"MOSFET" എന്നത് മെറ്റൽ ഓക്സൈഡ് സെമികോഡക്റ്റർ ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്ററിൻ്റെ ചുരുക്കമാണ്. ലോഹം, ഓക്സൈഡ് (SiO2 അല്ലെങ്കിൽ SiN), അർദ്ധചാലകം എന്നീ മൂന്ന് വസ്തുക്കളാൽ നിർമ്മിച്ച ഉപകരണമാണിത്. അർദ്ധചാലക ഫീൽഡിലെ ഏറ്റവും അടിസ്ഥാന ഉപകരണങ്ങളിലൊന്നാണ് MOSFET. അത് ഐസി ഡിസൈനിലോ ബോർഡ് ലെവൽ സർക്യൂട്ട് ആപ്ലിക്കേഷനുകളിലോ ആകട്ടെ, അത് വളരെ വിപുലമാണ്. MOSFET-ൻ്റെ പ്രധാന പാരാമീറ്ററുകളിൽ ID, IDM, VGSS, V(BR)DSS, RDS(on), VGS(th) മുതലായവ ഉൾപ്പെടുന്നു. നിങ്ങൾക്ക് ഇവ അറിയാമോ? OLUKEY കമ്പനി, ഒരു വിൻസോക്ക് തായ്‌വാനീസ് മിഡ്-ടു-ഹൈ-എൻഡ് മീഡിയം, ലോ-വോൾട്ടേജ്മോസ്ഫെറ്റ്MOSFET-ൻ്റെ വിവിധ പാരാമീറ്ററുകൾ വിശദമായി നിങ്ങൾക്ക് വിശദീകരിക്കാൻ ഏജൻ്റ് സേവന ദാതാവിന് ഏകദേശം 20 വർഷത്തെ പരിചയമുള്ള ഒരു പ്രധാന ടീമുണ്ട്!
MOSFET പാരാമീറ്ററുകളുടെ അർത്ഥത്തിൻ്റെ വിവരണം
1. എക്സ്ട്രീം പാരാമീറ്ററുകൾ:
ഐഡി: പരമാവധി ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് കറൻ്റ്. ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ സാധാരണയായി പ്രവർത്തിക്കുമ്പോൾ ഡ്രെയിനിനും ഉറവിടത്തിനും ഇടയിൽ കടന്നുപോകാൻ അനുവദിക്കുന്ന പരമാവധി വൈദ്യുതധാരയെ ഇത് സൂചിപ്പിക്കുന്നു. ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്ററിൻ്റെ പ്രവർത്തന കറൻ്റ് ഐഡി കവിയാൻ പാടില്ല. ജംഗ്ഷൻ താപനില വർദ്ധിക്കുന്നതിനനുസരിച്ച് ഈ പരാമീറ്റർ കുറയുന്നു.
IDM: പരമാവധി പൾസ്ഡ് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് കറൻ്റ്. ജംഗ്ഷൻ താപനില വർദ്ധിക്കുന്നതിനനുസരിച്ച് ഈ പരാമീറ്റർ കുറയും, ഇത് ഒരു ആഘാത പ്രതിരോധത്തെ പ്രതിഫലിപ്പിക്കുകയും പൾസ് സമയവുമായി ബന്ധപ്പെട്ടതുമാണ്. ഈ പരാമീറ്റർ വളരെ ചെറുതാണെങ്കിൽ, OCP ടെസ്റ്റിംഗ് സമയത്ത് സിസ്റ്റം കറൻ്റ് വഴി തകരാൻ സാധ്യതയുണ്ട്.
PD: പരമാവധി വൈദ്യുതി വിതരണം ചെയ്തു. ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്ററിൻ്റെ പ്രകടനം മോശമാകാതെ അനുവദനീയമായ പരമാവധി ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് പവർ ഡിസ്പേഷനെ ഇത് സൂചിപ്പിക്കുന്നു. ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ, FET യുടെ യഥാർത്ഥ വൈദ്യുതി ഉപഭോഗം PDSM-നേക്കാൾ കുറവായിരിക്കണം കൂടാതെ ഒരു നിശ്ചിത മാർജിൻ വിടുകയും വേണം. ജംഗ്ഷൻ താപനില വർദ്ധിക്കുന്നതിനനുസരിച്ച് ഈ പരാമീറ്റർ സാധാരണയായി കുറയുന്നു
VDSS: പരമാവധി ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ് പ്രതിരോധം. ഒരു നിർദ്ദിഷ്ട താപനിലയിലും ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ടിലും ഒഴുകുന്ന ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് ഒരു പ്രത്യേക മൂല്യത്തിൽ (കുത്തനെ കുതിച്ചുയരുന്നു) എത്തുമ്പോൾ ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ്. ഈ കേസിലെ ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജിനെ അവലാഞ്ച് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ് എന്നും വിളിക്കുന്നു. VDSS-ന് പോസിറ്റീവ് താപനില ഗുണകം ഉണ്ട്. -50°C-ൽ, VDSS 25°C-ൽ അതിൻ്റെ ഏകദേശം 90% ആണ്. സാധാരണ ഉൽപ്പാദനത്തിൽ സാധാരണയായി അവശേഷിക്കുന്ന അലവൻസ് കാരണം, MOSFET ൻ്റെ അവലാഞ്ച് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ് എല്ലായ്പ്പോഴും നാമമാത്രമായ റേറ്റുചെയ്ത വോൾട്ടേജിനേക്കാൾ കൂടുതലാണ്.
ഒലുകെയ്ഊഷ്മള നുറുങ്ങുകൾ: ഉൽപ്പന്നത്തിൻ്റെ വിശ്വാസ്യത ഉറപ്പാക്കാൻ, ഏറ്റവും മോശം തൊഴിൽ സാഹചര്യങ്ങളിൽ, പ്രവർത്തന വോൾട്ടേജ് റേറ്റുചെയ്ത മൂല്യത്തിൻ്റെ 80 ~ 90% കവിയാൻ പാടില്ല എന്ന് ശുപാർശ ചെയ്യുന്നു.
VGSS: പരമാവധി ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ് പ്രതിരോധം. ഗേറ്റിനും ഉറവിടത്തിനും ഇടയിലുള്ള റിവേഴ്സ് കറൻ്റ് കുത്തനെ വർദ്ധിക്കാൻ തുടങ്ങുമ്പോൾ ഇത് VGS മൂല്യത്തെ സൂചിപ്പിക്കുന്നു. ഈ വോൾട്ടേജ് മൂല്യം കവിയുന്നത് ഗേറ്റ് ഓക്സൈഡ് പാളിയുടെ വൈദ്യുത തകർച്ചയ്ക്ക് കാരണമാകും, ഇത് വിനാശകരവും മാറ്റാനാവാത്തതുമായ തകർച്ചയാണ്.
TJ: പരമാവധി പ്രവർത്തന ജംഗ്ഷൻ താപനില. ഇത് സാധാരണയായി 150 ° അല്ലെങ്കിൽ 175 ° ആണ്. ഉപകരണ രൂപകൽപ്പനയുടെ പ്രവർത്തന സാഹചര്യങ്ങളിൽ, ഈ താപനില കവിയുന്നത് ഒഴിവാക്കുകയും ഒരു നിശ്ചിത മാർജിൻ വിടുകയും ചെയ്യേണ്ടത് ആവശ്യമാണ്.
TSTG: സംഭരണ താപനില പരിധി
ഈ രണ്ട് പാരാമീറ്ററുകൾ, TJ, TSTG, ഉപകരണത്തിൻ്റെ പ്രവർത്തന, സംഭരണ പരിസ്ഥിതി അനുവദിക്കുന്ന ജംഗ്ഷൻ താപനില പരിധി കാലിബ്രേറ്റ് ചെയ്യുന്നു. ഉപകരണത്തിൻ്റെ ഏറ്റവും കുറഞ്ഞ പ്രവർത്തന ജീവിത ആവശ്യകതകൾ നിറവേറ്റുന്നതിനാണ് ഈ താപനില പരിധി സജ്ജീകരിച്ചിരിക്കുന്നത്. ഈ താപനില പരിധിക്കുള്ളിൽ ഉപകരണം പ്രവർത്തിക്കുന്നുവെന്ന് ഉറപ്പാക്കിയാൽ, അതിൻ്റെ പ്രവർത്തന ആയുസ്സ് വളരെയധികം വർദ്ധിപ്പിക്കും.
2. സ്റ്റാറ്റിക് പാരാമീറ്ററുകൾ
MOSFET ടെസ്റ്റ് അവസ്ഥകൾ സാധാരണയായി 2.5V, 4.5V, 10V എന്നിവയാണ്.
V(BR)DSS: ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ്. ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ് VGS 0 ആയിരിക്കുമ്പോൾ ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്ററിന് താങ്ങാനാകുന്ന പരമാവധി ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജിനെ ഇത് സൂചിപ്പിക്കുന്നു. ഇതൊരു പരിമിതപ്പെടുത്തുന്ന പരാമീറ്ററാണ്, കൂടാതെ ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്ററിലേക്ക് പ്രയോഗിക്കുന്ന ഓപ്പറേറ്റിംഗ് വോൾട്ടേജ് V(BR) നേക്കാൾ കുറവായിരിക്കണം. ഡി.എസ്.എസ്. ഇതിന് പോസിറ്റീവ് താപനില സവിശേഷതകളുണ്ട്. അതിനാൽ, കുറഞ്ഞ താപനില സാഹചര്യങ്ങളിൽ ഈ പരാമീറ്ററിൻ്റെ മൂല്യം ഒരു സുരക്ഷാ പരിഗണനയായി എടുക്കണം.
△V(BR)DSS/△Tj: ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജിൻ്റെ താപനില ഗുണകം, സാധാരണയായി 0.1V/℃
RDS(ഓൺ): VGS (സാധാരണയായി 10V), ജംഗ്ഷൻ താപനിലയും ഡ്രെയിൻ കറൻ്റും, MOSFET ഓണായിരിക്കുമ്പോൾ ഡ്രെയിനിനും ഉറവിടത്തിനും ഇടയിലുള്ള പരമാവധി പ്രതിരോധം. MOSFET ഓണായിരിക്കുമ്പോൾ ഉപയോഗിക്കുന്ന വൈദ്യുതി നിർണ്ണയിക്കുന്ന വളരെ പ്രധാനപ്പെട്ട ഒരു പാരാമീറ്ററാണിത്. ജംഗ്ഷൻ താപനില വർദ്ധിക്കുന്നതിനനുസരിച്ച് ഈ പരാമീറ്റർ സാധാരണയായി വർദ്ധിക്കുന്നു. അതിനാൽ, ഏറ്റവും ഉയർന്ന പ്രവർത്തന ജംഗ്ഷൻ താപനിലയിൽ ഈ പരാമീറ്ററിൻ്റെ മൂല്യം നഷ്ടവും വോൾട്ടേജ് ഡ്രോപ്പും കണക്കുകൂട്ടാൻ ഉപയോഗിക്കണം.
VGS(th): ടേൺ-ഓൺ വോൾട്ടേജ് (ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ്). ബാഹ്യ ഗേറ്റ് കൺട്രോൾ വോൾട്ടേജ് VGS VGS (th) കവിയുമ്പോൾ, ഡ്രെയിനിൻ്റെയും ഉറവിട മേഖലകളുടെയും ഉപരിതല വിപരീത പാളികൾ ഒരു കണക്റ്റഡ് ചാനൽ ഉണ്ടാക്കുന്നു. ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ, ഡ്രെയിൻ ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് അവസ്ഥയിൽ ഐഡി 1 mA ന് തുല്യമാകുമ്പോൾ ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജിനെ പലപ്പോഴും ടേൺ-ഓൺ വോൾട്ടേജ് എന്ന് വിളിക്കുന്നു. ജംഗ്ഷൻ താപനില വർദ്ധിക്കുന്നതിനനുസരിച്ച് ഈ പരാമീറ്റർ സാധാരണയായി കുറയുന്നു
IDSS: പൂരിത ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് കറൻ്റ്, ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് VGS=0, VDS എന്നിവ ഒരു നിശ്ചിത മൂല്യമാകുമ്പോൾ ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് കറൻ്റ്. സാധാരണയായി മൈക്രോആമ്പ് തലത്തിൽ
IGSS: ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ഡ്രൈവ് കറൻ്റ് അല്ലെങ്കിൽ റിവേഴ്സ് കറൻ്റ്. MOSFET ഇൻപുട്ട് ഇംപെഡൻസ് വളരെ വലുതായതിനാൽ, IGSS സാധാരണയായി നാനോആംപ് തലത്തിലാണ്.
3. ഡൈനാമിക് പാരാമീറ്ററുകൾ
gfs: ട്രാൻസ്കണ്ടക്റ്റൻസ്. ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജിലെ മാറ്റത്തിലേക്കുള്ള ഡ്രെയിൻ ഔട്ട്പുട്ട് കറൻ്റിലെ മാറ്റത്തിൻ്റെ അനുപാതത്തെ ഇത് സൂചിപ്പിക്കുന്നു. ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് നിയന്ത്രിക്കാനുള്ള ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജിൻ്റെ കഴിവിൻ്റെ അളവുകോലാണ് ഇത്. gfs ഉം VGS ഉം തമ്മിലുള്ള കൈമാറ്റ ബന്ധത്തിനായി ദയവായി ചാർട്ട് നോക്കുക.
Qg: മൊത്തം ഗേറ്റ് ചാർജിംഗ് ശേഷി. MOSFET ഒരു വോൾട്ടേജ്-ടൈപ്പ് ഡ്രൈവിംഗ് ഉപകരണമാണ്. ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജിൻ്റെ സ്ഥാപന പ്രക്രിയയാണ് ഡ്രൈവിംഗ് പ്രക്രിയ. ഗേറ്റ് ഉറവിടത്തിനും ഗേറ്റ് ഡ്രെയിനിനും ഇടയിലുള്ള കപ്പാസിറ്റൻസ് ചാർജ് ചെയ്യുന്നതിലൂടെ ഇത് നേടാനാകും. ഈ വശം താഴെ വിശദമായി ചർച്ച ചെയ്യും.
Qgs: ഗേറ്റ് ഉറവിട ചാർജിംഗ് ശേഷി
Qgd: ഗേറ്റ്-ടു-ഡ്രെയിൻ ചാർജ് (മില്ലർ പ്രഭാവം കണക്കിലെടുത്ത്). MOSFET ഒരു വോൾട്ടേജ്-ടൈപ്പ് ഡ്രൈവിംഗ് ഉപകരണമാണ്. ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജിൻ്റെ സ്ഥാപന പ്രക്രിയയാണ് ഡ്രൈവിംഗ് പ്രക്രിയ. ഗേറ്റ് ഉറവിടത്തിനും ഗേറ്റ് ഡ്രെയിനിനും ഇടയിലുള്ള കപ്പാസിറ്റൻസ് ചാർജ് ചെയ്യുന്നതിലൂടെ ഇത് നേടാനാകും.
ടിഡി(ഓൺ): ചാലകത കാലതാമസം സമയം. ഇൻപുട്ട് വോൾട്ടേജ് 10% ആയി ഉയരുന്നത് മുതൽ VDS അതിൻ്റെ വ്യാപ്തിയുടെ 90% ആയി കുറയുന്നത് വരെയുള്ള സമയം
Tr: ഉയരുന്ന സമയം, ഔട്ട്പുട്ട് വോൾട്ടേജ് VDS അതിൻ്റെ വ്യാപ്തിയുടെ 90% മുതൽ 10% വരെ കുറയാനുള്ള സമയം
Td(ഓഫ്): ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസം സമയം, ഇൻപുട്ട് വോൾട്ടേജ് 90% ആയി കുറയുന്നത് മുതൽ VDS അതിൻ്റെ ടേൺ-ഓഫ് വോൾട്ടേജിൻ്റെ 10% ആയി ഉയരുന്നത് വരെയുള്ള സമയം
Tf: വീഴ്ച സമയം, ഔട്ട്പുട്ട് വോൾട്ടേജ് VDS അതിൻ്റെ വ്യാപ്തിയുടെ 10% മുതൽ 90% വരെ ഉയരുന്ന സമയം
സിസ്: ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ്, ഡ്രെയിനും ഉറവിടവും ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് ചെയ്യുക, കൂടാതെ ഗേറ്റിനും ഉറവിടത്തിനും ഇടയിലുള്ള കപ്പാസിറ്റൻസ് ഒരു എസി സിഗ്നൽ ഉപയോഗിച്ച് അളക്കുക. Ciss= CGD + CGS (CDS ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട്). ഉപകരണത്തിൻ്റെ ടേൺ-ഓൺ, ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസങ്ങളിൽ ഇത് നേരിട്ട് സ്വാധീനം ചെലുത്തുന്നു.
കോസ്: ഔട്ട്പുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ്, ഗേറ്റും ഉറവിടവും ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് ചെയ്യുക, എസി സിഗ്നൽ ഉപയോഗിച്ച് ഡ്രെയിനിനും ഉറവിടത്തിനും ഇടയിലുള്ള കപ്പാസിറ്റൻസ് അളക്കുക. കോസ് = CDS +CGD
Crss: റിവേഴ്സ് ട്രാൻസ്മിഷൻ കപ്പാസിറ്റൻസ്. ഉറവിടം ഭൂമിയുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നതിനാൽ, ഡ്രെയിനിനും ഗേറ്റിനും ഇടയിലുള്ള അളന്ന കപ്പാസിറ്റൻസ് Crss=CGD. സ്വിച്ചുകൾക്കുള്ള പ്രധാന പാരാമീറ്ററുകളിൽ ഒന്ന് ഉയർച്ചയും താഴ്ചയും സമയമാണ്. Crss=CGD
MOSFET-ൻ്റെ ഇൻ്റർ ഇലക്ട്രോഡ് കപ്പാസിറ്റൻസും MOSFET ഇൻഡ്യൂസ്ഡ് കപ്പാസിറ്റൻസും മിക്ക നിർമ്മാതാക്കളും ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ്, ഔട്ട്പുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ്, ഫീഡ്ബാക്ക് കപ്പാസിറ്റൻസ് എന്നിങ്ങനെ തിരിച്ചിരിക്കുന്നു. ഉദ്ധരിച്ച മൂല്യങ്ങൾ ഒരു നിശ്ചിത ഡ്രെയിൻ-ടു-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജിനുള്ളതാണ്. ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ് മാറുന്നതിനനുസരിച്ച് ഈ കപ്പാസിറ്റൻസുകൾ മാറുന്നു, കപ്പാസിറ്റൻസിൻ്റെ മൂല്യത്തിന് പരിമിതമായ ഫലമുണ്ട്. ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് മൂല്യം ഡ്രൈവർ സർക്യൂട്ടിന് ആവശ്യമായ ചാർജിംഗിൻ്റെ ഏകദേശ സൂചന മാത്രമേ നൽകുന്നുള്ളൂ, അതേസമയം ഗേറ്റ് ചാർജിംഗ് വിവരങ്ങൾ കൂടുതൽ ഉപയോഗപ്രദമാണ്. ഒരു നിർദ്ദിഷ്ട ഗേറ്റ്-ടു-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജിൽ എത്താൻ ഗേറ്റ് ചാർജ് ചെയ്യേണ്ട ഊർജ്ജത്തിൻ്റെ അളവ് ഇത് സൂചിപ്പിക്കുന്നു.
4. അവലാഞ്ച് ബ്രേക്ക്ഡൌൺ സ്വഭാവ പരാമീറ്ററുകൾ
ഓഫ് സ്റ്റേറ്റിലെ അമിത വോൾട്ടേജിനെ ചെറുക്കാനുള്ള MOSFET-ൻ്റെ കഴിവിൻ്റെ സൂചകമാണ് അവലാഞ്ച് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ സ്വഭാവ സവിശേഷത. വോൾട്ടേജ് ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് പരിധി വോൾട്ടേജ് കവിയുന്നുവെങ്കിൽ, ഉപകരണം ഒരു ഹിമപാതാവസ്ഥയിലായിരിക്കും.
EAS: സിംഗിൾ പൾസ് അവലാഞ്ച് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ എനർജി. ഇത് ഒരു പരിധി പരാമീറ്ററാണ്, MOSFET-ന് താങ്ങാനാകുന്ന പരമാവധി ഹിമപാത തകർച്ച ഊർജ്ജത്തെ സൂചിപ്പിക്കുന്നു.
IAR: ഹിമപാത പ്രവാഹം
ചെവി: ആവർത്തിച്ചുള്ള അവലാഞ്ച് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ എനർജി
5. വിവോ ഡയോഡ് പാരാമീറ്ററുകളിൽ
IS: തുടർച്ചയായ പരമാവധി ഫ്രീ വീലിംഗ് കറൻ്റ് (ഉറവിടത്തിൽ നിന്ന്)
ISM: പൾസ് പരമാവധി ഫ്രീ വീലിംഗ് കറൻ്റ് (ഉറവിടത്തിൽ നിന്ന്)
VSD: ഫോർവേഡ് വോൾട്ടേജ് ഡ്രോപ്പ്
Trr: റിവേഴ്സ് വീണ്ടെടുക്കൽ സമയം
Qrr: റിവേഴ്സ് ചാർജ് വീണ്ടെടുക്കൽ
ടൺ: ഫോർവേഡ് ചാലക സമയം. (അടിസ്ഥാനപരമായി നിസ്സാരം)
MOSFET ടേൺ-ഓൺ സമയവും ടേൺ-ഓഫ് സമയ നിർവചനവും
ആപ്ലിക്കേഷൻ പ്രക്രിയയിൽ, ഇനിപ്പറയുന്ന സവിശേഷതകൾ പലപ്പോഴും പരിഗണിക്കേണ്ടതുണ്ട്:
1. V (BR) DSS ൻ്റെ പോസിറ്റീവ് താപനില ഗുണക സവിശേഷതകൾ. ബൈപോളാർ ഉപകരണങ്ങളിൽ നിന്ന് വ്യത്യസ്തമായ ഈ സ്വഭാവം, സാധാരണ പ്രവർത്തന താപനില വർദ്ധിക്കുന്നതിനാൽ അവയെ കൂടുതൽ വിശ്വസനീയമാക്കുന്നു. എന്നാൽ താഴ്ന്ന താപനിലയിൽ തണുപ്പ് ആരംഭിക്കുമ്പോൾ അതിൻ്റെ വിശ്വാസ്യതയും നിങ്ങൾ ശ്രദ്ധിക്കേണ്ടതുണ്ട്.
2. V(GS)th ൻ്റെ നെഗറ്റീവ് താപനില ഗുണക സവിശേഷതകൾ. ജംഗ്ഷൻ താപനില കൂടുന്നതിനനുസരിച്ച് ഗേറ്റ് ത്രെഷോൾഡ് സാധ്യത ഒരു പരിധി വരെ കുറയും. ചില വികിരണങ്ങൾ ഈ ത്രെഷോൾഡ് പൊട്ടൻഷ്യൽ കുറയ്ക്കുകയും ചെയ്യും, ഒരുപക്ഷേ 0 പൊട്ടൻഷ്യലിൽ താഴെയാകാം. ഇത്തരം സാഹചര്യങ്ങളിൽ MOSFET-കളുടെ ഇടപെടലും തെറ്റായ ട്രിഗറിംഗും ശ്രദ്ധിക്കാൻ എഞ്ചിനീയർമാർ ആവശ്യപ്പെടുന്നു, പ്രത്യേകിച്ച് കുറഞ്ഞ പരിധി സാധ്യതയുള്ള MOSFET ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്ക്. ഈ സ്വഭാവം കാരണം, ഗേറ്റ് ഡ്രൈവറിൻ്റെ ഓഫ്-വോൾട്ടേജ് സാധ്യതകൾ ഒരു നെഗറ്റീവ് മൂല്യത്തിലേക്ക് (എൻ-ടൈപ്പ്, പി-ടൈപ്പ് മുതലായവ പരാമർശിച്ച്) ഇടപെടുന്നതും തെറ്റായ ട്രിഗറിംഗും ഒഴിവാക്കാൻ ചിലപ്പോൾ അത് ആവശ്യമാണ്.
3.VDSon/RDSo-യുടെ പോസിറ്റീവ് താപനില ഗുണക സവിശേഷതകൾ. ജംഗ്ഷൻ താപനില വർദ്ധിക്കുന്നതിനനുസരിച്ച് VDSon/RDSon ചെറുതായി വർദ്ധിക്കുന്നു എന്ന സവിശേഷത MOSFET-കൾ സമാന്തരമായി നേരിട്ട് ഉപയോഗിക്കുന്നത് സാധ്യമാക്കുന്നു. ബൈപോളാർ ഉപകരണങ്ങൾ ഇക്കാര്യത്തിൽ വിപരീതമാണ്, അതിനാൽ സമാന്തരമായി അവയുടെ ഉപയോഗം വളരെ സങ്കീർണമാകുന്നു. ID വർദ്ധിക്കുന്നതിനനുസരിച്ച് RDSon-ലും ചെറുതായി വർദ്ധിക്കും. ഈ സ്വഭാവവും ജംഗ്ഷൻ, ഉപരിതല RDSon എന്നിവയുടെ പോസിറ്റീവ് താപനില സവിശേഷതകളും ബൈപോളാർ ഉപകരണങ്ങൾ പോലെയുള്ള ദ്വിതീയ തകർച്ച ഒഴിവാക്കാൻ MOSFET-നെ പ്രാപ്തമാക്കുന്നു. എന്നിരുന്നാലും, ഈ സവിശേഷതയുടെ പ്രഭാവം വളരെ പരിമിതമാണെന്നത് ശ്രദ്ധിക്കേണ്ടതാണ്. സമാന്തരമായി, പുഷ്-പുൾ അല്ലെങ്കിൽ മറ്റ് ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ, ഈ സവിശേഷതയുടെ സ്വയം നിയന്ത്രണത്തിൽ നിങ്ങൾക്ക് പൂർണ്ണമായും ആശ്രയിക്കാൻ കഴിയില്ല. ചില അടിസ്ഥാന നടപടികൾ ഇനിയും ആവശ്യമാണ്. ഉയർന്ന ഊഷ്മാവിൽ ചാലക നഷ്ടം വലുതാകുമെന്നും ഈ സ്വഭാവം വിശദീകരിക്കുന്നു. അതിനാൽ, നഷ്ടം കണക്കാക്കുമ്പോൾ പാരാമീറ്ററുകൾ തിരഞ്ഞെടുക്കുന്നതിന് പ്രത്യേക ശ്രദ്ധ നൽകണം.
4. ID-യുടെ നെഗറ്റീവ് ടെമ്പറേച്ചർ കോഫിഫിഷ്യൻ്റ് സവിശേഷതകൾ, MOSFET പാരാമീറ്ററുകൾ മനസ്സിലാക്കൽ, അതിൻ്റെ പ്രധാന സവിശേഷതകൾ ID എന്നിവ ജംഗ്ഷൻ താപനില വർദ്ധിക്കുന്നതിനനുസരിച്ച് ഗണ്യമായി കുറയും. ഈ സ്വഭാവം ഡിസൈൻ സമയത്ത് ഉയർന്ന താപനിലയിൽ അതിൻ്റെ ഐഡി പാരാമീറ്ററുകൾ പരിഗണിക്കുന്നത് പലപ്പോഴും ആവശ്യമാണ്.
5. ഹിമപാത ശേഷി IER/EAS ൻ്റെ നെഗറ്റീവ് താപനില ഗുണക സവിശേഷതകൾ. ജംഗ്ഷൻ താപനില വർദ്ധിച്ചതിന് ശേഷം, MOSFET ന് ഒരു വലിയ V (BR) DSS ഉണ്ടായിരിക്കുമെങ്കിലും, EAS ഗണ്യമായി കുറയുമെന്ന് ശ്രദ്ധിക്കേണ്ടതാണ്. അതായത്, ഉയർന്ന താപനിലയിൽ ഹിമപാതങ്ങളെ ചെറുക്കാനുള്ള അതിൻ്റെ കഴിവ് സാധാരണ താപനിലയേക്കാൾ വളരെ ദുർബലമാണ്.
6. മോസ്ഫെറ്റിലെ പാരാസൈറ്റിക് ഡയോഡിൻ്റെ ചാലക ശേഷിയും റിവേഴ്സ് വീണ്ടെടുക്കൽ പ്രകടനവും സാധാരണ ഡയോഡുകളേക്കാൾ മികച്ചതല്ല. ഡിസൈനിലെ ലൂപ്പിലെ പ്രധാന കറൻ്റ് കാരിയർ ആയി ഇത് ഉപയോഗിക്കുമെന്ന് പ്രതീക്ഷിക്കുന്നില്ല. ശരീരത്തിലെ പരാന്നഭോജികളായ ഡയോഡുകളെ അസാധുവാക്കാൻ ബ്ലോക്കിംഗ് ഡയോഡുകൾ പലപ്പോഴും ശ്രേണിയിൽ ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു, കൂടാതെ ഒരു സർക്യൂട്ട് ഇലക്ട്രിക്കൽ കാരിയർ രൂപപ്പെടുത്തുന്നതിന് അധിക സമാന്തര ഡയോഡുകൾ ഉപയോഗിക്കുന്നു. എന്നിരുന്നാലും, ഹ്രസ്വകാല ചാലകതയുടെ കാര്യത്തിൽ അല്ലെങ്കിൽ സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ പോലുള്ള ചില ചെറിയ നിലവിലെ ആവശ്യകതകളുടെ കാര്യത്തിൽ ഇത് ഒരു കാരിയർ ആയി കണക്കാക്കാം.
7. ഡ്രെയിൻ പൊട്ടൻഷ്യലിൻ്റെ ദ്രുതഗതിയിലുള്ള വർദ്ധനവ് ഗേറ്റ് ഡ്രൈവിൻ്റെ വ്യാജ-ട്രിഗറിംഗിന് കാരണമായേക്കാം, അതിനാൽ വലിയ ഡിവിഡിഎസ്/ഡിടി ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ (ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി ഫാസ്റ്റ് സ്വിച്ചിംഗ് സർക്യൂട്ടുകൾ) ഈ സാധ്യത പരിഗണിക്കേണ്ടതുണ്ട്.
പോസ്റ്റ് സമയം: ഡിസംബർ-13-2023
