MOSFET-കളുടെ ഗേറ്റ് കപ്പാസിറ്റൻസ്, ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്, മറ്റ് പാരാമീറ്ററുകൾ

I. ഗേറ്റ് കപ്പാസിറ്റൻസ്

ഗേറ്റ് കപ്പാസിറ്റൻസിൽ പ്രധാനമായും ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് (Ciss), ഔട്ട്പുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് (കോസ്), റിവേഴ്സ് ട്രാൻസ്ഫർ കപ്പാസിറ്റൻസ് (Crss, മില്ലർ കപ്പാസിറ്റൻസ് എന്നും അറിയപ്പെടുന്നു) എന്നിവ ഉൾപ്പെടുന്നു.

ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് (Ciss):

നിർവ്വചനം: ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് എന്നത് ഗേറ്റിനും ഉറവിടത്തിനും ഡ്രെയിനിനുമിടയിലുള്ള മൊത്തം കപ്പാസിറ്റൻസാണ്, കൂടാതെ ഗേറ്റ് സോഴ്സ് കപ്പാസിറ്റൻസും (Cgs) ഗേറ്റ് ഡ്രെയിൻ കപ്പാസിറ്റൻസും (Cgd) സമാന്തരമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു, അതായത് Ciss = Cgs + Cgd.

പ്രവർത്തനം: ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് MOSFET ൻ്റെ സ്വിച്ചിംഗ് വേഗതയെ ബാധിക്കുന്നു. ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് ഒരു ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജിലേക്ക് ചാർജ് ചെയ്യുമ്പോൾ, ഉപകരണം ഓണാക്കാനാകും; ഒരു നിശ്ചിത മൂല്യത്തിലേക്ക് ഡിസ്ചാർജ് ചെയ്താൽ, ഉപകരണം ഓഫാക്കാനാകും. അതിനാൽ, ഡ്രൈവിംഗ് സർക്യൂട്ടും സിസ്സും ഉപകരണത്തിൻ്റെ ടേൺ-ഓൺ, ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസത്തിൽ നേരിട്ട് സ്വാധീനം ചെലുത്തുന്നു.

ഔട്ട്പുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് (കോസ്):

നിർവ്വചനം: ഔട്ട്‌പുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് എന്നത് ഡ്രെയിനിനും ഉറവിടത്തിനും ഇടയിലുള്ള മൊത്തം കപ്പാസിറ്റൻസാണ്, കൂടാതെ ഡ്രെയിൻ-സോഴ്‌സ് കപ്പാസിറ്റൻസും (Cds) ഗേറ്റ്-ഡ്രെയിൻ കപ്പാസിറ്റൻസും (Cgd) സമാന്തരമായി അടങ്ങിയിരിക്കുന്നു, അതായത് Coss = Cds + Cgd.

റോൾ: സോഫ്റ്റ് സ്വിച്ചിംഗ് ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ, കോസ് വളരെ പ്രധാനമാണ്, കാരണം ഇത് സർക്യൂട്ടിൽ അനുരണനത്തിന് കാരണമാകാം.

റിവേഴ്സ് ട്രാൻസ്മിഷൻ കപ്പാസിറ്റൻസ് (Crss):

നിർവ്വചനം: റിവേഴ്സ് ട്രാൻസ്ഫർ കപ്പാസിറ്റൻസ് ഗേറ്റ് ഡ്രെയിൻ കപ്പാസിറ്റൻസിന് (സിജിഡി) തുല്യമാണ്, ഇതിനെ പലപ്പോഴും മില്ലർ കപ്പാസിറ്റൻസ് എന്ന് വിളിക്കുന്നു.

റോൾ: റിവേഴ്സ് ട്രാൻസ്ഫർ കപ്പാസിറ്റൻസ് സ്വിച്ചിൻ്റെ ഉയർച്ചയും താഴ്ചയും സമയത്തിനുള്ള ഒരു പ്രധാന പാരാമീറ്ററാണ്, ഇത് ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസ സമയത്തെയും ബാധിക്കുന്നു. ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ് വർദ്ധിക്കുന്നതിനനുസരിച്ച് കപ്പാസിറ്റൻസ് മൂല്യം കുറയുന്നു.

II. ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് (Rds(ഓൺ))

നിർവ്വചനം: ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് എന്നത് നിർദ്ദിഷ്ട വ്യവസ്ഥകളിൽ (ഉദാ, നിർദ്ദിഷ്ട ലീക്കേജ് കറൻ്റ്, ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ്, താപനില) ഓൺ-സ്റ്റേറ്റിൽ ഒരു MOSFET-ൻ്റെ ഉറവിടവും ചോർച്ചയും തമ്മിലുള്ള പ്രതിരോധമാണ്.

സ്വാധീനിക്കുന്ന ഘടകങ്ങൾ: ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് ഒരു നിശ്ചിത മൂല്യമല്ല, അത് താപനിലയെ ബാധിക്കുന്നു, ഉയർന്ന താപനില, Rds(ഓൺ) വർദ്ധിക്കുന്നു. കൂടാതെ, ഉയർന്ന പ്രതിരോധ വോൾട്ടേജ്, MOSFET ൻ്റെ ആന്തരിക ഘടന കട്ടിയാകുമ്പോൾ, അനുബന്ധ ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് കൂടുതലാണ്.

പ്രാധാന്യം: ഒരു സ്വിച്ചിംഗ് പവർ സപ്ലൈ അല്ലെങ്കിൽ ഡ്രൈവർ സർക്യൂട്ട് രൂപകൽപ്പന ചെയ്യുമ്പോൾ, MOSFET- ൻ്റെ പ്രതിരോധം പരിഗണിക്കേണ്ടത് ആവശ്യമാണ്, കാരണം MOSFET ലൂടെ ഒഴുകുന്ന വൈദ്യുതധാര ഈ പ്രതിരോധത്തിൽ ഊർജ്ജം ചെലവഴിക്കും, കൂടാതെ ഉപഭോഗ ഊർജ്ജത്തിൻ്റെ ഈ ഭാഗത്തെ വിളിക്കുന്നു- പ്രതിരോധം നഷ്ടം. കുറഞ്ഞ ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് ഉള്ള ഒരു MOSFET തിരഞ്ഞെടുക്കുന്നത് ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് നഷ്ടം കുറയ്ക്കും.

മൂന്നാമതായി, മറ്റ് പ്രധാന പാരാമീറ്ററുകൾ

ഗേറ്റ് കപ്പാസിറ്റൻസിനും ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസിനും പുറമേ, MOSFET ന് മറ്റ് ചില പ്രധാന പാരാമീറ്ററുകൾ ഉണ്ട്:

V(BR)DSS (ഡ്രെയിൻ സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ്):ഡ്രെയിനിലൂടെ ഒഴുകുന്ന വൈദ്യുതധാര ഒരു പ്രത്യേക ഊഷ്മാവിൽ ഒരു നിശ്ചിത മൂല്യത്തിൽ എത്തുകയും ഗേറ്റ് ഉറവിടം ഷോർട്ട് ചെയ്യുകയും ചെയ്യുന്ന ഡ്രെയിൻ ഉറവിട വോൾട്ടേജ്. ഈ മൂല്യത്തിന് മുകളിൽ, ട്യൂബ് കേടായേക്കാം.

VGS(th) (ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ്):ഉറവിടത്തിനും ഡ്രെയിനിനുമിടയിൽ ഒരു ചാലക ചാനൽ രൂപപ്പെടാൻ തുടങ്ങുന്നതിന് ആവശ്യമായ ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ്. സാധാരണ N-ചാനൽ MOSFET-കൾക്കായി, VT ഏകദേശം 3 മുതൽ 6V വരെയാണ്.

ഐഡി (പരമാവധി തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്):പരമാവധി റേറ്റുചെയ്ത ജംഗ്ഷൻ താപനിലയിൽ ചിപ്പ് അനുവദിക്കുന്ന പരമാവധി തുടർച്ചയായ ഡിസി കറൻ്റ്.

IDM (പരമാവധി പൾസ്ഡ് ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്):ഉപകരണത്തിന് കൈകാര്യം ചെയ്യാൻ കഴിയുന്ന പൾസ്ഡ് കറൻ്റ് ലെവലിനെ പ്രതിഫലിപ്പിക്കുന്നു, പൾസ്ഡ് കറൻ്റ് തുടർച്ചയായ ഡിസി കറൻ്റിനേക്കാൾ വളരെ കൂടുതലാണ്.

PD (പരമാവധി പവർ ഡിസ്പേഷൻ):ഉപകരണത്തിന് പരമാവധി വൈദ്യുതി ഉപഭോഗം ഇല്ലാതാക്കാൻ കഴിയും.

ചുരുക്കത്തിൽ, MOSFET-ൻ്റെ ഗേറ്റ് കപ്പാസിറ്റൻസ്, ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്, മറ്റ് പാരാമീറ്ററുകൾ എന്നിവ അതിൻ്റെ പ്രകടനത്തിനും പ്രയോഗത്തിനും നിർണായകമാണ്, കൂടാതെ നിർദ്ദിഷ്ട ആപ്ലിക്കേഷൻ സാഹചര്യങ്ങളും ആവശ്യകതകളും അനുസരിച്ച് തിരഞ്ഞെടുക്കുകയും രൂപകൽപ്പന ചെയ്യുകയും വേണം.