MOSFET-കളുടെ സവിശേഷതകളും ഉപയോഗത്തിനുള്ള മുൻകരുതലുകളും

റിവേഴ്‌സ് പവർ സപ്ലൈ തടയാൻ പിന്നിൽ ഒരു ഡയോഡ് ചേർക്കുക എന്നതാണ് പൊതുവായ പരിഹാരം, എന്നാൽ ഡയോഡിൻ്റെ സവിശേഷതകൾ 0.6~1V ഫോർവേഡ് വോൾട്ടേജ് ഡ്രോപ്പിൻ്റെ ആവശ്യകത നിർണ്ണയിക്കുന്നു, ഇത് മാലിന്യത്തിന് കാരണമാകുമ്പോൾ ഉയർന്ന പ്രവാഹങ്ങളിൽ ഗുരുതരമായ താപം ഉൽപ്പാദിപ്പിക്കപ്പെടുന്നു. ഊർജ്ജത്തിൻ്റെ മൊത്തത്തിലുള്ള ഊർജ്ജ കാര്യക്ഷമത കുറയ്ക്കുന്നു. ഊർജ്ജ ദക്ഷത കൈവരിക്കുന്നതിന് MOSFET-ൻ്റെ കുറഞ്ഞ പ്രതിരോധശേഷി ഉപയോഗിച്ച് ഒരു ബാക്ക്-ടു-ബാക്ക് MOSFET കൂട്ടിച്ചേർക്കുക എന്നതാണ് മറ്റൊരു രീതി.

ചാലകത്തിന് ശേഷം, MOSFET ൻ്റെ നോൺ-ഡയറക്ഷണൽ, അതിനാൽ പ്രഷറൈസ്ഡ് ചാലകത്തിന് ശേഷം, ഇത് ഒരു വയർ ഉപയോഗിച്ച് തുല്യമാണ്, പ്രതിരോധം മാത്രം, ഓൺ-സ്റ്റേറ്റ് വോൾട്ടേജ് ഡ്രോപ്പ് ഇല്ല, സാധാരണയായി പൂരിത ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് കുറച്ച് മില്ലിയോം വരെ.സമയോചിതമായ മില്യൺസ്, കൂടാതെ നോൺ-ഡയറക്ഷണൽ, DC, AC പവർ കടന്നുപോകാൻ അനുവദിക്കുന്നു.

II. MOSFET-കളുടെ സവിശേഷതകൾ

1, MOSFET ഒരു വോൾട്ടേജ് നിയന്ത്രിത ഉപകരണമാണ്, ഉയർന്ന വൈദ്യുതധാരകൾ ഓടിക്കാൻ പ്രൊപ്പൽഷൻ ഘട്ടം ആവശ്യമില്ല;

2, ഉയർന്ന ഇൻപുട്ട് പ്രതിരോധം;

3, വിശാലമായ പ്രവർത്തന ആവൃത്തി ശ്രേണി, ഉയർന്ന സ്വിച്ചിംഗ് വേഗത, കുറഞ്ഞ നഷ്ടം

4, എസി സുഖപ്രദമായ ഉയർന്ന പ്രതിരോധം, കുറഞ്ഞ ശബ്ദം.

5,ഒന്നിലധികം സമാന്തര ഉപയോഗം, ഔട്ട്പുട്ട് കറൻ്റ് വർദ്ധിപ്പിക്കുക

രണ്ടാമതായി, മുൻകരുതലുകളുടെ പ്രക്രിയയിൽ MOSFET- കളുടെ ഉപയോഗം

1, MOSFET ൻ്റെ സുരക്ഷിതമായ ഉപയോഗം ഉറപ്പാക്കാൻ, ലൈൻ രൂപകൽപ്പനയിൽ, പൈപ്പ്ലൈൻ പവർ ഡിസ്പേഷൻ, പരമാവധി ലീക്കേജ് സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ്, ഗേറ്റ് സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ്, കറൻ്റ്, മറ്റ് പാരാമീറ്റർ പരിധി മൂല്യങ്ങൾ എന്നിവ കവിയാൻ പാടില്ല.

2, ഉപയോഗത്തിലുള്ള വിവിധ തരം MOSFET-കൾ നിർബന്ധമായുംകർശനമായി പ്രവേശിക്കുക MOSFET ഓഫ്‌സെറ്റിൻ്റെ ധ്രുവീകരണത്തിന് അനുസൃതമായി, സർക്യൂട്ടിലേക്കുള്ള ആവശ്യമായ ബയസ് ആക്‌സസ് അനുസരിച്ച്.