MOSFET ൻ്റെ കാര്യക്ഷമതയില്ലായ്മയുടെ കാരണങ്ങളുടെ വിശകലനം

1, വോൾട്ടേജ് പരാജയം പലപ്പോഴും മോസ്‌ഫെറ്റിൻ്റെ റേറ്റുചെയ്ത വോൾട്ടേജിനേക്കാൾ ബിവിഡിഎസ്എസ് വോൾട്ടേജിൻ്റെ ഉറവിടം തമ്മിലുള്ള ചോർച്ചയാണെന്ന് പറയപ്പെടുന്നു, കൂടാതെ മോസ്‌ഫെറ്റ് പരാജയത്തിലേക്ക് നയിക്കാനുള്ള ഒരു നിശ്ചിത കഴിവിനപ്പുറം.

2, മോസ്‌ഫെറ്റ് സേഫ് വർക്കിംഗ് റേഞ്ചിനേക്കാൾ കൂടുതലുള്ള നിലവിലെ പരാജയം, ഐഡിയായി വിഭജിച്ചിരിക്കുന്ന അസാധുവായത്, ഉപകരണത്തിൻ്റെ സവിശേഷതകളെ കവിയുന്നു, അതിൻ്റെ ഐഡി മൂലമുണ്ടാകുന്ന പരാജയം വളരെ വലുതും ഉയർന്ന തേയ്മാനവും നീണ്ടുനിൽക്കുന്ന താപ ശേഖരണത്തിന് കാരണമാകുന്നു. ഉപകരണവും പരാജയവും.

3, ബോഡി ഡയോഡ് നശിപ്പിക്കപ്പെടുകയും അസാധുവായതിനാൽ നിലവിലെ ടോപ്പോളജി നടപ്പിലാക്കുന്നതിനായി ബ്രിഡ്ജിൽ, എൽഎൽസിയും ബോഡി ഡയോഡിലേക്ക് മറ്റ് ഫലപ്രദവുമാണ്.

4, സമാന്തര ആപ്ലിക്കേഷൻ പ്രക്രിയയിൽ, ഏറ്റക്കുറച്ചിലുകളിലേക്ക് നയിക്കുന്ന സർക്യൂട്ട് പാരാസൈറ്റിക് പാരാമീറ്ററുകളുള്ള ഗേറ്റ് അനുരണന പരാജയത്തിന് കാരണമാകും.

5, വരണ്ട അന്തരീക്ഷത്തിൽ, കാരണം മനുഷ്യ ശരീരവും ഉപകരണങ്ങളും ഉപകരണം ഉൽപ്പാദിപ്പിക്കുന്ന സ്റ്റാറ്റിക് വൈദ്യുതിയും സ്റ്റാറ്റിക് ഫലപ്രദമല്ലാത്തതിലേക്ക് നയിക്കും.

6. ഗേറ്റിൽ അസാധാരണമായ പ്രവർത്തന വോൾട്ടേജ് പീക്ക് കാരണം ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് അസാധുവാണ്.

മുകളിൽ പറഞ്ഞിരിക്കുന്നത് അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ളതാണ്മോസ്ഫെറ്റ്പരാജയത്തിൻ്റെ കാരണങ്ങളുടെ വിശകലനം, ഞങ്ങൾ അനുബന്ധ പ്രോസസ്സിംഗ് പ്രവർത്തനങ്ങൾ നടത്തുന്നു, മറ്റ് പ്രശ്നങ്ങളുണ്ട്, ഞങ്ങളെ ഓൺലൈനിൽ ബന്ധപ്പെടാൻ സ്വാഗതം ചെയ്യുന്നു Guanhua Weiye കമ്പനി, നിങ്ങൾക്ക് ഫലപ്രദമായ ഉത്തരങ്ങളും ഗുണനിലവാരമുള്ള സേവന മനോഭാവവും നൽകാൻ കഴിയും.
ഒലുക്കികമ്പനിയുടെ ക്രെഡിറ്റ് അതിജീവനം, "ഗുണനിലവാരം ആദ്യം, സേവനം ആദ്യം" എന്ന ലക്ഷ്യവും സ്വദേശത്തും വിദേശത്തുമുള്ള നിരവധി ഹൈടെക് സംരംഭങ്ങൾ, ഒരു നല്ല പ്രവർത്തന ബന്ധം സ്ഥാപിക്കുന്നതിനുള്ള യഥാർത്ഥ ഫാക്ടറി, വിതരണത്തിൽ നിരവധി വർഷത്തെ പ്രൊഫഷണൽ അനുഭവം, നല്ല ക്രെഡിറ്റ്, മികച്ച സേവനം, വിശാലമായ വിശ്വാസത്തിലേക്കും പിന്തുണയിലേക്കും പ്രവേശനം.