MOSFET പരാജയത്തിൻ്റെ കാരണങ്ങളും പ്രതിരോധവും

ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് പരാജയം

അസാധാരണമായി ഉയർന്ന ഗ്രിഡ് വോൾട്ടേജുകൾക്ക് മൂന്ന് പ്രധാന കാരണങ്ങളുണ്ട്: ഉൽപ്പാദനം, ഗതാഗതം, അസംബ്ലി എന്നിവയ്ക്കിടയിലുള്ള സ്ഥിരമായ വൈദ്യുതി; പവർ സിസ്റ്റം ഓപ്പറേഷൻ സമയത്ത് ഉപകരണങ്ങളുടെയും സർക്യൂട്ടുകളുടെയും പരാന്നഭോജി പരാമീറ്ററുകൾ സൃഷ്ടിച്ച ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് അനുരണനം; ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് ഷോക്കുകളിൽ Ggd വഴി ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് ഗ്രിഡിലേക്ക് സംപ്രേക്ഷണം ചെയ്യുക (മിന്നൽ പണിമുടക്ക് പരിശോധനയ്ക്കിടെ ഏറ്റവും സാധാരണമായ ഒരു തകരാർ).

ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് തകരാറുകൾ തടയുന്നതിനുള്ള നടപടികൾ:

ഗേറ്റും ഉറവിടവും തമ്മിലുള്ള അമിത വോൾട്ടേജ് സംരക്ഷണം: ഗേറ്റും ഉറവിടവും തമ്മിലുള്ള പ്രതിരോധം വളരെ കൂടുതലാണെങ്കിൽ, ഗേറ്റും ഉറവിടവും തമ്മിലുള്ള വോൾട്ടേജിലെ പെട്ടെന്നുള്ള മാറ്റം ഇലക്‌ട്രോഡുകൾക്കിടയിലുള്ള കപ്പാസിറ്റൻസിലൂടെ ഗേറ്റുമായി സംയോജിപ്പിക്കുന്നു, ഇത് വളരെ ഉയർന്ന UGS വോൾട്ടേജ് ഓവർ-റെഗുലേഷന് കാരണമാകുന്നു. ഗേറ്റിൻ്റെ അമിത നിയന്ത്രണത്തിലേക്ക് നയിക്കുന്നു. സ്ഥിരമായ ഓക്സിഡേറ്റീവ് കേടുപാടുകൾ. UGS പോസിറ്റീവ് ക്ഷണികമായ വോൾട്ടേജിലാണെങ്കിൽ, ഉപകരണം പിശകുകൾക്ക് കാരണമായേക്കാം. ഈ അടിസ്ഥാനത്തിൽ, ഗേറ്റ് ഡ്രൈവ് സർക്യൂട്ടിൻ്റെ ഇംപെഡൻസ് ഉചിതമായി കുറയ്ക്കുകയും ഗേറ്റിനും ഉറവിടത്തിനും ഇടയിൽ ഒരു ഡാംപിംഗ് റെസിസ്റ്റർ അല്ലെങ്കിൽ 20V സ്റ്റെബിലൈസിംഗ് വോൾട്ടേജ് ബന്ധിപ്പിക്കുകയും വേണം. തുറന്ന വാതിൽ പ്രവർത്തനം തടയാൻ പ്രത്യേകം ശ്രദ്ധിക്കണം.

ഡിസ്ചാർജ് ട്യൂബുകൾക്കിടയിൽ അമിത വോൾട്ടേജ് സംരക്ഷണം: സർക്യൂട്ടിൽ ഒരു ഇൻഡക്‌ടർ ഉണ്ടെങ്കിൽ, യൂണിറ്റ് ഓഫ് ചെയ്യുമ്പോൾ ലീക്കേജ് കറൻ്റിലുള്ള (di/dt) പെട്ടെന്നുള്ള മാറ്റങ്ങൾ, വിതരണ വോൾട്ടേജിന് മുകളിലായി ചോർച്ച വോൾട്ടേജ് ഓവർഷൂട്ടുകൾക്ക് കാരണമാകും, ഇത് യൂണിറ്റിന് കേടുപാടുകൾ വരുത്തുന്നു. സംരക്ഷണത്തിൽ ഒരു സീനർ ക്ലാമ്പ്, ആർസി ക്ലാമ്പ് അല്ലെങ്കിൽ ആർസി സപ്രഷൻ സർക്യൂട്ട് എന്നിവ ഉൾപ്പെടുത്തണം.