ഒലുക്കി: ഫാസ്റ്റ് ചാർജിംഗിൻ്റെ അടിസ്ഥാന വാസ്തുവിദ്യയിൽ മോസ്ഫെറ്റിൻ്റെ പങ്കിനെക്കുറിച്ച് നമുക്ക് സംസാരിക്കാം

ൻ്റെ അടിസ്ഥാന വൈദ്യുതി വിതരണ ഘടനഫാസ്റ്റ് ചാർജിംഗ്ക്യുസി ഫ്ലൈബാക്ക് + സെക്കൻഡറി സൈഡ് (സെക്കൻഡറി) സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ എസ്എസ്ആർ ഉപയോഗിക്കുന്നു. ഫ്ലൈബാക്ക് കൺവെർട്ടറുകൾക്ക്, ഫീഡ്ബാക്ക് സാമ്പിൾ രീതി അനുസരിച്ച്, അതിനെ വിഭജിക്കാം: പ്രാഥമിക വശം (പ്രാഥമിക) നിയന്ത്രണം, ദ്വിതീയ വശം (ദ്വിതീയ) നിയന്ത്രണം; PWM കൺട്രോളറിൻ്റെ സ്ഥാനം അനുസരിച്ച്. ഇതിനെ വിഭജിക്കാം: പ്രാഥമിക വശം (പ്രാഥമിക) നിയന്ത്രണം, ദ്വിതീയ വശം (ദ്വിതീയ) നിയന്ത്രണം. MOSFET മായി ഇതിന് ഒരു ബന്ധവുമില്ലെന്ന് തോന്നുന്നു. അതിനാൽ,ഒലുക്കിചോദിക്കേണ്ടതുണ്ട്: MOSFET എവിടെയാണ് മറച്ചിരിക്കുന്നത്? അത് എന്ത് പങ്ക് വഹിച്ചു?

1. പ്രാഥമിക വശം (പ്രാഥമിക) ക്രമീകരണം, ദ്വിതീയ വശം (ദ്വിതീയ) ക്രമീകരണം

ഇൻപുട്ട് വോൾട്ടേജിലെയും ഔട്ട്‌പുട്ട് ലോഡിലെയും മാറ്റങ്ങൾ ക്രമീകരിക്കുന്നതിന് ഔട്ട്‌പുട്ട് വോൾട്ടേജിൻ്റെ സ്ഥിരതയ്ക്ക് അതിൻ്റെ മാറുന്ന വിവരങ്ങൾ PWM പ്രധാന കൺട്രോളറിലേക്ക് അയയ്‌ക്കാൻ ഒരു ഫീഡ്‌ബാക്ക് ലിങ്ക് ആവശ്യമാണ്. വ്യത്യസ്ത ഫീഡ്ബാക്ക് സാമ്പിൾ രീതികൾ അനുസരിച്ച്, ചിത്രം 1, 2 എന്നിവയിൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ, ഇത് പ്രാഥമിക വശം (പ്രാഥമിക) ക്രമീകരണം, ദ്വിതീയ വശം (ദ്വിതീയ) ക്രമീകരണം എന്നിങ്ങനെ വിഭജിക്കാം.

SSR സിൻക്രണസ് തിരുത്തൽ MOSFET ചുവടെ സ്ഥാപിച്ചിരിക്കുന്നു

പ്രൈമറി സൈഡ് (പ്രൈമറി) റെഗുലേഷൻ്റെ ഫീഡ്ബാക്ക് സിഗ്നൽ നേരിട്ട് ഔട്ട്പുട്ട് വോൾട്ടേജിൽ നിന്നല്ല, മറിച്ച് ഓക്സിലറി വിൻഡിംഗിൽ നിന്നോ ഔട്ട്പുട്ട് വോൾട്ടേജുമായി ഒരു നിശ്ചിത ആനുപാതികമായ ബന്ധം നിലനിർത്തുന്ന പ്രാഥമിക പ്രാഥമിക വിൻഡിംഗിൽ നിന്നോ ആണ്. അതിൻ്റെ സവിശേഷതകൾ ഇവയാണ്:

① പരോക്ഷ ഫീഡ്ബാക്ക് രീതി, മോശം ലോഡ് നിയന്ത്രണ നിരക്ക്, മോശം കൃത്യത;

②. ലളിതവും കുറഞ്ഞ ചെലവും;

③. ഐസൊലേഷൻ ഒപ്‌റ്റോകപ്ലറിൻ്റെ ആവശ്യമില്ല.

സെക്കണ്ടറി സൈഡ് (സെക്കൻഡറി) റെഗുലേഷനുള്ള ഫീഡ്ബാക്ക് സിഗ്നൽ ഔട്ട്പുട്ട് വോൾട്ടേജിൽ നിന്ന് നേരിട്ട് ഒപ്റ്റോകപ്ലറും TL431 ഉം ഉപയോഗിച്ച് എടുക്കുന്നു. അതിൻ്റെ സവിശേഷതകൾ ഇവയാണ്:

① നേരിട്ടുള്ള ഫീഡ്ബാക്ക് രീതി, നല്ല ലോഡ് റെഗുലേഷൻ നിരക്ക്, ലീനിയർ റെഗുലേഷൻ നിരക്ക്, ഉയർന്ന കൃത്യത;

②. അഡ്ജസ്റ്റ്മെൻ്റ് സർക്യൂട്ട് സങ്കീർണ്ണവും ചെലവേറിയതുമാണ്;

③. കാലക്രമേണ പ്രായമാകൽ പ്രശ്നങ്ങളുള്ള ഒപ്റ്റോകപ്ലറിനെ ഒറ്റപ്പെടുത്തേണ്ടത് ആവശ്യമാണ്.

2. സെക്കണ്ടറി സൈഡ് (സെക്കൻഡറി) ഡയോഡ് തിരുത്തൽ കൂടാതെമോസ്ഫെറ്റ്സിൻക്രണസ് തിരുത്തൽ SSR

ഫാസ്റ്റ് ചാർജിംഗിൻ്റെ വലിയ ഔട്ട്പുട്ട് കറൻ്റ് കാരണം ഫ്ലൈബാക്ക് കൺവെർട്ടറിൻ്റെ ദ്വിതീയ വശം (സെക്കൻഡറി) സാധാരണയായി ഡയോഡ് തിരുത്തൽ ഉപയോഗിക്കുന്നു. പ്രത്യേകിച്ച് നേരിട്ടുള്ള ചാർജിംഗിനോ ഫ്ലാഷ് ചാർജിംഗിനോ, ഔട്ട്പുട്ട് കറൻ്റ് 5A വരെ ഉയർന്നതാണ്. കാര്യക്ഷമത മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിനായി, റക്റ്റിഫയറായി ഡയോഡിന് പകരം MOSFET ഉപയോഗിക്കുന്നു, ഇതിനെ ദ്വിതീയ (സെക്കൻഡറി) സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ SSR എന്ന് വിളിക്കുന്നു, ഇത് ചിത്രം 3, 4 എന്നിവയിൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നു.

സെക്കണ്ടറി സൈഡ് (സെക്കൻഡറി) MOSFET സിൻക്രണസ് തിരുത്തൽ

ദ്വിതീയ വശത്തിൻ്റെ (ദ്വിതീയ) ഡയോഡ് തിരുത്തലിൻ്റെ സവിശേഷതകൾ:

①. ലളിതം, അധിക ഡ്രൈവ് കൺട്രോളർ ആവശ്യമില്ല, ചെലവ് കുറവാണ്;

② ഔട്ട്പുട്ട് കറൻ്റ് വലുതായിരിക്കുമ്പോൾ, കാര്യക്ഷമത കുറവാണ്;

③. ഉയർന്ന വിശ്വാസ്യത.

ദ്വിതീയ വശത്തിൻ്റെ സവിശേഷതകൾ (ദ്വിതീയ) MOSFET സിൻക്രണസ് തിരുത്തൽ:

①. സങ്കീർണ്ണമായ, അധിക ഡ്രൈവ് കൺട്രോളറും ഉയർന്ന വിലയും ആവശ്യമാണ്;

②. ഔട്ട്പുട്ട് കറൻ്റ് വലുതായിരിക്കുമ്പോൾ, കാര്യക്ഷമത ഉയർന്നതാണ്;

③. ഡയോഡുകളുമായി താരതമ്യപ്പെടുത്തുമ്പോൾ, അവയുടെ വിശ്വാസ്യത കുറവാണ്.

പ്രായോഗിക പ്രയോഗങ്ങളിൽ, ചിത്രം 5-ൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ, സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ SSR-ൻ്റെ MOSFET സാധാരണയായി ഡ്രൈവിംഗ് സുഗമമാക്കുന്നതിന് ഉയർന്ന തലത്തിൽ നിന്ന് താഴ്ന്ന ഭാഗത്തേക്ക് മാറ്റുന്നു.

സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ SSR-ൻ്റെ ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള MOSFET ൻ്റെ സവിശേഷതകൾ:

①. ഇതിന് ബൂട്ട്സ്ട്രാപ്പ് ഡ്രൈവ് അല്ലെങ്കിൽ ഫ്ലോട്ടിംഗ് ഡ്രൈവ് ആവശ്യമാണ്, അത് ചെലവേറിയതാണ്;

②. നല്ല EMI.

സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ SSR MOSFET ൻ്റെ സവിശേഷതകൾ താഴ്ന്ന ഭാഗത്ത് സ്ഥാപിച്ചിരിക്കുന്നു:

① ഡയറക്ട് ഡ്രൈവ്, ലളിതമായ ഡ്രൈവ്, കുറഞ്ഞ ചിലവ്;

②. മോശം EMI.

3. പ്രാഥമിക വശം (പ്രാഥമിക) നിയന്ത്രണവും ദ്വിതീയ വശവും (ദ്വിതീയ) നിയന്ത്രണവും

PWM പ്രധാന കൺട്രോളർ പ്രാഥമിക വശത്ത് (പ്രൈമറി) സ്ഥാപിച്ചിരിക്കുന്നു. ഈ ഘടനയെ പ്രാഥമിക വശം (പ്രാഥമിക) നിയന്ത്രണം എന്ന് വിളിക്കുന്നു. ഔട്ട്‌പുട്ട് വോൾട്ടേജ്, ലോഡ് റെഗുലേഷൻ റേറ്റ്, ലീനിയർ റെഗുലേഷൻ റേറ്റ് എന്നിവയുടെ കൃത്യത മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിന്, പ്രൈമറി സൈഡ് (പ്രാഥമിക) നിയന്ത്രണത്തിന് ഒരു ഫീഡ്‌ബാക്ക് ലിങ്ക് രൂപീകരിക്കുന്നതിന് ഒരു ബാഹ്യ ഒപ്‌റ്റോകപ്ലറും TL431 ഉം ആവശ്യമാണ്. സിസ്റ്റം ബാൻഡ്‌വിഡ്ത്ത് ചെറുതാണ്, പ്രതികരണ വേഗത കുറവാണ്.

PWM പ്രധാന കൺട്രോളർ ദ്വിതീയ വശത്ത് (സെക്കൻഡറി) സ്ഥാപിച്ചിട്ടുണ്ടെങ്കിൽ, ഒപ്‌റ്റോകപ്ലറും TL431 ഉം നീക്കംചെയ്യാം, കൂടാതെ ഔട്ട്‌പുട്ട് വോൾട്ടേജ് നേരിട്ട് നിയന്ത്രിക്കാനും വേഗത്തിലുള്ള പ്രതികരണത്തിലൂടെ ക്രമീകരിക്കാനും കഴിയും. ഈ ഘടനയെ ദ്വിതീയ (ദ്വിതീയ) നിയന്ത്രണം എന്ന് വിളിക്കുന്നു.

പ്രാഥമിക വശത്തിൻ്റെ (പ്രാഥമിക) നിയന്ത്രണത്തിൻ്റെ സവിശേഷതകൾ:

①. Optocoupler ഉം TL431 ഉം ആവശ്യമാണ്, പ്രതികരണ വേഗത കുറവാണ്;

②. ഔട്ട്പുട്ട് സംരക്ഷണത്തിൻ്റെ വേഗത കുറവാണ്.

③. സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ തുടർച്ചയായ മോഡ് CCM-ൽ, ദ്വിതീയ വശത്തിന് (സെക്കൻഡറി) ഒരു സിൻക്രൊണൈസേഷൻ സിഗ്നൽ ആവശ്യമാണ്.

ദ്വിതീയ (ദ്വിതീയ) നിയന്ത്രണത്തിൻ്റെ സവിശേഷതകൾ:

①. ഔട്ട്‌പുട്ട് നേരിട്ട് കണ്ടെത്തുന്നു, ഒപ്‌റ്റോകപ്ലറും TL431 ഉം ആവശ്യമില്ല, പ്രതികരണ വേഗത വേഗതയുള്ളതാണ്, ഔട്ട്‌പുട്ട് പരിരക്ഷണ വേഗത വേഗത്തിലാണ്;

②. ദ്വിതീയ വശം (സെക്കൻഡറി) സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET സിൻക്രൊണൈസേഷൻ സിഗ്നലുകളുടെ ആവശ്യമില്ലാതെ നേരിട്ട് പ്രവർത്തിക്കുന്നു; പൾസ് ട്രാൻസ്ഫോർമറുകൾ, മാഗ്നറ്റിക് കപ്ലിംഗുകൾ അല്ലെങ്കിൽ കപ്പാസിറ്റീവ് കപ്ലറുകൾ പോലുള്ള അധിക ഉപകരണങ്ങൾ പ്രാഥമിക വശത്തിൻ്റെ (പ്രാഥമിക) ഹൈ-വോൾട്ടേജ് MOSFET ൻ്റെ ഡ്രൈവിംഗ് സിഗ്നലുകൾ കൈമാറാൻ ആവശ്യമാണ്.

③. പ്രൈമറി സൈഡിന് (പ്രൈമറി) ഒരു സ്റ്റാർട്ടിംഗ് സർക്യൂട്ട് ആവശ്യമാണ്, അല്ലെങ്കിൽ സെക്കണ്ടറി വശത്ത് (സെക്കൻഡറി) ആരംഭിക്കുന്നതിന് ഒരു ഓക്സിലറി പവർ സപ്ലൈ ഉണ്ട്.

4. തുടർച്ചയായ CCM മോഡ് അല്ലെങ്കിൽ തുടർച്ചയായ DCM മോഡ്

ഫ്ലൈബാക്ക് കൺവെർട്ടറിന് തുടർച്ചയായ CCM മോഡിൽ അല്ലെങ്കിൽ തുടർച്ചയായ DCM മോഡിൽ പ്രവർത്തിക്കാൻ കഴിയും. ദ്വിതീയ (ദ്വിതീയ) വിൻഡിംഗിലെ കറൻ്റ് ഒരു സ്വിച്ചിംഗ് സൈക്കിളിൻ്റെ അവസാനം 0-ൽ എത്തിയാൽ, അതിനെ തുടർച്ചയായ ഡിസിഎം മോഡ് എന്ന് വിളിക്കുന്നു. ഒരു സ്വിച്ചിംഗ് സൈക്കിളിൻ്റെ അവസാനത്തിൽ ദ്വിതീയ (ദ്വിതീയ) വിൻഡിംഗിൻ്റെ കറൻ്റ് 0 അല്ലെങ്കിൽ, ചിത്രം 8, 9 എന്നിവയിൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ അതിനെ തുടർച്ചയായ CCM മോഡ് എന്ന് വിളിക്കുന്നു.

ഫ്ലൈബാക്ക് കൺവെർട്ടറിൻ്റെ വിവിധ ഓപ്പറേറ്റിംഗ് മോഡുകളിൽ സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ എസ്എസ്ആറിൻ്റെ പ്രവർത്തന നിലകൾ വ്യത്യസ്തമാണെന്ന് ചിത്രം 8, ചിത്രം 9 എന്നിവയിൽ നിന്ന് കാണാൻ കഴിയും, അതായത് സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ എസ്എസ്ആറിൻ്റെ നിയന്ത്രണ രീതികളും വ്യത്യസ്തമായിരിക്കും.

ഡെഡ് ടൈം അവഗണിക്കുകയാണെങ്കിൽ, തുടർച്ചയായ CCM മോഡിൽ പ്രവർത്തിക്കുമ്പോൾ, സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ SSR-ന് രണ്ട് അവസ്ഥകളുണ്ട്:

①. പ്രാഥമിക വശം (പ്രാഥമിക) ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് MOSFET ഓണാക്കി, ദ്വിതീയ വശം (ദ്വിതീയ) സിൻക്രണസ് തിരുത്തൽ MOSFET ഓഫാക്കി;

②. പ്രാഥമിക വശം (പ്രാഥമിക) ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് MOSFET ഓഫാക്കി, ദ്വിതീയ വശം (ദ്വിതീയ) സിൻക്രണസ് തിരുത്തൽ MOSFET ഓണാക്കി.

അതുപോലെ, ഡെഡ് ടൈം അവഗണിക്കുകയാണെങ്കിൽ, തുടർച്ചയായ ഡിസിഎം മോഡിൽ പ്രവർത്തിക്കുമ്പോൾ സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ എസ്എസ്ആറിന് മൂന്ന് അവസ്ഥകളുണ്ട്:

②. പ്രാഥമിക വശം (പ്രാഥമിക) ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് MOSFET ഓഫാക്കി, ദ്വിതീയ വശം (ദ്വിതീയ) സിൻക്രണസ് തിരുത്തൽ MOSFET ഓണാക്കി;

③. പ്രാഥമിക വശം (പ്രാഥമിക) ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് MOSFET ഓഫാക്കി, ദ്വിതീയ വശം (ദ്വിതീയ) സിൻക്രണസ് തിരുത്തൽ MOSFET ഓഫാക്കി.

5. തുടർച്ചയായ CCM മോഡിൽ ദ്വിതീയ വശം (സെക്കൻഡറി) സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ SSR

ഫാസ്റ്റ്-ചാർജ് ഫ്ലൈബാക്ക് കൺവെർട്ടർ തുടർച്ചയായ CCM മോഡിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്നുണ്ടെങ്കിൽ, പ്രാഥമിക വശം (പ്രാഥമിക) നിയന്ത്രണ രീതി, ദ്വിതീയ വശം (ദ്വിതീയ) സമന്വയ തിരുത്തൽ MOSFET ന് ഷട്ട്ഡൗൺ നിയന്ത്രിക്കുന്നതിന് പ്രാഥമിക വശത്ത് (പ്രാഥമിക) ഒരു സിൻക്രൊണൈസേഷൻ സിഗ്നൽ ആവശ്യമാണ്.

ദ്വിതീയ വശത്തിൻ്റെ (സെക്കൻഡറി) സിൻക്രണസ് ഡ്രൈവ് സിഗ്നൽ ലഭിക്കുന്നതിന് ഇനിപ്പറയുന്ന രണ്ട് രീതികൾ സാധാരണയായി ഉപയോഗിക്കുന്നു:

(1) ചിത്രം 10-ൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ, ദ്വിതീയ (ദ്വിതീയ) വൈൻഡിംഗ് നേരിട്ട് ഉപയോഗിക്കുക;

(2) ചിത്രം 12 ൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ, പ്രാഥമിക വശത്ത് (പ്രാഥമികം) നിന്ന് ദ്വിതീയ വശത്തേക്ക് (സെക്കൻഡറി) സിൻക്രണസ് ഡ്രൈവ് സിഗ്നൽ സംപ്രേഷണം ചെയ്യുന്നതിന് പൾസ് ട്രാൻസ്ഫോർമറുകൾ പോലുള്ള അധിക ഐസൊലേഷൻ ഘടകങ്ങൾ ഉപയോഗിക്കുക.

സിൻക്രണസ് ഡ്രൈവ് സിഗ്നൽ ലഭിക്കുന്നതിന് ദ്വിതീയ (സെക്കൻഡറി) വിൻഡിംഗ് നേരിട്ട് ഉപയോഗിക്കുന്നത്, സിൻക്രണസ് ഡ്രൈവ് സിഗ്നലിൻ്റെ കൃത്യത നിയന്ത്രിക്കാൻ വളരെ ബുദ്ധിമുട്ടാണ്, കൂടാതെ ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്ത കാര്യക്ഷമതയും വിശ്വാസ്യതയും കൈവരിക്കാൻ പ്രയാസമാണ്. ചിത്രം 11 ഷോയിൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ, നിയന്ത്രണ കൃത്യത മെച്ചപ്പെടുത്താൻ ചില കമ്പനികൾ ഡിജിറ്റൽ കൺട്രോളറുകൾ ഉപയോഗിക്കുന്നു.

സിൻക്രണസ് ഡ്രൈവിംഗ് സിഗ്നലുകൾ ലഭിക്കുന്നതിന് ഒരു പൾസ് ട്രാൻസ്ഫോർമർ ഉപയോഗിക്കുന്നത് ഉയർന്ന കൃത്യതയാണ്, എന്നാൽ ചെലവ് താരതമ്യേന ഉയർന്നതാണ്.

ചിത്രം 7.v-ൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ, ദ്വിതീയ വശത്ത് (ദ്വിതീയ) സിൻക്രണസ് ഡ്രൈവ് സിഗ്നൽ പ്രൈമറി സൈഡിലേക്ക് (പ്രാഥമികം) കൈമാറാൻ ദ്വിതീയ വശ (ദ്വിതീയ) നിയന്ത്രണ രീതി സാധാരണയായി ഒരു പൾസ് ട്രാൻസ്ഫോർമർ അല്ലെങ്കിൽ മാഗ്നറ്റിക് കപ്ലിംഗ് രീതി ഉപയോഗിക്കുന്നു.

സിൻക്രണസ് ഡ്രൈവ് സിഗ്നൽ ലഭിക്കുന്നതിന് ദ്വിതീയ (ദ്വിതീയ) വിൻഡിംഗ് നേരിട്ട് ഉപയോഗിക്കുക

സിൻക്രണസ് ഡ്രൈവ് സിഗ്നൽ + ഡിജിറ്റൽ നിയന്ത്രണം ലഭിക്കാൻ ദ്വിതീയ (ദ്വിതീയ) വിൻഡിംഗ് നേരിട്ട് ഉപയോഗിക്കുക

6. തുടർച്ചയായ ഡിസിഎം മോഡിൽ ദ്വിതീയ വശം (സെക്കൻഡറി) സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ എസ്എസ്ആർ

ഫാസ്റ്റ് ചാർജ് ഫ്ലൈബാക്ക് കൺവെർട്ടർ തുടർച്ചയായ ഡിസിഎം മോഡിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്നുണ്ടെങ്കിൽ. പ്രാഥമിക വശം (പ്രാഥമിക) നിയന്ത്രണ രീതിയോ ദ്വിതീയ വശമോ (സെക്കൻഡറി) നിയന്ത്രണ രീതിയോ പരിഗണിക്കാതെ തന്നെ, സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET ൻ്റെ D, S വോൾട്ടേജ് ഡ്രോപ്പുകൾ നേരിട്ട് കണ്ടെത്താനും നിയന്ത്രിക്കാനും കഴിയും.

(1) സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET ഓണാക്കുന്നു

Synchronous rectification MOSFET-ൻ്റെ VDS-ൻ്റെ വോൾട്ടേജ് പോസിറ്റീവിൽ നിന്ന് നെഗറ്റീവിലേക്ക് മാറുമ്പോൾ, ആന്തരിക പാരാസൈറ്റിക് ഡയോഡ് ഓണാകും, ഒരു നിശ്ചിത കാലതാമസത്തിന് ശേഷം, ചിത്രം 13-ൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ, Synchronous rectification MOSFET ഓണാകും.

(2) സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET ഓഫ് ചെയ്യുന്നു

സിൻക്രണസ് തിരുത്തൽ MOSFET ഓണാക്കിയ ശേഷം, VDS=-Io*Rdson. ദ്വിതീയ (ദ്വിതീയ) വിൻഡിംഗ് കറൻ്റ് 0 ആയി കുറയുമ്പോൾ, അതായത്, നിലവിലെ ഡിറ്റക്ഷൻ സിഗ്നൽ VDS ൻ്റെ വോൾട്ടേജ് നെഗറ്റീവിൽ നിന്ന് 0 ആയി മാറുമ്പോൾ, ചിത്രം 13 ൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET ഓഫാകും.

തുടർച്ചയായ ഡിസിഎം മോഡിൽ സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ മോസ്ഫെറ്റ് ഓൺ ചെയ്യുകയും ഓഫാക്കുകയും ചെയ്യുന്നു

പ്രായോഗിക പ്രയോഗങ്ങളിൽ, ദ്വിതീയ (സെക്കൻഡറി) വൈൻഡിംഗ് കറൻ്റ് 0 (VDS=0) എത്തുന്നതിന് മുമ്പ് സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET ഓഫാകും. -20mV, -50mV, -100mV, -200mV, എന്നിങ്ങനെ വ്യത്യസ്ത ചിപ്പുകൾ സജ്ജമാക്കിയ നിലവിലെ കണ്ടെത്തൽ റഫറൻസ് വോൾട്ടേജ് മൂല്യങ്ങൾ വ്യത്യസ്തമാണ്.

സിസ്റ്റത്തിൻ്റെ നിലവിലെ കണ്ടെത്തൽ റഫറൻസ് വോൾട്ടേജ് നിശ്ചയിച്ചിരിക്കുന്നു. കറൻ്റ് ഡിറ്റക്ഷൻ റഫറൻസ് വോൾട്ടേജിൻ്റെ കേവല മൂല്യം കൂടുന്തോറും ഇടപെടൽ പിശക് ചെറുതും മികച്ച കൃത്യതയും. എന്നിരുന്നാലും, ഔട്ട്‌പുട്ട് ലോഡ് കറൻ്റ് Io കുറയുമ്പോൾ, സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET ഒരു വലിയ ഔട്ട്‌പുട്ട് കറൻ്റിൽ ഓഫാകും, കൂടാതെ അതിൻ്റെ ആന്തരിക പരാന്നഭോജി ഡയോഡ് കൂടുതൽ സമയത്തേക്ക് നടത്തുകയും ചെയ്യും, അതിനാൽ ചിത്രം 14 ൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ കാര്യക്ഷമത കുറയുന്നു.

കറൻ്റ് സെൻസിംഗ് റഫറൻസ് വോൾട്ടേജും സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷനും MOSFET ടേൺ-ഓഫ് സമയവും

കൂടാതെ, നിലവിലെ കണ്ടെത്തൽ റഫറൻസ് വോൾട്ടേജിൻ്റെ കേവല മൂല്യം വളരെ ചെറുതാണെങ്കിൽ. സിസ്റ്റം പിശകുകളും ഇടപെടലുകളും ദ്വിതീയ (ദ്വിതീയ) വിൻഡിംഗ് കറൻ്റ് 0 കവിഞ്ഞതിന് ശേഷം സിൻക്രണസ് റെക്‌റ്റിഫിക്കേഷൻ മോസ്‌ഫെറ്റ് ഓഫാക്കുന്നതിന് കാരണമായേക്കാം, ഇത് റിവേഴ്‌സ് ഇൻഫ്ലോ കറൻ്റിലേക്ക് നയിക്കുന്നു, ഇത് കാര്യക്ഷമതയെയും സിസ്റ്റത്തിൻ്റെ വിശ്വാസ്യതയെയും ബാധിക്കുന്നു.

ഹൈ-പ്രിസിഷൻ കറൻ്റ് ഡിറ്റക്ഷൻ സിഗ്നലുകൾക്ക് സിസ്റ്റത്തിൻ്റെ കാര്യക്ഷമതയും വിശ്വാസ്യതയും മെച്ചപ്പെടുത്താൻ കഴിയും, എന്നാൽ ഉപകരണത്തിൻ്റെ വില വർദ്ധിക്കും. നിലവിലെ കണ്ടെത്തൽ സിഗ്നലിൻ്റെ കൃത്യത ഇനിപ്പറയുന്ന ഘടകങ്ങളുമായി ബന്ധപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു:
①. കറൻ്റ് ഡിറ്റക്ഷൻ റഫറൻസ് വോൾട്ടേജിൻ്റെ കൃത്യതയും താപനില ഡ്രിഫ്റ്റും;
②. ബയസ് വോൾട്ടേജും ഓഫ്‌സെറ്റ് വോൾട്ടേജും, ബയസ് കറൻ്റും ഓഫ്‌സെറ്റ് കറൻ്റും, കറൻ്റ് ആംപ്ലിഫയറിൻ്റെ താപനില ഡ്രിഫ്റ്റും;
③. സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET-ൻ്റെ ഓൺ-വോൾട്ടേജ് Rdson-ൻ്റെ കൃത്യതയും താപനില ഡ്രിഫ്റ്റും.

കൂടാതെ, ഒരു സിസ്റ്റം വീക്ഷണകോണിൽ നിന്ന്, ഡിജിറ്റൽ നിയന്ത്രണം, നിലവിലെ കണ്ടെത്തൽ റഫറൻസ് വോൾട്ടേജ് മാറ്റുക, സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET ഡ്രൈവിംഗ് വോൾട്ടേജ് എന്നിവയിലൂടെ ഇത് മെച്ചപ്പെടുത്താം.

ഔട്ട്പുട്ട് ലോഡ് കറൻ്റ് Io കുറയുമ്പോൾ, MOSFET ൻ്റെ ഡ്രൈവിംഗ് വോൾട്ടേജ് കുറയുകയാണെങ്കിൽ, അനുബന്ധ MOSFET ടേൺ-ഓൺ വോൾട്ടേജ് Rdson വർദ്ധിക്കുന്നു. ചിത്രം 15-ൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ, സിൻക്രണസ് റക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET ൻ്റെ നേരത്തെയുള്ള ഷട്ട്ഡൗൺ ഒഴിവാക്കാനും, പരാന്നഭോജിയായ ഡയോഡിൻ്റെ ചാലക സമയം കുറയ്ക്കാനും, സിസ്റ്റത്തിൻ്റെ കാര്യക്ഷമത മെച്ചപ്പെടുത്താനും സാധിക്കും.

ഡ്രൈവിംഗ് വോൾട്ടേജ് VGS കുറയ്ക്കുകയും സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET ഓഫ് ചെയ്യുകയും ചെയ്യുന്നു

ഔട്ട്പുട്ട് ലോഡ് കറൻ്റ് Io കുറയുമ്പോൾ, കറൻ്റ് ഡിറ്റക്ഷൻ റഫറൻസ് വോൾട്ടേജും കുറയുന്നതായി ചിത്രം 14-ൽ നിന്ന് കാണാൻ കഴിയും. ഈ രീതിയിൽ, ഔട്ട്പുട്ട് കറൻ്റ് Io വലുതായിരിക്കുമ്പോൾ, നിയന്ത്രണ കൃത്യത മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിന് ഉയർന്ന കറൻ്റ് ഡിറ്റക്ഷൻ റഫറൻസ് വോൾട്ടേജ് ഉപയോഗിക്കുന്നു; ഔട്ട്പുട്ട് കറൻ്റ് Io കുറവായിരിക്കുമ്പോൾ, ഒരു താഴ്ന്ന കറൻ്റ് ഡിറ്റക്ഷൻ റഫറൻസ് വോൾട്ടേജ് ഉപയോഗിക്കുന്നു. സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET ൻ്റെ ചാലക സമയം മെച്ചപ്പെടുത്താനും സിസ്റ്റത്തിൻ്റെ കാര്യക്ഷമത മെച്ചപ്പെടുത്താനും ഇതിന് കഴിയും.

മെച്ചപ്പെടുത്തലിനായി മുകളിൽ പറഞ്ഞ രീതി ഉപയോഗിക്കാനാകാതെ വരുമ്പോൾ, Schottky ഡയോഡുകളും സമന്വയ തിരുത്തൽ MOSFET ൻ്റെ രണ്ട് അറ്റത്തും സമാന്തരമായി ബന്ധിപ്പിക്കാൻ കഴിയും. സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET മുൻകൂട്ടി ഓഫാക്കിയ ശേഷം, ഫ്രീ വീലിംഗിനായി ഒരു ബാഹ്യ ഷോട്ട്കി ഡയോഡ് ബന്ധിപ്പിക്കാൻ കഴിയും.

7. സെക്കൻഡറി (സെക്കൻഡറി) നിയന്ത്രണം CCM+DCM ഹൈബ്രിഡ് മോഡ്

നിലവിൽ, മൊബൈൽ ഫോൺ ഫാസ്റ്റ് ചാർജിംഗിനായി സാധാരണയായി ഉപയോഗിക്കുന്ന രണ്ട് പരിഹാരങ്ങളുണ്ട്:

(1) പ്രാഥമിക വശം (പ്രാഥമിക) നിയന്ത്രണവും DCM പ്രവർത്തന രീതിയും. സെക്കണ്ടറി സൈഡ് (സെക്കൻഡറി) സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷന് MOSFET-ന് ഒരു സിൻക്രൊണൈസേഷൻ സിഗ്നൽ ആവശ്യമില്ല.

(2) സെക്കണ്ടറി (സെക്കൻഡറി) നിയന്ത്രണം, CCM+DCM മിക്സഡ് ഓപ്പറേറ്റിംഗ് മോഡ് (ഔട്ട്പുട്ട് ലോഡ് കറൻ്റ് കുറയുമ്പോൾ, CCM മുതൽ DCM വരെ). ദ്വിതീയ വശം (സെക്കൻഡറി) സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET നേരിട്ട് ഡ്രൈവ് ചെയ്യപ്പെടുന്നു, അതിൻ്റെ ടേൺ-ഓൺ, ടേൺ-ഓഫ് ലോജിക് തത്വങ്ങൾ ചിത്രം 16-ൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നു:

സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ മോസ്ഫെറ്റ് ഓണാക്കുന്നു: സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ മോസ്ഫെറ്റിൻ്റെ വിഡിഎസ് വോൾട്ടേജ് പോസിറ്റീവിൽ നിന്ന് നെഗറ്റീവിലേക്ക് മാറുമ്പോൾ, അതിൻ്റെ ആന്തരിക പരാന്നഭോജി ഡയോഡ് ഓണാകും. ഒരു നിശ്ചിത കാലതാമസത്തിന് ശേഷം, സിൻക്രണസ് തിരുത്തൽ MOSFET ഓണാകുന്നു.

സമന്വയ തിരുത്തൽ MOSFET ഓഫാക്കുന്നു:

① ഔട്ട്പുട്ട് വോൾട്ടേജ് സെറ്റ് മൂല്യത്തേക്കാൾ കുറവാണെങ്കിൽ, MOSFET ൻ്റെ ടേൺ-ഓഫ് നിയന്ത്രിക്കാനും CCM മോഡിൽ പ്രവർത്തിക്കാനും സിൻക്രണസ് ക്ലോക്ക് സിഗ്നൽ ഉപയോഗിക്കുന്നു.

② ഔട്ട്‌പുട്ട് വോൾട്ടേജ് സെറ്റ് മൂല്യത്തേക്കാൾ കൂടുതലായിരിക്കുമ്പോൾ, സിൻക്രണസ് ക്ലോക്ക് സിഗ്നൽ ഷീൽഡ് ചെയ്യപ്പെടുകയും പ്രവർത്തന രീതി DCM മോഡിന് തുല്യമാണ്. VDS=-Io*Rdson സിഗ്നൽ സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET-ൻ്റെ ഷട്ട്ഡൗൺ നിയന്ത്രിക്കുന്നു.

ദ്വിതീയ വശം (സെക്കൻഡറി) സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ MOSFET ടേൺ-ഓഫ് നിയന്ത്രിക്കുന്നു

ഇപ്പോൾ, മുഴുവൻ ഫാസ്റ്റ് ചാർജിംഗ് ക്യുസിയിലും MOSFET വഹിക്കുന്ന പങ്ക് എന്താണെന്ന് എല്ലാവർക്കും അറിയാം!

ഒലുക്കിയെക്കുറിച്ച്

ഒലുക്കിയുടെ പ്രധാന ടീം 20 വർഷമായി ഘടകങ്ങളിൽ ശ്രദ്ധ കേന്ദ്രീകരിച്ചു, ഷെൻഷെനിലാണ് ആസ്ഥാനം. പ്രധാന ബിസിനസ്സ്: MOSFET, MCU, IGBT എന്നിവയും മറ്റ് ഉപകരണങ്ങളും. പ്രധാന ഏജൻ്റ് ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ WINSOK, Cmsemicon എന്നിവയാണ്. സൈനിക വ്യവസായം, വ്യാവസായിക നിയന്ത്രണം, പുതിയ ഊർജ്ജം, മെഡിക്കൽ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ, 5G, ഇൻ്റർനെറ്റ് ഓഫ് തിംഗ്സ്, സ്മാർട്ട് ഹോംസ്, വിവിധ ഉപഭോക്തൃ ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ എന്നിവയിൽ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു. യഥാർത്ഥ ആഗോള ജനറൽ ഏജൻ്റിൻ്റെ ഗുണങ്ങളെ ആശ്രയിച്ച്, ഞങ്ങൾ ചൈനീസ് വിപണിയെ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ളതാണ്. ഞങ്ങളുടെ ഉപഭോക്താക്കൾക്ക് വിവിധ നൂതന ഹൈടെക് ഇലക്ട്രോണിക് ഘടകങ്ങൾ പരിചയപ്പെടുത്തുന്നതിനും ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ നിർമ്മിക്കുന്നതിനും സമഗ്രമായ സേവനങ്ങൾ നൽകുന്നതിനും നിർമ്മാതാക്കളെ സഹായിക്കുന്നതിനും ഞങ്ങളുടെ സമഗ്രമായ പ്രയോജനപ്രദമായ സേവനങ്ങൾ ഞങ്ങൾ ഉപയോഗിക്കുന്നു.