ്ററുകൾ

    ചിഹ്നം പരാമീറ്റർ റേറ്റിംഗ് യൂണിറ്റുകൾ
    വി.ഡി.എസ് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ് 30 V
    വി.ജി.എസ് ഗേറ്റ്-ഉറവിട വോൾട്ടേജ് ±20 V
    ID@TC=25℃ തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്, VGS @ 10V1 9.8 A
    ID@TC=70℃ തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്, VGS @ 10V1 8.0 A
    IDM പൾസ്ഡ് ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്2 45 A
    EAS സിംഗിൾ പൾസ് അവലാഞ്ച് എനർജി3 25 mJ
    ഐ.എ.എസ് അവലാഞ്ച് കറൻ്റ് 12 A
    PD@TA=25℃ മൊത്തം പവർ ഡിസിപ്പേഷൻ4 2.0 W
    ടി.എസ്.ടി.ജി സംഭരണ ​​താപനില പരിധി -55 മുതൽ 150 വരെ ℃
    TJ ഓപ്പറേറ്റിംഗ് ജംഗ്ഷൻ താപനില പരിധി -55 മുതൽ 150 വരെ ℃
    ചിഹ്നം പരാമീറ്റർ വ്യവസ്ഥകൾ മിനി. ടൈപ്പ് ചെയ്യുക. പരമാവധി. യൂണിറ്റ്
    ബി.വി.ഡി.എസ്.എസ് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ് VGS=0V , ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS താപനില ഗുണകം റഫറൻസ് 25℃ , ID=1mA --- 0.034 --- വി/℃
    RDS(ഓൺ) സ്റ്റാറ്റിക് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്2 VGS=10V, ID=8.5A --- 13.5 18 mΩ
           
        VGS=4.5V, ID=5A --- 18 25  
    VGS(th) ഗേറ്റ് ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ് VGS=VDS, ID =250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △VGS(th) VGS(th) താപനില ഗുണകം   --- -5.8 --- mV/℃
    ഐ.ഡി.എസ്.എസ് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ലീക്കേജ് കറൻ്റ് VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    ഐ.ജി.എസ്.എസ് ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ലീക്കേജ് കറൻ്റ് VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs ഫോർവേഡ് ട്രാൻസ്കണ്ടക്റ്റൻസ് VDS=5V, ID=8A --- 9 --- S
    Rg ഗേറ്റ് പ്രതിരോധം VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg മൊത്തം ഗേറ്റ് ചാർജ് (4.5V) VDS=15V, VGS=4.5V, ID=8.8A --- 6 8.4 nC
    ക്യുജിഎസ് ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ചാർജ് --- 1.5 ---
    Qgd ഗേറ്റ്-ഡ്രെയിൻ ചാർജ് --- 2.5 ---
    Td(ഓൺ) കാലതാമസ സമയം ഓണാക്കുക VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    		 --- 7.5 9.8 ns
    Tr എഴുന്നേൽക്കുന്ന സമയം --- 9.2 19
    ടിഡി(ഓഫ്) ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസം സമയം --- 19 34
    Tf വീഴ്ച സമയം --- 4.2 8
    സിസ് ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz --- 590 701 pF
    കോസ് ഔട്ട്പുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് --- 98 112
    Crss റിവേഴ്സ് ട്രാൻസ്ഫർ കപ്പാസിറ്റൻസ് --- 59 91
  • മുമ്പത്തെ:
  • അടുത്തത്:
    • നിങ്ങളുടെ സന്ദേശം ഇവിടെ എഴുതി ഞങ്ങൾക്ക് അയക്കുക

    ഉൽപ്പന്നംവിഭാഗങ്ങൾ

    തിരയാൻ എൻ്റർ അല്ലെങ്കിൽ അടയ്ക്കാൻ ESC അമർത്തുക