MOSFET- ൻ്റെ ഉപയോഗങ്ങൾ എന്തൊക്കെയാണ്?

MOSFET-കൾവ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കപ്പെടുന്നു. ഇപ്പോൾ ചില വലിയ തോതിലുള്ള ഇൻ്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ടുകൾ MOSFET ഉപയോഗിക്കുന്നു, അടിസ്ഥാന പ്രവർത്തനവും BJT ട്രാൻസിസ്റ്ററും സ്വിച്ചിംഗും ആംപ്ലിഫിക്കേഷനുമാണ്. അടിസ്ഥാനപരമായി BJT ട്രയോഡ് ഉപയോഗിക്കാൻ കഴിയുന്നിടത്ത് ഉപയോഗിക്കാം, ചില സ്ഥലങ്ങളിൽ ട്രയോഡിനേക്കാൾ മികച്ച പ്രകടനം കാഴ്ചവയ്ക്കുന്നു.

 

MOSFET ൻ്റെ ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ

MOSFET, BJT ട്രയോഡ്, അർദ്ധചാലക ആംപ്ലിഫയർ ഉപകരണം ആണെങ്കിലും, ഉയർന്ന ഇൻപുട്ട് പ്രതിരോധം പോലെയുള്ള ട്രയോഡിനേക്കാൾ കൂടുതൽ ഗുണങ്ങൾ, സിഗ്നൽ ഉറവിടം ഏതാണ്ട് കറൻ്റ് ഇല്ല, ഇത് ഇൻപുട്ട് സിഗ്നലിൻ്റെ സ്ഥിരതയ്ക്ക് അനുകൂലമാണ്. ഇൻപുട്ട് സ്റ്റേജ് ആംപ്ലിഫയർ എന്ന നിലയിൽ ഇത് ഒരു അനുയോജ്യമായ ഉപകരണമാണ്, കൂടാതെ കുറഞ്ഞ ശബ്ദവും നല്ല താപനില സ്ഥിരതയും ഉള്ള ഗുണങ്ങളുമുണ്ട്. ഓഡിയോ ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ടുകൾക്കുള്ള ഒരു പ്രീആംപ്ലിഫയറായി ഇത് പലപ്പോഴും ഉപയോഗിക്കുന്നു. എന്നിരുന്നാലും, ഇതൊരു വോൾട്ടേജ് നിയന്ത്രിത കറൻ്റ് ഉപകരണമായതിനാൽ, ഗേറ്റ് ഉറവിടം തമ്മിലുള്ള വോൾട്ടേജാണ് ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് നിയന്ത്രിക്കുന്നത്, ലോ-ഫ്രീക്വൻസി ട്രാൻസ്‌കണ്ടക്റ്റൻസിൻ്റെ ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ കോഫിഫിഷ്യൻ്റ് പൊതുവെ വലുതല്ല, അതിനാൽ ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ കഴിവ് മോശമാണ്.

 

MOSFET-ൻ്റെ സ്വിച്ചിംഗ് പ്രഭാവം

MOSFET ഒരു ഇലക്ട്രോണിക് സ്വിച്ച് ആയി ഉപയോഗിക്കുന്നു, പോളിയോൺ ചാലകതയെ മാത്രം ആശ്രയിക്കുന്നതിനാൽ, അടിസ്ഥാന കറൻ്റും ചാർജ് സ്റ്റോറേജ് ഇഫക്റ്റും കാരണം BJT ട്രയോഡ് പോലെയൊന്നുമില്ല, അതിനാൽ ഒരു സ്വിച്ചിംഗ് ട്യൂബ് എന്ന നിലയിൽ MOSFET ൻ്റെ സ്വിച്ചിംഗ് വേഗത ട്രയോഡിനേക്കാൾ വേഗതയുള്ളതാണ്. ജോലിയുടെ ഉയർന്ന ആവൃത്തിയിലുള്ള ഉയർന്ന നിലവിലെ അവസ്ഥയിൽ MOSFET-ൽ ഉപയോഗിക്കുന്ന പവർ സപ്ലൈസ് മാറുന്നത് പോലെയുള്ള ഉയർന്ന ആവൃത്തിയിലുള്ള ഉയർന്ന-നിലവിലെ സന്ദർഭങ്ങളിൽ പലപ്പോഴും ഉപയോഗിക്കുന്നു. BJT ട്രയോഡ് സ്വിച്ചുകളുമായി താരതമ്യപ്പെടുത്തുമ്പോൾ, MOSFET സ്വിച്ചുകൾക്ക് ചെറിയ വോൾട്ടേജുകളിലും വൈദ്യുതധാരകളിലും പ്രവർത്തിക്കാൻ കഴിയും, കൂടാതെ സിലിക്കൺ വേഫറുകളിൽ സംയോജിപ്പിക്കാൻ എളുപ്പമാണ്, അതിനാൽ അവ വലിയ തോതിലുള്ള ഇൻ്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ടുകളിൽ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.

ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ എന്തൊക്കെ മുൻകരുതലുകൾ എടുക്കണംMOSFET-കൾ?

MOSFET-കൾ ട്രയോഡുകളേക്കാൾ അതിലോലമായവയാണ്, അവ തെറ്റായ ഉപയോഗത്താൽ എളുപ്പത്തിൽ കേടുവരുത്തും, അതിനാൽ അവ ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ പ്രത്യേകം ശ്രദ്ധിക്കണം.

(1) വ്യത്യസ്ത ഉപയോഗ അവസരങ്ങളിൽ ഉചിതമായ തരം MOSFET തിരഞ്ഞെടുക്കേണ്ടത് ആവശ്യമാണ്.

(2) MOSFET-കൾക്ക്, പ്രത്യേകിച്ച് ഇൻസുലേറ്റഡ്-ഗേറ്റ് MOSFET-കൾക്ക് ഉയർന്ന ഇൻപുട്ട് ഇംപെഡൻസ് ഉണ്ട്, ഗേറ്റ് ഇൻഡക്‌ടൻസ് ചാർജ് കാരണം ട്യൂബിന് കേടുപാടുകൾ സംഭവിക്കാതിരിക്കാൻ ഉപയോഗത്തിലില്ലാത്തപ്പോൾ ഓരോ ഇലക്‌ട്രോഡിലേക്കും ചുരുക്കണം.

(3) ജംഗ്ഷൻ MOSFET-കളുടെ ഗേറ്റ് സോഴ്‌സ് വോൾട്ടേജ് റിവേഴ്‌സ് ചെയ്യാൻ കഴിയില്ല, പക്ഷേ ഓപ്പൺ സർക്യൂട്ട് അവസ്ഥയിൽ സംരക്ഷിക്കാനാകും.

(4) MOSFET ൻ്റെ ഉയർന്ന ഇൻപുട്ട് ഇംപെഡൻസ് നിലനിർത്തുന്നതിന്, ട്യൂബ് ഈർപ്പത്തിൽ നിന്ന് സംരക്ഷിക്കുകയും ഉപയോഗ പരിതസ്ഥിതിയിൽ വരണ്ടതാക്കുകയും വേണം.

(5) ട്യൂബിന് കേടുപാടുകൾ സംഭവിക്കാതിരിക്കാൻ MOSFET-യുമായി സമ്പർക്കം പുലർത്തുന്ന ചാർജ്ജ് ചെയ്ത വസ്തുക്കൾ (സോളിഡിംഗ് ഇരുമ്പ്, ടെസ്റ്റ് ഉപകരണങ്ങൾ മുതലായവ) ഗ്രൗണ്ട് ചെയ്യേണ്ടതുണ്ട്. പ്രത്യേകിച്ചും ഇൻസുലേറ്റഡ് ഗേറ്റ് MOSFET വെൽഡിംഗ് ചെയ്യുമ്പോൾ, സ്രോതസ്സ് അനുസരിച്ച് - വെൽഡിങ്ങിൻ്റെ ഗേറ്റ് സീക്വൻഷ്യൽ ഓർഡർ, പവർ ഓഫ് ചെയ്തതിന് ശേഷം വെൽഡ് ചെയ്യുന്നതാണ് നല്ലത്. സോളിഡിംഗ് ഇരുമ്പിൻ്റെ ശക്തി 15 ~ 30W ലേക്ക് ഉചിതമാണ്, ഒരു വെൽഡിംഗ് സമയം 10 ​​സെക്കൻഡിൽ കൂടരുത്.

(6) ഇൻസുലേറ്റഡ് ഗേറ്റ് MOSFET ഒരു മൾട്ടിമീറ്റർ ഉപയോഗിച്ച് പരീക്ഷിക്കാൻ കഴിയില്ല, ഒരു ടെസ്റ്റർ ഉപയോഗിച്ച് മാത്രമേ പരീക്ഷിക്കാൻ കഴിയൂ, കൂടാതെ ഇലക്ട്രോഡുകളുടെ ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് വയറിംഗ് നീക്കം ചെയ്യുന്നതിനായി ടെസ്റ്ററിലേക്ക് ആക്സസ് ചെയ്തതിന് ശേഷം മാത്രം. നീക്കം ചെയ്യുമ്പോൾ, ഗേറ്റ് ഓവർഹാംഗ് ഒഴിവാക്കാൻ നീക്കം ചെയ്യുന്നതിനുമുമ്പ് ഇലക്ട്രോഡുകൾ ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് ചെയ്യേണ്ടത് ആവശ്യമാണ്.

(7) ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾMOSFET-കൾസബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് ലീഡുകൾക്കൊപ്പം, സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് ലീഡുകൾ ശരിയായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കണം.