ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ എന്ന് ചുരുക്കി പറയുന്നുമോസ്ഫെറ്റ്.രണ്ട് പ്രധാന തരങ്ങളുണ്ട്: ജംഗ്ഷൻ ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്യൂബുകളും മെറ്റൽ-ഓക്സൈഡ് അർദ്ധചാലക ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്യൂബുകളും. ചാലകതയിൽ ഉൾപ്പെട്ടിരിക്കുന്ന ഭൂരിഭാഗം കാരിയറുകളും ഉള്ള ഒരു യൂണിപോളാർ ട്രാൻസിസ്റ്റർ എന്നും MOSFET അറിയപ്പെടുന്നു. അവ വോൾട്ടേജ് നിയന്ത്രിത അർദ്ധചാലക ഉപകരണങ്ങളാണ്. ഉയർന്ന ഇൻപുട്ട് പ്രതിരോധം, കുറഞ്ഞ ശബ്‌ദം, കുറഞ്ഞ വൈദ്യുതി ഉപഭോഗം, മറ്റ് സവിശേഷതകൾ എന്നിവ കാരണം ഇത് ബൈപോളാർ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾക്കും പവർ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾക്കും ശക്തമായ എതിരാളിയാക്കുന്നു.
I. MOSFET-ൻ്റെ പ്രധാന പാരാമീറ്ററുകൾ
1, DC പാരാമീറ്ററുകൾ
ഗേറ്റും ഉറവിടവും തമ്മിലുള്ള വോൾട്ടേജ് പൂജ്യത്തിന് തുല്യവും ഡ്രെയിനിനും ഉറവിടത്തിനും ഇടയിലുള്ള വോൾട്ടേജ് പിഞ്ച്-ഓഫ് വോൾട്ടേജിനേക്കാൾ കൂടുതലായിരിക്കുമ്പോൾ ഉണ്ടാകുന്ന ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് ആയി സാച്ചുറേഷൻ ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് നിർവചിക്കാം.
പിഞ്ച്-ഓഫ് വോൾട്ടേജ് യുപി: യുഡിഎസ് ഉറപ്പായപ്പോൾ ഐഡിയെ ഒരു ചെറിയ കറൻ്റിലേക്ക് കുറയ്ക്കാൻ ആവശ്യമായ യുജിഎസ്;
ടേൺ-ഓൺ വോൾട്ടേജ് UT: UDS ഉറപ്പുള്ളപ്പോൾ ഐഡി ഒരു നിശ്ചിത മൂല്യത്തിലേക്ക് കൊണ്ടുവരാൻ UGS ആവശ്യമാണ്.
2, എസി പാരാമീറ്ററുകൾ
ലോ-ഫ്രീക്വൻസി ട്രാൻസ്കണ്ടക്റ്റൻസ് gm : ഡ്രെയിൻ കറൻ്റിലുള്ള ഗേറ്റിൻ്റെയും സോഴ്സ് വോൾട്ടേജിൻ്റെയും നിയന്ത്രണ ഫലത്തെ വിവരിക്കുന്നു.
ഇൻ്റർ-പോൾ കപ്പാസിറ്റൻസ്: MOSFET ൻ്റെ മൂന്ന് ഇലക്ട്രോഡുകൾ തമ്മിലുള്ള കപ്പാസിറ്റൻസ്, ചെറിയ മൂല്യം, മികച്ച പ്രകടനം.
3, പരിധി പരാമീറ്ററുകൾ
ഡ്രെയിൻ, സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ്: ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് കുത്തനെ ഉയരുമ്പോൾ, യുഡിഎസ് ആകുമ്പോൾ അത് ഹിമപാത തകർച്ച ഉണ്ടാക്കും.
ഗേറ്റ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ്: ജംഗ്ഷൻ ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്യൂബ് സാധാരണ പ്രവർത്തനം, റിവേഴ്‌സ് ബയസ് സ്റ്റേറ്റിലെ പിഎൻ ജംഗ്ഷന് ഇടയിലുള്ള ഗേറ്റും ഉറവിടവും, കറൻ്റ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ നിർമ്മിക്കാൻ കഴിയാത്തത്ര വലുതാണ്.
II. യുടെ സവിശേഷതകൾMOSFET-കൾ
MOSFET-ന് ഒരു ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ ഫംഗ്‌ഷൻ ഉണ്ട്, കൂടാതെ ഒരു ആംപ്ലിഫൈഡ് സർക്യൂട്ട് രൂപപ്പെടുത്താനും കഴിയും. ഒരു ട്രയോഡുമായി താരതമ്യപ്പെടുത്തുമ്പോൾ, ഇതിന് ഇനിപ്പറയുന്ന സവിശേഷതകൾ ഉണ്ട്.
(1) MOSFET ഒരു വോൾട്ടേജ് നിയന്ത്രിത ഉപകരണമാണ്, സാധ്യതകൾ നിയന്ത്രിക്കുന്നത് UGS ആണ്;
(2) MOSFET ൻ്റെ ഇൻപുട്ടിലെ കറൻ്റ് വളരെ ചെറുതാണ്, അതിനാൽ അതിൻ്റെ ഇൻപുട്ട് പ്രതിരോധം വളരെ ഉയർന്നതാണ്;
(3) അതിൻ്റെ താപനില സ്ഥിരത നല്ലതാണ്, കാരണം അത് ചാലകതയ്ക്കായി ഭൂരിഭാഗം കാരിയറുകളും ഉപയോഗിക്കുന്നു;
(4) അതിൻ്റെ ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ടിൻ്റെ വോൾട്ടേജ് ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ കോഫിഫിഷ്യൻ്റ് ഒരു ട്രയോഡിനേക്കാൾ ചെറുതാണ്;
(5) ഇത് റേഡിയേഷനെ കൂടുതൽ പ്രതിരോധിക്കും.
മൂന്നാമത്,മോസ്ഫെറ്റ് ഒപ്പം ട്രാൻസിസ്റ്റർ താരതമ്യവും
(1) MOSFET ഉറവിടം, ഗേറ്റ്, ഡ്രെയിൻ, ട്രയോഡ് ഉറവിടം, ബേസ്, സെറ്റ് പോയിൻ്റ് പോൾ എന്നിവ സമാനമായ റോളുമായി യോജിക്കുന്നു.
(2) MOSFET ഒരു വോൾട്ടേജ് നിയന്ത്രിത കറൻ്റ് ഉപകരണമാണ്, ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ കോഫിഫിഷ്യൻ്റ് ചെറുതാണ്, ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ കഴിവ് മോശമാണ്; ട്രയോഡ് ഒരു കറൻ്റ് നിയന്ത്രിത വോൾട്ടേജ് ഉപകരണമാണ്, ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ കഴിവ് ശക്തമാണ്.
(3) MOSFET ഗേറ്റ് അടിസ്ഥാനപരമായി കറൻ്റ് എടുക്കുന്നില്ല; കൂടാതെ ട്രയോഡ് വർക്ക്, അടിസ്ഥാനം ഒരു നിശ്ചിത കറൻ്റ് ആഗിരണം ചെയ്യും. അതിനാൽ, MOSFET ഗേറ്റ് ഇൻപുട്ട് പ്രതിരോധം ട്രയോഡ് ഇൻപുട്ട് പ്രതിരോധത്തേക്കാൾ കൂടുതലാണ്.
(4) മോസ്ഫെറ്റിൻ്റെ ചാലക പ്രക്രിയയ്ക്ക് പോളിട്രോണിൻ്റെ പങ്കാളിത്തമുണ്ട്, കൂടാതെ ട്രയോഡിന് പോളിട്രോൺ, ഒലിഗോട്രോൺ എന്നീ രണ്ട് തരം വാഹകരുടെ പങ്കാളിത്തമുണ്ട്, കൂടാതെ അതിൻ്റെ ഒലിഗോട്രോണിൻ്റെ സാന്ദ്രത താപനില, വികിരണം, മറ്റ് ഘടകങ്ങൾ എന്നിവയാൽ വളരെയധികം ബാധിക്കുന്നു, അതിനാൽ, മോസ്ഫെറ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്ററിനേക്കാൾ മികച്ച താപനില സ്ഥിരതയും റേഡിയേഷൻ പ്രതിരോധവും ഉണ്ട്. പാരിസ്ഥിതിക സാഹചര്യങ്ങൾ വളരെയധികം മാറുമ്പോൾ MOSFET തിരഞ്ഞെടുക്കണം.
(5) MOSFET സോഴ്സ് മെറ്റലിലേക്കും അടിവസ്ത്രത്തിലേക്കും ബന്ധിപ്പിക്കുമ്പോൾ, ഉറവിടവും ഡ്രെയിനേജും കൈമാറ്റം ചെയ്യപ്പെടും, കൂടാതെ സ്വഭാവസവിശേഷതകളിൽ വലിയ മാറ്റമുണ്ടാകില്ല, ട്രാൻസിസ്റ്ററിൻ്റെ കളക്ടറും എമിറ്ററും കൈമാറ്റം ചെയ്യുമ്പോൾ, സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ വ്യത്യസ്തവും β മൂല്യവുമാണ് കുറച്ചിരിക്കുന്നു.
(6) മോസ്ഫെറ്റിൻ്റെ നോയിസ് ഫിഗർ ചെറുതാണ്.
(7) മോസ്‌ഫെറ്റും ട്രയോഡും പലതരം ആംപ്ലിഫയർ സർക്യൂട്ടുകളും സ്വിച്ചിംഗ് സർക്യൂട്ടുകളും ഉൾക്കൊള്ളുന്നു, എന്നാൽ ആദ്യത്തേത് കുറഞ്ഞ പവർ, ഉയർന്ന താപ സ്ഥിരത, വിശാലമായ വിതരണ വോൾട്ടേജ് എന്നിവ ഉപയോഗിക്കുന്നു, അതിനാൽ ഇത് വലിയ തോതിലും അൾട്രാ ലാർജ്-ലും വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു. സ്കെയിൽ ഇൻ്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ടുകൾ.
(8) ട്രയോഡിൻ്റെ ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് വലുതാണ്, കൂടാതെ MOSFET-ൻ്റെ ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് ചെറുതാണ്, അതിനാൽ MOSFET-കൾ സാധാരണയായി ഉയർന്ന ദക്ഷതയുള്ള സ്വിച്ചുകളായാണ് ഉപയോഗിക്കുന്നത്.
പോസ്റ്റ് സമയം: മെയ്-16-2024
