ഇരുപതാം നൂറ്റാണ്ടിലെ ഏറ്റവും വലിയ കണ്ടുപിടുത്തം എന്ന് ട്രാൻസിസ്റ്ററിനെ വിളിക്കാമെങ്കിൽ, സംശയമില്ല.മോസ്ഫെറ്റ് അതിൽ വലിയൊരു ക്രെഡിറ്റ്. 1925, 1959-ൽ പ്രസിദ്ധീകരിച്ച MOSFET പേറ്റൻ്റുകളുടെ അടിസ്ഥാന തത്വങ്ങളെ അടിസ്ഥാനമാക്കി, ബെൽ ലാബ്സ് ഘടനാപരമായ രൂപകൽപ്പനയെ അടിസ്ഥാനമാക്കി MOSFET എന്ന തത്വം കണ്ടുപിടിച്ചു. ഇന്നുവരെ, വലുത് മുതൽ പവർ കൺവെർട്ടറുകൾ, ചെറിയ മെമ്മറി, സിപിയു, മറ്റ് ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളുടെ പ്രധാന ഘടകങ്ങൾ എന്നിവയൊന്നും MOSFET-ലേക്ക് ഉപയോഗിക്കുന്നില്ല. അതിനാൽ അടുത്തതായി MOSFET ൻ്റെ ഘടനയുടെ പ്രവർത്തനം ഞങ്ങൾ മനസ്സിലാക്കുന്നു! MOSFET-ൻ്റെ മുഴുവൻ പേര് മെറ്റൽ-ഓക്സൈഡ്-അർദ്ധചാലക ഫീൽഡ്-ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ എന്നാണ്.
1. MOSFET-കളുടെ അടിസ്ഥാന പ്രവർത്തനങ്ങൾ
MOSFET-നെ കുറിച്ചുള്ള അടിസ്ഥാന കീവേഡ് ഇതാണ് - അർദ്ധചാലകവും അർദ്ധചാലകവും ഒരുതരം ലോഹ പദാർത്ഥമാണ്, ഇതിന് വൈദ്യുത പ്രവാഹം നടത്താൻ കഴിയും, എന്നാൽ വാസ്തവത്തിൽ, ഇത് ഇൻസുലേറ്റ് ചെയ്യാനും കഴിയും. പ്രധാനമായും സർക്യൂട്ടിൻ്റെ രക്തചംക്രമണം ഉറപ്പാക്കാനും തടയുന്നതിൻ്റെ സർക്യൂട്ട് തിരിച്ചറിയാനും കഴിയും.
2. MOSFET കളുടെ അടിസ്ഥാന ഘടന
കുറഞ്ഞ ഗേറ്റ് ഡ്രൈവ് ശക്തിയും മികച്ച സ്വിച്ചിംഗ് വേഗതയും ശക്തമായ സമാന്തര പ്രവർത്തനവും കാരണം MOSFET വളരെ വൈവിധ്യമാർന്ന പവർ ഉപകരണമാണ്. പല പവർ MOSFET കൾക്കും ഒരു രേഖാംശ ലംബ ഘടനയുണ്ട്, വേഫറിൻ്റെ വിപരീത തലങ്ങളിൽ ഉറവിടവും ഡ്രെയിനേജും ഉണ്ട്, ഇത് വലിയ വൈദ്യുതധാരകൾ ഒഴുകാനും ഉയർന്ന വോൾട്ടേജുകൾ പ്രയോഗിക്കാനും അനുവദിക്കുന്നു.
3. MOSFET-കൾ പ്രധാനമായും രണ്ട് മേഖലകളിൽ മുഖ്യധാരാ പവർ ഉപകരണങ്ങളായി ഉപയോഗിക്കുന്നു
(1), 10kHz നും 70kHz നും ഇടയിലുള്ള പ്രവർത്തന ആവൃത്തിയുടെ ആവശ്യകതകൾ, ഫീൽഡിൽ ഔട്ട്‌പുട്ട് പവർ 5kw-ൽ കുറവായിരിക്കുമ്പോൾ, ഈ ഫീൽഡിലെ ഭൂരിഭാഗം കേസുകളിലും, IGBT ഉം പവറും ആണെങ്കിലുംMOSFET-കൾ അനുയോജ്യമായ പ്രവർത്തനം കൈവരിക്കാൻ കഴിയും, എന്നാൽ പവർ MOSFET-കൾ ഏറ്റവും കുറഞ്ഞ സ്വിച്ചിംഗ് നഷ്ടം, ചെറിയ വലിപ്പം, താരതമ്യേന കുറഞ്ഞ ചിലവ് എന്നിവയെ ആശ്രയിക്കുന്നു.
(2), ഓപ്പറേറ്റിംഗ് ഫ്രീക്വൻസിയുടെ ആവശ്യകതകൾ മറ്റ് പവർ ഉപകരണങ്ങൾക്ക് നേടാനാകുന്ന ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസിയേക്കാൾ കൂടുതലാണ്, നിലവിലെ പരമാവധി ആവൃത്തി പ്രധാനമായും 70kHz ആണ്, ഈ മേഖലയിൽ പവർമോസ്ഫെറ്റ് ഇൻവെർട്ടറുകൾ, ഓഡിയോ ഉപകരണങ്ങൾ തുടങ്ങിയവയാണ് പ്രാതിനിധ്യ ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ.
പോസ്റ്റ് സമയം: മെയ്-18-2024
