MOSFET-ൻ്റെ നാല് മേഖലകൾ ഏതൊക്കെയാണ്?

ഒരു N-ചാനൽ മെച്ചപ്പെടുത്തൽ MOSFET-ൻ്റെ നാല് മേഖലകൾ

(1) വേരിയബിൾ റെസിസ്റ്റൻസ് മേഖല (അപൂരിത മേഖല എന്നും അറിയപ്പെടുന്നു)

Ucs" Ucs (th) (ടേൺ-ഓൺ വോൾട്ടേജ്), uDs" UGs-Ucs (th), ചാനൽ ഓണാക്കിയിരിക്കുന്ന ചിത്രത്തിൽ പ്രീക്ലാമ്പ് ചെയ്ത ട്രെയ്‌സിൻ്റെ ഇടതുവശത്തുള്ള മേഖലയാണ്. ഈ മേഖലയിൽ UD-കളുടെ മൂല്യം ചെറുതാണ്, കൂടാതെ ചാനൽ പ്രതിരോധം അടിസ്ഥാനപരമായി നിയന്ത്രിക്കുന്നത് UG-കൾ മാത്രമാണ്. uG-കൾ ഉറപ്പായാൽ, ip-ഉം uD-കളും ഒരു രേഖീയ ബന്ധത്തിലേയ്‌ക്ക് വരുമ്പോൾ, പ്രദേശം നേർരേഖകളുടെ ഒരു കൂട്ടമായി കണക്കാക്കുന്നു. ഈ സമയത്ത്, ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്യൂബ് ഡി, എസ് ഒരു വോൾട്ടേജ് യുജിഎസ് തുല്യമായ തമ്മിലുള്ള

വോൾട്ടേജ് UGS വേരിയബിൾ പ്രതിരോധം നിയന്ത്രിക്കുന്നു.

(2) സ്ഥിരമായ നിലവിലെ മേഖല (സാച്ചുറേഷൻ മേഖല, ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ മേഖല, സജീവ മേഖല എന്നും അറിയപ്പെടുന്നു)

Ucs ≥ Ucs (h), Ubs ≥ UcsUssth), പ്രീ-പിഞ്ച് ഓഫ് ട്രാക്കിൻ്റെ വലത് വശത്തെ ചിത്രത്തിന്, എന്നാൽ uG-കൾ ആയിരിക്കേണ്ട സമയത്ത്, പ്രദേശത്ത്, പ്രദേശത്ത്, ib മിക്കവാറും ഇല്ല UD-കൾക്കൊപ്പം മാറ്റം, ഒരു സ്ഥിര-നിലവിലെ സവിശേഷതയാണ്. i നിയന്ത്രിക്കുന്നത് UG-കൾ മാത്രമാണ്, തുടർന്ന് MOSFETD, S എന്നത് നിലവിലെ ഉറവിടത്തിൻ്റെ ഒരു വോൾട്ടേജ് uGs നിയന്ത്രണത്തിന് തുല്യമാണ്. MOSFET ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ടുകളിൽ ഉപയോഗിക്കുന്നു, സാധാരണയായി MOSFET D യുടെ പ്രവർത്തനത്തിൽ, S ഒരു വോൾട്ടേജ് uGs നിയന്ത്രണ നിലവിലെ ഉറവിടത്തിന് തുല്യമാണ്. ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ടുകളിൽ ഉപയോഗിക്കുന്ന MOSFET, സാധാരണയായി ഈ മേഖലയിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്നു, അതിനാൽ ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ ഏരിയ എന്നും അറിയപ്പെടുന്നു.

(3) ക്ലിപ്പ്-ഓഫ് ഏരിയ (കട്ട്-ഓഫ് ഏരിയ എന്നും അറിയപ്പെടുന്നു)

ക്ലിപ്പ്-ഓഫ് ഏരിയ (കട്ട്-ഓഫ് ഏരിയ എന്നും അറിയപ്പെടുന്നു) പ്രദേശത്തിൻ്റെ തിരശ്ചീന അച്ചുതണ്ടിന് സമീപമുള്ള ചിത്രത്തിനായുള്ള ucs "Ues (th) കാണുന്നതിന്, ചാനൽ എല്ലാം ക്ലാമ്പ് ചെയ്തിരിക്കുന്നു, പൂർണ്ണ ക്ലിപ്പ് ഓഫ് എന്ന് അറിയപ്പെടുന്നു, io = 0 , ട്യൂബ് പ്രവർത്തിക്കുന്നില്ല.

(4) ബ്രേക്ക്ഡൗൺ സോൺ സ്ഥാനം

ചിത്രത്തിൻ്റെ വലതുവശത്തുള്ള മേഖലയിലാണ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ മേഖല സ്ഥിതി ചെയ്യുന്നത്. വർദ്ധിച്ചുവരുന്ന UD-കൾക്കൊപ്പം, PN ജംഗ്ഷൻ വളരെയധികം റിവേഴ്സ് വോൾട്ടേജിനും തകർച്ചയ്ക്കും വിധേയമാകുന്നു, ip കുത്തനെ വർദ്ധിക്കുന്നു. തകരാർ മേഖലയിൽ പ്രവർത്തിക്കാതിരിക്കാൻ ട്യൂബ് പ്രവർത്തിപ്പിക്കണം. ഔട്ട്പുട്ട് സ്വഭാവ വക്രത്തിൽ നിന്ന് ട്രാൻസ്ഫർ സ്വഭാവ വക്രം ഉരുത്തിരിഞ്ഞു വരാം. കണ്ടെത്താൻ ഗ്രാഫായി ഉപയോഗിക്കുന്ന രീതി. ഉദാഹരണത്തിന്, Ubs = 6V ലംബ രേഖയ്ക്ക് ചിത്രം 3 (a) ൽ, വക്രവുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്ന ib-Uss കോർഡിനേറ്റുകളിലെ i, Us മൂല്യങ്ങളുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്ന വിവിധ വളവുകളുമായുള്ള അതിൻ്റെ വിഭജനം, അതായത്, ട്രാൻസ്ഫർ സ്വഭാവ വക്രം നേടുന്നതിന്.

പാരാമീറ്ററുകൾമോസ്ഫെറ്റ്

DC പാരാമീറ്ററുകൾ, AC പാരാമീറ്ററുകൾ, പരിധി പരാമീറ്ററുകൾ എന്നിവയുൾപ്പെടെ MOSFET-ൻ്റെ നിരവധി പാരാമീറ്ററുകൾ ഉണ്ട്, എന്നാൽ പൊതുവായ ഉപയോഗത്തിൽ ഇനിപ്പറയുന്ന പ്രധാന പാരാമീറ്ററുകൾ മാത്രമേ ശ്രദ്ധിക്കേണ്ടതുള്ളൂ: പൂരിത ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് കറൻ്റ് IDSS പിഞ്ച്-ഓഫ് വോൾട്ടേജ് അപ്പ്, (ജംഗ്ഷൻ-ടൈപ്പ് ട്യൂബുകളും ഡിപ്ലിഷനും -ടൈപ്പ് ഇൻസുലേറ്റഡ്-ഗേറ്റ് ട്യൂബുകൾ, അല്ലെങ്കിൽ ടേൺ-ഓൺ വോൾട്ടേജ് യുടി (റൈൻഫോർഡ് ഇൻസുലേറ്റഡ്-ഗേറ്റ് ട്യൂബുകൾ), ട്രാൻസ്-കണ്ടക്റ്റൻസ് gm, ലീക്കേജ്-സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്‌ഡൗൺ വോൾട്ടേജ് BUDS, പരമാവധി ഡിസ്‌സിപേറ്റഡ് പവർ PDSM, പരമാവധി ഡ്രെയിൻ-സോഴ്‌സ് കറൻ്റ് IDSM .

(1) പൂരിത ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്

ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് UGS = 0 ആയിരിക്കുമ്പോൾ ഒരു ജംഗ്ഷനിലെ ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് അല്ലെങ്കിൽ ഡിപ്ലിഷൻ ടൈപ്പ് ഇൻസുലേറ്റഡ് ഗേറ്റ് MOSFET ആണ് പൂരിത ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് IDSS.

(2) ക്ലിപ്പ്-ഓഫ് വോൾട്ടേജ്

പിഞ്ച്-ഓഫ് വോൾട്ടേജ് UP എന്നത് ഒരു ജംഗ്ഷൻ-ടൈപ്പ് അല്ലെങ്കിൽ ഡിപ്ലിഷൻ-ടൈപ്പ് ഇൻസുലേറ്റഡ്-ഗേറ്റ് MOSFET-ലെ ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജാണ്, അത് ഡ്രെയിനിനും ഉറവിടത്തിനും ഇടയിൽ വിച്ഛേദിക്കുന്നു. N-ചാനൽ ട്യൂബ് UGS-ന് 4-25-ൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ ഒരു ഐഡി കർവ്, IDSS, UP എന്നിവയുടെ പ്രാധാന്യം മനസ്സിലാക്കാൻ കഴിയും.

MOSFET നാല് പ്രദേശങ്ങൾ

(3) ടേൺ-ഓൺ വോൾട്ടേജ്

ടേൺ-ഓൺ വോൾട്ടേജ് UT എന്നത് ഇൻസുലേറ്റഡ്-ഗേറ്റ് MOSFET-ലെ ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജാണ്, അത് ഇൻ്റർ-ഡ്രെയിൻ-സ്രോതസ്സിനെ വെറും ചാലകമാക്കുന്നു.

(4) ട്രാൻസ്കണ്ടക്റ്റൻസ്

ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് ഐഡിയിലെ ഗേറ്റ് സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ് യുജിഎസിൻ്റെ നിയന്ത്രണ ശേഷിയാണ് ട്രാൻസ്കണ്ടക്റ്റൻസ് ജിഎം, അതായത്, ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് ഐഡിയിലെ മാറ്റവും ഗേറ്റ് സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ് യുജിഎസിലെ മാറ്റത്തിൻ്റെ അനുപാതവും. 9 മീ എന്നത് ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ കഴിവ് തൂക്കുന്ന ഒരു പ്രധാന പാരാമീറ്ററാണ്മോസ്ഫെറ്റ്.

(5) ഡ്രെയിൻ സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ്

ഡ്രെയിൻ സോഴ്‌സ് ബ്രേക്ക്‌ഡൗൺ വോൾട്ടേജ് BUDS എന്നത് ഗേറ്റ് സോഴ്‌സ് വോൾട്ടേജിനെ സൂചിപ്പിക്കുന്നു UGS ഉറപ്പാണ്, MOSFET സാധാരണ പ്രവർത്തനത്തിന് പരമാവധി ഡ്രെയിൻ ഉറവിട വോൾട്ടേജ് സ്വീകരിക്കാൻ കഴിയും. ഇത് ഒരു പരിധി പരാമീറ്ററാണ്, MOSFET ഓപ്പറേറ്റിംഗ് വോൾട്ടേജിലേക്ക് ചേർത്തത് BUDS-നേക്കാൾ കുറവായിരിക്കണം.

(6) പരമാവധി പവർ ഡിസ്പേഷൻ

പരമാവധി പവർ ഡിസ്‌സിപേഷൻ PDSM എന്നത് ഒരു പരിധി പരാമീറ്ററാണ്മോസ്ഫെറ്റ്പരമാവധി അനുവദനീയമായ ലീക്കേജ് സോഴ്സ് പവർ ഡിസ്പേഷൻ ആകുമ്പോൾ പ്രകടനം മോശമാകില്ല. MOSFET ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ പ്രായോഗിക വൈദ്യുതി ഉപഭോഗം PDSM-നേക്കാൾ കുറവായിരിക്കണം കൂടാതെ ഒരു നിശ്ചിത മാർജിൻ വിടുകയും വേണം.

(7) പരമാവധി ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ്

പരമാവധി ലീക്കേജ് കറൻ്റ് IDSM എന്നത് മറ്റൊരു ലിമിറ്റ് പാരാമീറ്ററാണ്, MOSFET ൻ്റെ സാധാരണ പ്രവർത്തനത്തെ സൂചിപ്പിക്കുന്നു, MOSFET ൻ്റെ ഓപ്പറേറ്റിംഗ് കറൻ്റിലൂടെ കടന്നുപോകാൻ അനുവദിക്കുന്ന പരമാവധി കറണ്ടിൻ്റെ ചോർച്ച ഉറവിടം IDSM-ൽ കവിയരുത്.

MOSFET പ്രവർത്തന തത്വം

MOSFET (N-ചാനൽ മെച്ചപ്പെടുത്തൽ MOSFET) ൻ്റെ പ്രവർത്തന തത്വം, ഈ "ഇൻഡക്റ്റീവ് ചാർജ്" വഴി രൂപപ്പെടുന്ന ചാലക ചാനലിൻ്റെ അവസ്ഥ മാറ്റുന്നതിന്, "ഇൻഡക്റ്റീവ് ചാർജിൻ്റെ" അളവ് നിയന്ത്രിക്കാൻ VGS ഉപയോഗിക്കുകയും തുടർന്ന് ലക്ഷ്യം നേടുകയും ചെയ്യുക എന്നതാണ്. ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് നിയന്ത്രിക്കുന്നതിൻ്റെ. ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് നിയന്ത്രിക്കുക എന്നതാണ് ലക്ഷ്യം. ട്യൂബുകളുടെ നിർമ്മാണത്തിൽ, ഇൻസുലേറ്റിംഗ് ലെയറിൽ ധാരാളം പോസിറ്റീവ് അയോണുകൾ ഉണ്ടാക്കുന്ന പ്രക്രിയയിലൂടെ, ഇൻ്റർഫേസിൻ്റെ മറുവശത്ത് കൂടുതൽ നെഗറ്റീവ് ചാർജുകൾ ഉണ്ടാക്കാൻ കഴിയും, ഈ നെഗറ്റീവ് ചാർജുകൾ പ്രേരിപ്പിക്കാൻ കഴിയും.

ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് മാറുമ്പോൾ, ചാനലിൽ പ്രേരിപ്പിച്ച ചാർജിൻ്റെ അളവും മാറുന്നു, ചാലക ചാനലിൻ്റെ വീതിയും മാറുന്നു, അങ്ങനെ ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജിനൊപ്പം ഡ്രെയിൻ കറൻ്റ് ഐഡി മാറുന്നു.

MOSFET റോൾ

I. MOSFET ആംപ്ലിഫിക്കേഷനായി പ്രയോഗിക്കാവുന്നതാണ്. MOSFET ആംപ്ലിഫയറിൻ്റെ ഉയർന്ന ഇൻപുട്ട് ഇംപെഡൻസ് കാരണം, ഇലക്‌ട്രോലൈറ്റിക് കപ്പാസിറ്ററുകൾ ഉപയോഗിക്കാതെ കപ്ലിംഗ് കപ്പാസിറ്ററിന് ചെറിയ ശേഷിയുണ്ടാകും.

രണ്ടാമതായി, MOSFET ൻ്റെ ഉയർന്ന ഇൻപുട്ട് ഇംപെഡൻസ് ഇംപെഡൻസ് പരിവർത്തനത്തിന് വളരെ അനുയോജ്യമാണ്. ഇംപെഡൻസ് പരിവർത്തനത്തിനായി മൾട്ടി-സ്റ്റേജ് ആംപ്ലിഫയർ ഇൻപുട്ട് ഘട്ടത്തിൽ സാധാരണയായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.

MOSFET ഒരു വേരിയബിൾ റെസിസ്റ്ററായി ഉപയോഗിക്കാം.

നാലാമതായി, സ്ഥിരമായ നിലവിലെ ഉറവിടമായി MOSFET എളുപ്പത്തിൽ ഉപയോഗിക്കാം.

അഞ്ചാമതായി, MOSFET ഒരു ഇലക്ട്രോണിക് സ്വിച്ച് ആയി ഉപയോഗിക്കാം.