ഇലക്ട്രിക് വെഹിക്കിൾ കൺട്രോളറുകളിലെ MOSFET-കൾ

ഇലക്ട്രിക് വെഹിക്കിൾ കൺട്രോളറുകളിലെ MOSFET-കൾ

പോസ്റ്റ് സമയം: ഏപ്രിൽ-24-2024

1, ഇലക്ട്രിക് വാഹന കൺട്രോളറിൽ MOSFET ൻ്റെ പങ്ക്

ലളിതമായി പറഞ്ഞാൽ, മോട്ടോർ പ്രവർത്തിപ്പിക്കുന്നത് ൻ്റെ ഔട്ട്പുട്ട് കറൻ്റാണ്മോസ്ഫെറ്റ്, ഉയർന്ന ഔട്ട്പുട്ട് കറൻ്റ് (MOSFET കത്തുന്നതിൽ നിന്ന് തടയുന്നതിന്, കൺട്രോളറിന് നിലവിലെ പരിധി പരിരക്ഷയുണ്ട്), മോട്ടോർ ടോർക്ക് ശക്തമാണ്, ത്വരണം കൂടുതൽ ശക്തമാണ്.

 

2, MOSFET-ൻ്റെ പ്രവർത്തന നിലയുടെ നിയന്ത്രണ സർക്യൂട്ട്

ഓപ്പൺ പ്രോസസ്, ഓൺ സ്റ്റേറ്റിൽ, ഓഫ് പ്രോസസ്, കട്ട് ഓഫ് സ്റ്റേറ്റ്, ബ്രേക്ക്ഡൌൺ സ്റ്റേറ്റ്.

MOSFET ൻ്റെ പ്രധാന നഷ്ടങ്ങളിൽ സ്വിച്ചിംഗ് നഷ്ടങ്ങൾ (ഓൺ ആൻഡ് ഓഫ് പ്രോസസ്), ചാലക നഷ്ടങ്ങൾ, കട്ട്ഓഫ് നഷ്ടങ്ങൾ (ലീക്കേജ് കറൻ്റ് മൂലമുണ്ടാകുന്ന നഷ്ടം, അത് വളരെ നിസ്സാരമാണ്), ഹിമപാത ഊർജ്ജ നഷ്ടങ്ങൾ എന്നിവ ഉൾപ്പെടുന്നു. ഈ നഷ്ടങ്ങൾ MOSFET-ൻ്റെ സഹിക്കാവുന്ന പരിധിക്കുള്ളിൽ നിയന്ത്രിക്കുകയാണെങ്കിൽ, MOSFET ശരിയായി പ്രവർത്തിക്കും, അത് സഹിക്കാവുന്ന പരിധി കവിഞ്ഞാൽ, കേടുപാടുകൾ സംഭവിക്കും.

സ്വിച്ചിംഗ് നഷ്ടം പലപ്പോഴും ചാലക അവസ്ഥയെക്കാൾ കൂടുതലാണ്, പ്രത്യേകിച്ച് PWM പൂർണ്ണമായി തുറന്നിട്ടില്ല, പൾസ് വീതി മോഡുലേഷൻ അവസ്ഥയിൽ (ഇലക്ട്രിക് കാറിൻ്റെ സ്റ്റാർട്ട് ആക്സിലറേഷൻ അവസ്ഥയ്ക്ക് അനുസൃതമായി), ഏറ്റവും ഉയർന്ന വേഗതയുള്ള അവസ്ഥ പലപ്പോഴും ചാലക നഷ്ടമാണ്. ആധിപത്യം സ്ഥാപിച്ചു.

WINSOK DFN3.3X3.3-8L MOSFET

3, പ്രധാന കാരണങ്ങൾMOSകേടുപാടുകൾ

ഉയർന്ന ഊഷ്മാവ് കേടുപാടുകൾ മൂലമുണ്ടാകുന്ന ഓവർകറൻ്റ്, ഉയർന്ന വൈദ്യുതധാര (ജംഗ്ഷൻ താപനില മൂലമുണ്ടാകുന്ന സുസ്ഥിരമായ ഉയർന്ന വൈദ്യുതധാരയും തൽക്ഷണ ഉയർന്ന കറൻ്റ് പൾസുകളും ടോളറൻസ് മൂല്യത്തേക്കാൾ കൂടുതലാണ്); അമിത വോൾട്ടേജ്, സ്രോതസ്സ്-ഡ്രെയിനേജ് ലെവൽ ബ്രേക്ക്ഡൌൺ വോൾട്ടേജും ബ്രേക്ക്ഡൗണും കൂടുതലാണ്; ഗേറ്റ് തകരാർ, സാധാരണയായി ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജിന് അനുവദനീയമായ പരമാവധി വോൾട്ടേജിനേക്കാൾ കൂടുതൽ ബാഹ്യ അല്ലെങ്കിൽ ഡ്രൈവ് സർക്യൂട്ടിൽ കേടുപാടുകൾ സംഭവിക്കുന്നതിനാൽ (സാധാരണയായി ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് 20v-ൽ കുറവായിരിക്കണം), അതുപോലെ സ്ഥിരമായ വൈദ്യുതി തകരാറും.

 

4, MOSFET സ്വിച്ചിംഗ് തത്വം

MOSFET ഒരു വോൾട്ടേജ്-ഡ്രൈവ് ഉപകരണമാണ്, ഗേറ്റ് G ഉം സോഴ്സ് സ്റ്റേജ് S ഉം സോഴ്സ് സ്റ്റേജ് S, D എന്നിവയ്ക്കിടയിൽ അനുയോജ്യമായ വോൾട്ടേജ് നൽകുന്നിടത്തോളം, സോഴ്സ് സ്റ്റേജിന് ഇടയിൽ ഒരു ചാലക സർക്യൂട്ട് ഉണ്ടാക്കും. ഈ നിലവിലെ പാതയുടെ പ്രതിരോധം MOSFET ആന്തരിക പ്രതിരോധമായി മാറുന്നു, അതായത്, ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്. ഈ ആന്തരിക പ്രതിരോധത്തിൻ്റെ വലുപ്പം അടിസ്ഥാനപരമായി പരമാവധി ഓൺ-സ്റ്റേറ്റ് കറൻ്റ് നിർണ്ണയിക്കുന്നുമോസ്ഫെറ്റ്ചിപ്പ് നേരിടാൻ കഴിയും (തീർച്ചയായും, മറ്റ് ഘടകങ്ങളുമായി ബന്ധപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു, ഏറ്റവും പ്രസക്തമായത് താപ പ്രതിരോധമാണ്). ചെറിയ ആന്തരിക പ്രതിരോധം, വലിയ വൈദ്യുതധാര.

 


ബന്ധപ്പെട്ടഉള്ളടക്കം