MOSFET-കൾ (മെറ്റൽ-ഓക്സൈഡ്-അർദ്ധചാലക ഫീൽഡ്-ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ) പലപ്പോഴും പൂർണ്ണമായും നിയന്ത്രിത ഉപകരണങ്ങളായി കണക്കാക്കപ്പെടുന്നു. കാരണം, MOSFET-ൻ്റെ പ്രവർത്തന നില (ഓൺ അല്ലെങ്കിൽ ഓഫ്) ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജാണ് (Vgs) പൂർണ്ണമായി നിയന്ത്രിക്കുന്നത്, ബൈപോളാർ ട്രാൻസിസ്റ്ററിൻ്റെ (BJT) കാര്യത്തിലെന്നപോലെ അടിസ്ഥാന വൈദ്യുതധാരയെ ആശ്രയിക്കുന്നില്ല.
ഒരു MOSFET-ൽ, ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് Vgs ഉറവിടത്തിനും ഡ്രെയിനിനുമിടയിൽ ഒരു ചാലക ചാനൽ രൂപപ്പെട്ടിട്ടുണ്ടോ എന്ന് നിർണ്ണയിക്കുന്നു, അതുപോലെ തന്നെ ചാലക ചാനലിൻ്റെ വീതിയും ചാലകതയും. Vgs ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ് Vt കവിയുമ്പോൾ, ചാലക ചാനൽ രൂപപ്പെടുകയും MOSFET ഓൺ-സ്റ്റേറ്റിലേക്ക് പ്രവേശിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു; Vgs Vt-ന് താഴെയാകുമ്പോൾ, ചാലക ചാനൽ അപ്രത്യക്ഷമാവുകയും MOSFET കട്ട്-ഓഫ് അവസ്ഥയിലാവുകയും ചെയ്യും. മറ്റ് കറൻ്റ് അല്ലെങ്കിൽ വോൾട്ടേജ് പാരാമീറ്ററുകളെ ആശ്രയിക്കാതെ ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജിന് സ്വതന്ത്രമായും കൃത്യമായും MOSFET ൻ്റെ പ്രവർത്തന നില നിയന്ത്രിക്കാൻ കഴിയുന്നതിനാൽ ഈ നിയന്ത്രണം പൂർണ്ണമായും നിയന്ത്രിക്കപ്പെടുന്നു.
ഇതിനു വിപരീതമായി, പകുതി നിയന്ത്രിത ഉപകരണങ്ങളുടെ (ഉദാ, തൈറിസ്റ്ററുകൾ) പ്രവർത്തന നിലയെ നിയന്ത്രണ വോൾട്ടേജ് അല്ലെങ്കിൽ കറൻ്റ് മാത്രമല്ല, മറ്റ് ഘടകങ്ങളും (ഉദാ, ആനോഡ് വോൾട്ടേജ്, കറൻ്റ് മുതലായവ) ബാധിക്കുന്നു. തൽഫലമായി, പൂർണ്ണമായി നിയന്ത്രിത ഉപകരണങ്ങൾ (ഉദാ, മോസ്ഫെറ്റുകൾ) സാധാരണയായി നിയന്ത്രണ കൃത്യതയിലും വഴക്കത്തിലും മികച്ച പ്രകടനം വാഗ്ദാനം ചെയ്യുന്നു.
ചുരുക്കത്തിൽ, MOSFET-കൾ പൂർണ്ണമായും നിയന്ത്രിത ഉപകരണങ്ങളാണ്, അവയുടെ പ്രവർത്തന നില പൂർണ്ണമായും ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജിനാൽ നിയന്ത്രിക്കപ്പെടുന്നു, കൂടാതെ ഉയർന്ന കൃത്യത, ഉയർന്ന വഴക്കം, കുറഞ്ഞ വൈദ്യുതി ഉപഭോഗം എന്നിവയുടെ ഗുണങ്ങളുമുണ്ട്.
പോസ്റ്റ് സമയം: സെപ്റ്റംബർ-20-2024
