MOSFET ആൻ്റി റിവേഴ്സ് സർക്യൂട്ട്

ആദ്യം, MOSFET ആൻ്റി-റിവേഴ്സ് സർക്യൂട്ടിൻ്റെ അടിസ്ഥാന തത്വം

MOSFET-ൻ്റെ സ്വിച്ചിംഗ് സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ ഉപയോഗിച്ച് MOSFET ആൻ്റി-റിവേഴ്സ് സർക്യൂട്ട്, ഗേറ്റ് (G) വോൾട്ടേജ് നിയന്ത്രിക്കുന്നതിലൂടെ സർക്യൂട്ട് ഓണും ഓഫും തിരിച്ചറിയുന്നു. പവർ സപ്ലൈ പോളാരിറ്റി ശരിയാണെങ്കിൽ, ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് ചാലകാവസ്ഥയിൽ MOSFET ഉണ്ടാക്കുന്നു, കറൻ്റ് സാധാരണയായി ഒഴുകാം; പവർ സപ്ലൈ പോളാരിറ്റി റിവേഴ്സ് ചെയ്യുമ്പോൾ, ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജിന് MOSFET ചാലകം നടത്താൻ കഴിയില്ല, അങ്ങനെ സർക്യൂട്ട് ഛേദിക്കപ്പെടും.

രണ്ടാമതായി, MOSFET ആൻ്റി-റിവേഴ്സ് സർക്യൂട്ടിൻ്റെ പ്രത്യേക സാക്ഷാത്കാരം

1. എൻ-ചാനൽ MOSFET ആൻ്റി റിവേഴ്സ് സർക്യൂട്ട്

എൻ-ചാനൽ MOSFET-കൾ സാധാരണയായി ആൻ്റി-റിവേഴ്സ് സർക്യൂട്ടുകൾ തിരിച്ചറിയാൻ ഉപയോഗിക്കുന്നു. സർക്യൂട്ടിൽ, N-ചാനൽ MOSFET ൻ്റെ ഉറവിടം (S) ലോഡിൻ്റെ നെഗറ്റീവ് ടെർമിനലുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു, ഡ്രെയിൻ (D) വൈദ്യുതി വിതരണത്തിൻ്റെ പോസിറ്റീവ് ടെർമിനലുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു, കൂടാതെ ഗേറ്റ് (G) ബന്ധിപ്പിക്കുന്നു ഒരു റെസിസ്റ്ററിലൂടെയോ ഒരു കൺട്രോൾ സർക്യൂട്ട് വഴി നിയന്ത്രിക്കപ്പെടുന്നതോ ആയ പവർ സപ്ലൈയുടെ നെഗറ്റീവ് ടെർമിനൽ.

ഫോർവേഡ് കണക്ഷൻ: പവർ സപ്ലൈയുടെ പോസിറ്റീവ് ടെർമിനൽ D യുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു, കൂടാതെ നെഗറ്റീവ് ടെർമിനൽ S ലേക്ക് ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു. ഈ സമയത്ത്, റെസിസ്റ്റർ MOSFET ന് ഗേറ്റ് സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ് (VGS) നൽകുന്നു, കൂടാതെ VGS ത്രെഷോൾഡിനേക്കാൾ വലുതായിരിക്കുമ്പോൾ MOSFET ൻ്റെ വോൾട്ടേജ് (Vth), MOSFET നടത്തുന്നു, വൈദ്യുതി വിതരണത്തിൻ്റെ പോസിറ്റീവ് ടെർമിനലിൽ നിന്ന് MOSFET വഴിയുള്ള ലോഡിലേക്ക് കറൻ്റ് ഒഴുകുന്നു.

റിവേഴ്‌സ് ചെയ്യുമ്പോൾ: പവർ സപ്ലൈയുടെ പോസിറ്റീവ് ടെർമിനൽ എസ്-ലേക്ക് ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു, കൂടാതെ നെഗറ്റീവ് ടെർമിനൽ D-യുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു. ഈ സമയത്ത്, MOSFET ഒരു കട്ട്ഓഫ് അവസ്ഥയിലാണ്, ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് കാരണം കേടുപാടുകളിൽ നിന്ന് ലോഡ് സംരക്ഷിക്കാൻ സർക്യൂട്ട് വിച്ഛേദിക്കപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു. MOSFET നടത്തുന്നതിന് മതിയായ VGS രൂപീകരിക്കാൻ കഴിയില്ല (VGS 0-ൽ കുറവോ Vth-നേക്കാൾ വളരെ കുറവോ ആകാം).

2. സഹായ ഘടകങ്ങളുടെ പങ്ക്

റെസിസ്റ്റർ: MOSFET-ന് ഗേറ്റ് സോഴ്‌സ് വോൾട്ടേജ് നൽകാനും ഗേറ്റ് ഓവർകറൻ്റ് കേടുപാടുകൾ തടയാൻ ഗേറ്റ് കറൻ്റ് പരിമിതപ്പെടുത്താനും ഉപയോഗിക്കുന്നു.

വോൾട്ടേജ് റെഗുലേറ്റർ: ഗേറ്റ് സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ് വളരെ ഉയർന്നതും MOSFET തകർക്കുന്നതും തടയാൻ ഉപയോഗിക്കുന്ന ഒരു ഓപ്ഷണൽ ഘടകം.

പാരാസിറ്റിക് ഡയോഡ്: മോസ്ഫെറ്റിനുള്ളിൽ ഒരു പരാന്നഭോജി ഡയോഡ് (ബോഡി ഡയോഡ്) നിലവിലുണ്ട്, എന്നാൽ ആൻ്റി-റിവേഴ്സ് സർക്യൂട്ടുകളിൽ അതിൻ്റെ ദോഷകരമായ പ്രഭാവം ഒഴിവാക്കാൻ സർക്യൂട്ട് ഡിസൈൻ വഴി അതിൻ്റെ പ്രഭാവം സാധാരണയായി അവഗണിക്കുകയോ ഒഴിവാക്കുകയോ ചെയ്യുന്നു.

മൂന്നാമതായി, MOSFET ആൻ്റി-റിവേഴ്സ് സർക്യൂട്ടിൻ്റെ ഗുണങ്ങൾ

കുറഞ്ഞ നഷ്ടം: MOSFET ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് ചെറുതാണ്, ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് വോൾട്ടേജ് കുറയുന്നു, അതിനാൽ സർക്യൂട്ട് നഷ്ടം ചെറുതാണ്.

ഉയർന്ന വിശ്വാസ്യത: ഒരു ലളിതമായ സർക്യൂട്ട് ഡിസൈനിലൂടെ ആൻ്റി-റിവേഴ്സ് ഫംഗ്ഷൻ സാക്ഷാത്കരിക്കാനാകും, കൂടാതെ മോസ്ഫെറ്റിന് തന്നെ ഉയർന്ന വിശ്വാസ്യതയുണ്ട്.

ഫ്ലെക്സിബിലിറ്റി: വ്യത്യസ്ത ആപ്ലിക്കേഷൻ ആവശ്യകതകൾ നിറവേറ്റുന്നതിനായി വ്യത്യസ്ത MOSFET മോഡലുകളും സർക്യൂട്ട് ഡിസൈനുകളും തിരഞ്ഞെടുക്കാം.

മുൻകരുതലുകൾ

MOSFET ആൻ്റി-റിവേഴ്സ് സർക്യൂട്ടിൻ്റെ രൂപകൽപ്പനയിൽ, വോൾട്ടേജ്, കറൻ്റ്, സ്വിച്ചിംഗ് സ്പീഡ്, മറ്റ് പാരാമീറ്ററുകൾ എന്നിവയുൾപ്പെടെയുള്ള ആപ്ലിക്കേഷൻ ആവശ്യകതകൾ നിറവേറ്റുന്നതിനായി MOSFET- കളുടെ തിരഞ്ഞെടുപ്പ് ഉറപ്പാക്കേണ്ടതുണ്ട്.

സർക്യൂട്ട് പ്രകടനത്തെ പ്രതികൂലമായി ബാധിക്കാതിരിക്കാൻ, സർക്യൂട്ടിലെ മറ്റ് ഘടകങ്ങളായ പരാന്നഭോജി കപ്പാസിറ്റൻസ്, പരാന്നഭോജി ഇൻഡക്റ്റൻസ് മുതലായവയുടെ സ്വാധീനം പരിഗണിക്കേണ്ടത് ആവശ്യമാണ്.

പ്രായോഗിക പ്രയോഗങ്ങളിൽ, സർക്യൂട്ടിൻ്റെ സ്ഥിരതയും വിശ്വാസ്യതയും ഉറപ്പാക്കാൻ മതിയായ പരിശോധനയും പരിശോധനയും ആവശ്യമാണ്.

ചുരുക്കത്തിൽ, റിവേഴ്സ് പവർ പോളാരിറ്റി തടയേണ്ട വിവിധ ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്ന ലളിതവും വിശ്വസനീയവും കുറഞ്ഞതുമായ വൈദ്യുതി വിതരണ സംരക്ഷണ പദ്ധതിയാണ് MOSFET ആൻ്റി-റിവേഴ്സ് സർക്യൂട്ട്.